一、概況

-全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)格局
-全球GaN Power Device供應(yīng)鏈情形
-全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)并購(gòu)動(dòng)態(tài)
-全球主要半導(dǎo)體廠商布局

二、GaN Power Device產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)分析

-GaN Power Device產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-GaN Power Device成本結(jié)構(gòu)分析
-GaN Epiwafer價(jià)格情況
-MOCVD設(shè)備情況
-GaN Power Device價(jià)格情況
-GaN Power Device供應(yīng)商分布
-GaN Power Device供應(yīng)商產(chǎn)品線情況
-GaN Power Device供應(yīng)商市場(chǎng)份額
-GaN Power Device市場(chǎng)分析 – 按應(yīng)用場(chǎng)景
-GaN Power Device市場(chǎng)分析 – 按元件類型
-GaN Power Device市場(chǎng)分析 – 按電壓等級(jí)
-Foundry情況
-GaN Power Device封裝方案
-GaN-on-Sapphire產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-Vertical GaN產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-GaN-on-Qst產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-GaN Power IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

三、GaN Power Device應(yīng)用場(chǎng)景分析

-GaN Power Device應(yīng)用趨勢(shì)
-Data Center – AI芯片的功耗演進(jìn)
-Data Center – 服務(wù)器電源發(fā)展趨勢(shì)
-Data Center – GaN于服務(wù)器電源應(yīng)用分析
-Data Center – GaN應(yīng)用案例
-Data Center – AI服務(wù)器市場(chǎng)情況
-Data Center – GaN市場(chǎng)規(guī)模
-Motor Drive – GaN應(yīng)用概況
-Motor Drive – 機(jī)器人發(fā)展趨勢(shì)
-Motor Drive – GaN于人形機(jī)器人應(yīng)用分析
-Motor Drive – GaN市場(chǎng)規(guī)模
-Automotive – GaN應(yīng)用概況
-Automotive – GaN于激光雷達(dá)應(yīng)用分析
-Automotive – GaN于車載充電機(jī)應(yīng)用分析
-Automotive – GaN于牽引逆變器應(yīng)用分析
-Automotive – GaN廠商進(jìn)展
-Automotive – 新能源汽車市場(chǎng)情況
-Automotive – GaN市場(chǎng)規(guī)模
-Solar – GaN應(yīng)用概況
-Solar – 微型逆變器發(fā)展趨勢(shì)
-Solar – GaN應(yīng)用案例
-Solar – GaN市場(chǎng)規(guī)模
-Consumer – GaN應(yīng)用概況
-Consumer – 快速充電器發(fā)展趨勢(shì)
-Consumer – GaN應(yīng)用案例
-Consumer – GaN市場(chǎng)規(guī)模

四、主要廠商動(dòng)態(tài)分析

-Efficient Power Conversion
-Infineon
-Innoscience
-Navitas
-Power integrations
-Renesas
-Texas Instruments

語(yǔ)系：中文/英文 丨 格式：PDF 丨 頁(yè)數(shù)：約70頁(yè) 出刊時(shí)間：2024年4月

一、概況
-全球SiC產(chǎn)業(yè)格局
-全球SiC供應(yīng)鏈現(xiàn)狀
-全球SiC產(chǎn)業(yè)并購(gòu)動(dòng)態(tài)
-全球主要SiC廠商業(yè)務(wù)布局

二、SiC Substrate市場(chǎng)分析
-SiC Substrate廠商分布
-SiC Substrate成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC Substrate價(jià)格趨勢(shì)
-SiC Substrate尺寸趨勢(shì)
-8-inch SiC Substrate進(jìn)展
-SiC Substrate技術(shù)創(chuàng)新
-SiC Substrate供應(yīng)商營(yíng)收份額
-SiC Substrate市場(chǎng)規(guī)模
-SiC Substrate供應(yīng)格局
-SiC Substrate產(chǎn)能預(yù)測(cè)

