– 01 -AI應(yīng)用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄

AI技術(shù)的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應(yīng)對更高端的AI運算，服務(wù)器電源的效能、功率密度必須進一步提高，GaN已成為關(guān)鍵解決技術(shù)之一。臺達為全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商，市占率近5成。觀察其服務(wù)器電源的進階過程，功率密度在過去10年里由33.7W/in3上升至100.3W/in3，同時功率等級來到了3.2kW甚及5.5kW，而下一代預(yù)計將達到8 kW以上。
TrendForce集邦咨詢研究表明，2024年AI服務(wù)器占整體服務(wù)器出貨的比重預(yù)估將達12.2%，較2023年提升約3.4%，而一般型服務(wù)器出貨量年增率僅有1.9%。

為了搶占商機，英飛凌與納微半導(dǎo)體均在今年公布了針對AI數(shù)據(jù)中心的技術(shù)路線圖。英飛凌表示，將液冷技術(shù)與GaN相結(jié)合，在較低結(jié)溫下具有明顯的優(yōu)勢，為數(shù)據(jù)中心提供了巨大的機會，可以最大程度地提高效率，滿足不斷增長的電力需求，并克服服務(wù)器發(fā)熱量不斷增加所帶來的挑戰(zhàn)。

– 02 -電機驅(qū)動場景，GaN高頻特性潛力凸顯

在機器人等電機驅(qū)動場景，GaN的應(yīng)用潛力逐漸浮現(xiàn)。相對工業(yè)機器人，人形機器人（Humanoid Robot）由于自由度（Degrees of Freedom, DoF）急劇上升，對電機驅(qū)動器的需求量大幅增加。人形機器人的關(guān)節(jié)模組承擔(dān)了主要的發(fā)力與制動任務(wù)，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機驅(qū)動器，GaN因此受到市場關(guān)注，特別是在腿部等負載較高的部位。
德州儀器、EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換）持續(xù)推動著GaN于電機驅(qū)動領(lǐng)域的應(yīng)用，并不斷吸引新玩家進入。未來的機器人定會超乎想象，而精確、快速和強大的運動能力是其中之關(guān)鍵，驅(qū)動其運動所需的電機也勢必隨之進步，GaN將因此受益。

– 03 -GaN為汽車功率電子提供新方案

相對于SiC在汽車產(chǎn)業(yè)的繁榮景象，GaN汽車應(yīng)用亦不斷吸引著業(yè)界關(guān)注，其中車載充電機(OBC)被視為最佳突破點。第一個符合汽車AEC-Q101標準的功率GaN產(chǎn)品在2017年由Transphorm（現(xiàn)Renesas-瑞薩電子）發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出豐富的汽車級產(chǎn)品。
整體而言，雖然GaN進入Inverter、OBC等動力系統(tǒng)組件還面臨著多個技術(shù)問題，但相信在英飛凌、瑞薩等汽車芯片大廠的持續(xù)投資推動下，GaN不久就會成為汽車功率組件中的關(guān)鍵角色。

– 04 -消費電子仍是GaN的主戰(zhàn)場

消費電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領(lǐng)域。
具體而言，GaN已經(jīng)在低功率的手機快速充電器中被大規(guī)模采用，下一步GaN將進入可靠性要求更為嚴格的筆電、家電電源。另外，其他蘊藏潛力的消費場景包括Class-D Audio、Smartphone OVP等。

TrendForce集邦咨詢認為，功率GaN產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時刻，幾大潛力應(yīng)用同步推動著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長。同時，為了進入更為復(fù)雜的大功率、高頻化場景，GaN在可靠性基礎(chǔ)上有望引入新結(jié)構(gòu)、新工藝，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動能。另外，從產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程來看，F(xiàn)abless（無晶圓廠）公司在過去一段時間里表現(xiàn)較為活躍，但隨著產(chǎn)業(yè)不斷整合以及應(yīng)用市場逐步打開，未來將看到傳統(tǒng)IDM（集成器件制造）大廠的話語權(quán)顯著上升，為產(chǎn)業(yè)格局的未來圖景帶來新的重大變數(shù)。（文：TrendForce集邦咨詢）

