10月14日，據(jù)“成都發(fā)布”官微消息，成都萊普科技股份有限公司（以下簡稱：萊普科技）的全國總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目目前正處于內(nèi)外裝施工階段，預計今年年底前完工，明年實現(xiàn)設(shè)備搬入、投產(chǎn)。
source：成都發(fā)布
據(jù)悉，該項目位于成都市高新區(qū)，總投資16.6億元，占地面積39畝，建筑面積6.5萬平米，于2023年10月開工建設(shè)，預計2025年5月前通過并聯(lián)并行竣工驗收，2026年5月全面達產(chǎn)。
建成后，該項目包括企業(yè)全國總部、技術(shù)中心、制造中心、服務(wù)中心以及核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地，并將同步建設(shè)中科院半導體所成都半導體材料先進激光加工技術(shù)聯(lián)合實驗室及培訓基地、四川省全固態(tài)先進激光工程技術(shù)研究中心等項目。
官網(wǎng)資料顯示，萊普科技成立于2003年，是國內(nèi)集半導體激光裝備研發(fā)、制造、銷售和服務(wù)為一體的廠商。公司總部位于成都市高新區(qū)，建有深圳分公司和江蘇子公司，同時在蘇州、深圳、武漢、北京、西安等地建有服務(wù)辦公室。
業(yè)務(wù)進展方面，萊普科技在半導體晶圓制造、封裝測試、精密電子制造等領(lǐng)域推出了三十余種激光應(yīng)用專業(yè)設(shè)備，擁有五十多項自主知識產(chǎn)權(quán)。
在功率半導體領(lǐng)域，萊普科技的硅基IGBT激光退火設(shè)備及碳化硅歐姆接觸激光退火設(shè)備與進口廠家同廠比對并勝出，銷售至株洲中車時代半導體、無錫華潤上華、上海積塔半導體等企業(yè)。
目前，萊普科技正在推進A股IPO進程。今年3月4日，萊普科技在四川證監(jiān)局辦理輔導備案登記，輔導券商為中信建投證券。萊普科技現(xiàn)已完成第二期輔導。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。