三、SiC Epitaxial Wafer市場(chǎng)分析
-SiC Epitaxial Wafer廠商分布
-SiC Epitaxial Wafer成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC Epitaxial Wafer供應(yīng)商業(yè)務(wù)布局
-SiC Epitaxial Wafer供應(yīng)商營(yíng)收份額
-SiC Epitaxial Wafer市場(chǎng)規(guī)模
-SiC Epitaxial Reactor市場(chǎng)規(guī)模

四、SiC Power Device市場(chǎng)分析
-SiC Power Device廠商分布
-SiC Power Device成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC MOSFET技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
-SiC Power Device供應(yīng)商產(chǎn)品線情況
-SiC Power Device供應(yīng)商營(yíng)收份額
-SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模
-8-inch SiC Wafer Fab情況
-SiC Wafer Foundry情況

五、車用SiC市場(chǎng)分析
-全球新能源汽車市場(chǎng)狀況
-SiC車用組件概況
-車用SiC供應(yīng)鏈狀況
-汽車主逆變器功率模組發(fā)展趨勢(shì)
-汽車主逆變器SiC搭載進(jìn)程
-汽車主逆變器SiC供應(yīng)格局
-800V系統(tǒng)滲透率預(yù)測(cè)
-車用市場(chǎng)SiC晶圓需求預(yù)測(cè)
-車用功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額(Si/SiC/GaN)

六、主要SiC廠商分析
-Wolfspeed
-Infineon
-ST
-onsemi
-ROHM
-Bosch
-Coherent
-Resonac
-X-FAB

七、中國(guó)SiC市場(chǎng)動(dòng)態(tài)
-中國(guó)SiC供應(yīng)鏈現(xiàn)狀
-中國(guó)主要SiC廠商業(yè)務(wù)布局
-中國(guó)SiC產(chǎn)線情況-Substrate & Epitaxy
-中國(guó)SiC產(chǎn)線情況 – Wafer Fab
-中國(guó)SiC生產(chǎn)設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀
-中國(guó)車用SiC產(chǎn)業(yè)近況
-主要廠商動(dòng)態(tài)分析

一、概況

-中國(guó)SiC供應(yīng)鏈情形
-中國(guó)主要SiC供應(yīng)商業(yè)務(wù)布局
-中國(guó)SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值結(jié)構(gòu)

二、中國(guó)SiC襯底市場(chǎng)分析

-SiC襯底成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC襯底價(jià)格趨勢(shì)
-SiC襯底尺寸趨勢(shì)
-8英寸SiC襯底發(fā)展進(jìn)程
-中國(guó)SiC襯底產(chǎn)線情況
-中國(guó)SiC襯底產(chǎn)能預(yù)測(cè)
-中國(guó)SiC襯底供應(yīng)商產(chǎn)能份額
-中國(guó)SiC襯底生產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商情況 – 晶體生長(zhǎng)
-中國(guó)SiC襯底生產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商情況 – 晶錠切割

三、中國(guó)SiC外延片市場(chǎng)分析

-SiC外延片成本結(jié)構(gòu)分析
-中國(guó)SiC外延片供應(yīng)商業(yè)務(wù)布局
-中國(guó)SiC外延片產(chǎn)線情況
-中國(guó)SiC外延片供應(yīng)商產(chǎn)能份額
-中國(guó)SiC外延設(shè)備供應(yīng)商產(chǎn)品情況
-中國(guó)SiC外延設(shè)備主要供應(yīng)格局

四、中國(guó)SiC功率元件市場(chǎng)分析

-SiC功率元件成本結(jié)構(gòu)分析
-中國(guó)SiC功率元件主要供應(yīng)格局
-中國(guó)SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模
-中國(guó)SiC功率元件供應(yīng)商市場(chǎng)份額
-中國(guó)SiC功率元件供應(yīng)商產(chǎn)品情況
-中國(guó)車用SiC功率模塊發(fā)展情況
-中國(guó)車用SiC功率模塊供應(yīng)商市場(chǎng)份額
-中國(guó)SiC晶圓產(chǎn)線情況 – IDM & Foundry
-中國(guó)SiC芯片制造商產(chǎn)能份額 – IDM & Foundry
-中國(guó)SiC晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商情況
-中國(guó)SiC功率模塊封裝材料及設(shè)備供應(yīng)商情況