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2023年全球SiC功率元件營收市占率

TrendForce集邦咨詢分析，2024年來自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著大增，然而，純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應(yīng)鏈，預(yù)計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。

ST

作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFET供應(yīng)商，ST正在意大利卡塔尼亞打造一座全流程SiC工廠，預(yù)計2026年投產(chǎn)。此外，ST與三安光電在中國成立的8英寸SiC合資工廠有望最快在今年年底通線，屆時ST可結(jié)合位于當(dāng)?shù)氐暮蠖畏鉁y產(chǎn)線以及三安光電提供的配套襯底材料工廠，達到垂直整合效益。

onsemi

onsemi近年來SiC業(yè)務(wù)進展迅速，這主要歸功于其車用EliteSiC系列產(chǎn)品。onsemi位于韓國富川的SiC晶圓廠在2023年完成擴建，并計劃在2025年完成相關(guān)技術(shù)驗證后轉(zhuǎn)為8英寸。自完成對GTAT收購后，目前onsemi的SiC襯底材料自給率已超過50%，隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升，公司正在朝著毛利率達到50%的目標前進。

Infineon

Infineon的SiC營收近一半來自于工業(yè)市場，其馬來西亞居林工廠的主要客戶 SolarEdge陷入困境，對Infineon營運產(chǎn)生沖擊。相較之下，Infineon的汽車業(yè)務(wù)發(fā)展較為穩(wěn)健，例如近期小米SU7的design win，另外過去相對落后的產(chǎn)能建設(shè)進度反倒讓其在市場逆風(fēng)中處于有利地位。相較于其他幾家領(lǐng)先的SiC IDM廠商，Infineon缺少SiC晶體材料的內(nèi)部生產(chǎn)能力，因此積極推動多元化供應(yīng)商體系，以確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

Wolfspeed

Wolfspeed在過去兩年里錯失了一些市場機會，功率元件業(yè)務(wù)市占有所下滑。不過Wolfspeed仍然是全球最大的SiC材料供應(yīng)商，特別是汽車級 MOSFET襯底，并在8英寸領(lǐng)域具備先發(fā)優(yōu)勢。隨著Wolfspeed的The JP工廠即將投產(chǎn)，有望顯著提高材料產(chǎn)能，并推動莫霍克谷工廠（MVF）的投產(chǎn)進程。

ROHM

ROHM近期收購了Solar Frontier的國富町工廠作為其第四個SiC工廠，并計劃在今年開始生產(chǎn)8英寸SiC襯底，后續(xù)亦將投入功率元件的制造。ROHM與Vitesco Technologies、馬自達、吉利汽車等車廠及Tier1建立了長期的合作關(guān)系，并加速新一代功率模塊開發(fā)，盼借此帶動市占率的提升。

TrendForce集邦咨詢認為，整體而言，SiC正處于一個快速成長和高度競爭的市場，規(guī)模經(jīng)濟比任何其他因素更為重要。領(lǐng)先的IDM廠商紛紛一改過去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài)，轉(zhuǎn)而積極投資SiC擴張計劃，期望建立領(lǐng)導(dǎo)地位。截至目前，全球已有超過10家廠商正在投資建設(shè)8英寸SiC晶圓廠。可以預(yù)見，未來隨著市場規(guī)模不斷擴大，SiC領(lǐng)域的競爭也將更為激烈。（文：TrendForce集邦咨詢）

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其中，純電車(BEV)的牽引逆變器裝機量占比為48%，季減5%；而油電混合動力車(HEV)及插電混合式電動車(PHEV)的牽引逆變器裝機量則從47%提高至52%。從數(shù)據(jù)上的此消彼漲可看出，里程焦慮問題目前仍為消費者購車時的優(yōu)先考量。

從第一季電動車各電壓區(qū)間的牽引逆變器裝機量來看，由于混動車型的增長，電壓≤300V的牽引逆變器裝機量占比達36%，季增2%；而純電車的衰退，導(dǎo)致電壓>300V≤550V的裝機量占比季減1%，下降至55%，>550V的裝機量占比為9%，與上季持平。雖然各區(qū)間占比略有波動，市場主流電壓區(qū)間仍為>300V≤550V。