五、主要廠商動(dòng)態(tài)分析

-三安光電
-華大半導(dǎo)體
-比亞迪
-天科合達(dá)
-天岳先進(jìn)
-瀚薪科技
-清純半導(dǎo)體
-瞻芯電子
-派恩杰半導(dǎo)體
-泰科天潤(rùn)
-基本半導(dǎo)體
-瑞能半導(dǎo)體
-長(zhǎng)飛先進(jìn)
-愛(ài)仕特
-芯聚能
-芯粵能

根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來(lái)看，中國(guó)的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達(dá)42.4%，接續(xù)為襯底片制造業(yè)及外延片制造業(yè)。

對(duì)于SiC襯底及外延材料環(huán)節(jié)，中國(guó)廠商已逐漸贏得海外領(lǐng)先業(yè)者的認(rèn)可，并在供應(yīng)鏈中享有可觀的份額，尤其體現(xiàn)在外延片環(huán)節(jié)。須留意的是，在SiC晶體厚度與一致性指標(biāo)上，本土廠商仍需付出諸多努力，以期實(shí)現(xiàn)在汽車電驅(qū)系統(tǒng)等更多高端場(chǎng)景中的應(yīng)用。當(dāng)前中國(guó)正在展開大規(guī)模的SiC材料擴(kuò)產(chǎn)行動(dòng)，TrendForce集邦咨詢預(yù)估2023年中國(guó)N-Type SiC襯底產(chǎn)能（折合6英寸）可達(dá)1020Kpcs，其中以天科合達(dá)份額續(xù)居首位。

隨著新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等下游市場(chǎng)的快速爆發(fā)，中國(guó)的SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模正在迅速擴(kuò)大。據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來(lái)看，光伏儲(chǔ)能為中國(guó)SiC市場(chǎng)最大應(yīng)用場(chǎng)景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。當(dāng)然，汽車市場(chǎng)作為未來(lái)發(fā)展主軸，即將超越光伏儲(chǔ)能應(yīng)用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在此情況下，中國(guó)已有約70家廠商切入SiC功率元件業(yè)務(wù)，整體市場(chǎng)進(jìn)入高度競(jìng)爭(zhēng)階段。尤其針對(duì)低階二極管，不少?gòu)S商深感無(wú)力而陸續(xù)退出，進(jìn)一步聚焦凸顯核心競(jìng)爭(zhēng)力的MOSFET業(yè)務(wù)。

再觀察SiC晶圓產(chǎn)線情況，據(jù)TrendForce集邦咨詢不完全統(tǒng)計(jì)，截至3Q23，中國(guó)已有約24家廠商涉足SiC晶圓制造。其中IDM廠商15家，7家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；Foundry廠商9家，5家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。以各家晶圓產(chǎn)能來(lái)看，三安光電與積塔半導(dǎo)體分別位居IDM與Foundry廠商首位。

整體來(lái)看，盡管中國(guó)SiC晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)張的步伐仍在繼續(xù)，但有效的MOSFET產(chǎn)能并不理想。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)2022年由中國(guó)廠商釋放的SiC MOSFET晶圓產(chǎn)能尚不足全球10%，不過(guò)這一情況預(yù)計(jì)自4Q23開始會(huì)有所好轉(zhuǎn)。

以下為TrendForce集邦咨詢《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part2》報(bào)告目錄：

（文：集邦咨詢）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

在數(shù)字化浪潮下，半導(dǎo)體已是云端與各式終端設(shè)備不可或缺的關(guān)鍵組件，其中云端運(yùn)算平臺(tái)、智能型手機(jī)與個(gè)人計(jì)算機(jī)搭載的運(yùn)算和儲(chǔ)存單元，更是多元數(shù)字應(yīng)用持續(xù)升級(jí)、擴(kuò)展、深化的推手之一。

如今搭載于云端、終端設(shè)備的運(yùn)算、儲(chǔ)存單元多是由硅（Si）制成，在半導(dǎo)體制程、封裝技術(shù)持續(xù)發(fā)展下，也讓Si芯片能滿足日益復(fù)雜的云端、終端應(yīng)用需求。

但在部分領(lǐng)域，Si芯片卻受限于物理特性，逐漸無(wú)法跟上應(yīng)用需求。首先是電動(dòng)車迅速崛起，電池取代燃油成為汽車的動(dòng)力來(lái)源，掀起一波動(dòng)力革新，此轉(zhuǎn)變讓汽車必須仰賴多種DC—DC轉(zhuǎn)換器、AC—DC 轉(zhuǎn)換器與主逆變器，而上述部件又須搭載耐高溫、耐高壓的功率半導(dǎo)體組件，方能有效率的運(yùn)作。

不過(guò)因Si的單位厚度擊穿電壓值僅0.3x107V／cm，在高壓下的工作穩(wěn)定度不佳，且因?yàn)槠淠芟吨禐?.1eV、熱導(dǎo)率僅1.5W／cm℃，亦不利在高溫環(huán)境下工作。為了突破Si材料的瓶頸，業(yè)界乃轉(zhuǎn)向化合物半導(dǎo)體，而具有耐高壓、耐高溫的碳化硅（SiC）也成為取代Si的首選。

除了動(dòng)力革新之外，再生能源系統(tǒng)的優(yōu)化亦促使SiC 組件逐步取代Si組件。為了加快實(shí)現(xiàn)碳中和，許多國(guó)家加速布建太陽(yáng)能、風(fēng)能等再生能源系統(tǒng)，但是在能源轉(zhuǎn)換效率難以顯著爬升的情況下，降低電力傳輸過(guò)程中的耗損以提高發(fā)電效率就成為目前主要的努力方向。

由于SiC的物理特性能有效降低發(fā)熱與能源耗損，因此搭載SiC 組件的電力相關(guān)設(shè)備如逆變器、DC—DC轉(zhuǎn)換器、AC—DC轉(zhuǎn)換器，也比搭載Si組件的設(shè)備更能優(yōu)化電力傳輸效率，成為主要的替代方案。

未來(lái)將有更多工業(yè)機(jī)電設(shè)備、交通設(shè)施、儲(chǔ)能設(shè)備導(dǎo)入搭載SiC組件的逆變器、DC—DC轉(zhuǎn)換器或AC—DC轉(zhuǎn)換器；而GaN組件不僅見(jiàn)于快速充電、無(wú)線通信設(shè)備，亦將擴(kuò)大切入電動(dòng)車、電網(wǎng)、照明、雷射等領(lǐng)域。

主要章節(jié) ●●

1 動(dòng)力、能源與通訊革新下，SiC、GaN取Si而代之

2 龐大內(nèi)需讓中國(guó)本土供貨商更有發(fā)揮空間

3 中國(guó)本土SiC、GaN供應(yīng)鏈聚焦基板、磊晶與IDM

4 拓墣觀點(diǎn)

圖表資料 ●●

1 Si、SiC、GaN材料特性

2 SiC、GaN主要應(yīng)用領(lǐng)域

3 2022~2026年中國(guó)新能源車銷售量

4 2022年中國(guó)電力新增裝機(jī)類別占比

5 中國(guó)本土SiC、GaN供貨商舉要及其重點(diǎn)布局情況

一、概況

二、GaN Substrate/Epi-wafer市場(chǎng)分析
-GaN Substrate供應(yīng)商分布
-GaN Substrate技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
-GaN Substrate價(jià)格情況
-GaN Epi-wafer供應(yīng)商分布
-GaN Epi-wafer成本結(jié)構(gòu)分析
-GaN Epi-wafer供應(yīng)商產(chǎn)品線情況
-GaN MOCVD Reactor for Power Device

三、GaN Power Device市場(chǎng)分析
-GaN Power Device概況
-GaN Power Device發(fā)展現(xiàn)狀 – On Si
-GaN Power Device發(fā)展現(xiàn)狀 – On Sapphire
-GaN Power Device發(fā)展現(xiàn)狀 – Vertical GaN
-GaN Power Device發(fā)展現(xiàn)狀 – On Qst
-GaN Power Device供應(yīng)商分布
-GaN-on-Si Power Device成本結(jié)構(gòu)分析
-GaN-on-Si Power Device供應(yīng)鏈情形
-GaN-on-Si Power Device供應(yīng)商產(chǎn)品線情況
-GaN-on-Si Power Wafer Foundry情況
-GaN-on-Si Power Wafer產(chǎn)線情況
-GaN Power Wafer產(chǎn)能分析
-GaN Power Device市場(chǎng)規(guī)模
-GaN Power Device供應(yīng)商市場(chǎng)份額
-GaN Gate Driver情況

四、GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景分析
-GaN快充應(yīng)用概況
-GaN快充市場(chǎng)趨勢(shì) – 輸出功率
-GaN快充市場(chǎng)趨勢(shì) – 價(jià)值量分布
-GaN廠商于快充市場(chǎng)進(jìn)展
-GaN消費(fèi)電子市場(chǎng)規(guī)模
-GaN數(shù)據(jù)中心應(yīng)用概況
-GaN廠商于數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)進(jìn)展
-GaN數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)規(guī)模
-GaN汽車應(yīng)用概況
-GaN汽車市場(chǎng)趨勢(shì)
-GaN廠商于汽車市場(chǎng)進(jìn)展
-GaN汽車市場(chǎng)規(guī)模

五、主要廠商動(dòng)態(tài)分析
-Transphorm
-EPC
-Power integrations
-Navitas
-GaN Systems & Infineon
-STM
-英諾賽科
-鎵未來(lái)
-……

獲取報(bào)告：王春勝（深圳）
手機(jī)：+86-13825284100（微信同號(hào)）
郵箱：Perrywang@trendforce.cn

出刊日期: 2023年06月20日

一、概況

二、SiC襯底市場(chǎng)分析

-概況
-SiC襯底廠商分布
-SiC襯底成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC襯底技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
-SiC襯底生產(chǎn)設(shè)備情況
-SiC襯底價(jià)格趨勢(shì)
-SiC襯底尺寸趨勢(shì)
-SiC襯底主要供應(yīng)格局
-全球SiC襯底產(chǎn)能預(yù)測(cè)
-中國(guó)SiC襯底產(chǎn)線布局
-中國(guó)主要SiC襯底廠商產(chǎn)能預(yù)測(cè)

三、SiC外延片市場(chǎng)分析

-SiC外延片廠商分布
-SiC外延片成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC外延片廠商業(yè)務(wù)布局
-SiC外延片主要供應(yīng)格局
-SiC外延反應(yīng)器情況
-SiC外延反應(yīng)器供應(yīng)商動(dòng)態(tài)

四、SiC功率元件市場(chǎng)分析

-概況
-SiC功率元件廠商分布
-SiC功率元件成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC功率元件生產(chǎn)設(shè)備情況—芯片制程
-SiC功率元件生產(chǎn)設(shè)備情況—模塊封裝
-SiC功率元件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
-SiC功率元件廠商產(chǎn)品線情況
-SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模
-SiC功率元件供應(yīng)商市場(chǎng)份額
-IDM前道產(chǎn)線情況
-SiC foundry概況
-SiC foundry產(chǎn)能預(yù)測(cè)
-中國(guó)SiC foundry動(dòng)態(tài)

五、車用SiC市場(chǎng)分析

-全球新能源汽車市場(chǎng)狀況
-SiC車用組件概況
-SiC車用組件價(jià)值占比
-SiC搭載進(jìn)展
-800V系統(tǒng)滲透率
-車用SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模
-車用SiC功率元件主要供應(yīng)格局
-車用市場(chǎng)SiC晶圓需求預(yù)測(cè)
-中國(guó)車用SiC進(jìn)展—SiC MOSFET
-中國(guó)車用SiC進(jìn)展—SiC Module

六、主要廠商動(dòng)態(tài)分析

（Wolfspeed、Infineon、ST、On Semi、ROHM、Bosch、X-FAB、Coherent、比亞迪、天科合達(dá)、三安光電、芯聚能、瞻芯……）

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