供應(yīng)鏈方面，在中國國產(chǎn)替代的戰(zhàn)略下，全球前五大的牽引逆變器Tier 1中，已有比亞迪及匯川技術(shù)兩家中國企業(yè)。其中，比亞迪的逆變器屬于自研自產(chǎn)產(chǎn)品，用于自家車型，匯川技術(shù)深耕理想、小鵬、小米等新創(chuàng)新能源車廠。

此外，華為的市占率已連續(xù)三季季增1%，未來能否進入前五大供應(yīng)商值得觀察。整體而言，第一季包含比亞迪與匯川技術(shù)在內(nèi)的中國占比為34%，由歐美日Tier 1主導(dǎo)牽引逆變器的局面已被打破。

由于里程焦慮為結(jié)構(gòu)性因素，加上地緣政治影響，消費者在購買BEV時可能仍采取較保守的態(tài)度，或轉(zhuǎn)而購買混動車型。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)估，BEV第二季的牽引逆變器裝機量可能持平或最多小幅增長，純電車型與混動車型將以均分的形式持續(xù)推動牽引逆變器裝機量。整體來看，第二季牽引逆變器市場將告別淡季，小幅回暖，預(yù)估裝機量季增約10%至20%。（來源：TrendForce集邦咨詢）

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Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1Q24更迎來了四年來首次季度銷量同環(huán)比下滑，這讓 SiC供應(yīng)鏈面臨短期壓力。不過，從長遠發(fā)展角度來看，隨著800V系統(tǒng)滲透率持續(xù)提升，以及SiC供應(yīng)鏈成本不斷優(yōu)化， SiC在汽車市場發(fā)展前景依舊光明。作為汽車電動化轉(zhuǎn)型中最閃耀的明星之一，SiC一直處于風(fēng)口浪尖，這從最近中國兩大汽車品牌智己和小米之間的爭吵中顯而易見。

SiC市場始終熱情不減，在過去的2023年里，并購案例如Bosch 透過收購TSI Semiconductors的關(guān)鍵資產(chǎn)來加速8英寸SiC晶圓生產(chǎn)，以及Veeco收購Epiluvac AB切入 SiC外延設(shè)備市場。另外，Renesas與Wolfspeed簽訂10年的SiC材料供應(yīng)協(xié)議，亦凸顯了新進入者之決心。

襯底材料的供應(yīng)緊缺問題是過去幾年中限制SiC市場發(fā)展的主要因素，洶涌的擴產(chǎn)潮隨之而來，在此期間中國供應(yīng)商迅速崛起，并進入全球前三。不過，瘋狂的產(chǎn)能擴張背后亦蘊藏著價格和產(chǎn)能過剩風(fēng)險，生產(chǎn)商們必須加以重視并積極調(diào)整應(yīng)對。在此情況下，Infineon等IDM大廠在確保穩(wěn)定的材料供應(yīng)后，已將更多注意力轉(zhuǎn)移到元件、封裝和應(yīng)用技術(shù)上，這是未來關(guān)鍵競爭力之所在。

總的來說，SiC正處于一個快速成長和高度競爭的市場，規(guī)模經(jīng)濟比任何其他因素更為重要。領(lǐng)先的IDM廠商紛紛一改過去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài)，轉(zhuǎn)而激進投資SiC擴張計劃，期望建立領(lǐng)導(dǎo)地位?？梢灶A(yù)見，未來隨著市場規(guī)模不斷擴大，SiC領(lǐng)域的競爭將愈發(fā)激烈。（文：TrendForce集邦咨詢）

《2024 全球SiC Power Device市場分析報告》

語系：簡體中文 丨 格式：PDF 丨 頁數(shù)：約70頁

一、概況
-全球SiC產(chǎn)業(yè)格局
-全球SiC供應(yīng)鏈現(xiàn)狀
-全球SiC產(chǎn)業(yè)并購動態(tài)
-全球主要SiC廠商業(yè)務(wù)布局

二、SiC Substrate市場分析
-SiC Substrate廠商分布
-SiC Substrate成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC Substrate價格趨勢
-SiC Substrate尺寸趨勢
-8-inch SiC Substrate進展
-SiC Substrate技術(shù)創(chuàng)新
-SiC Substrate供應(yīng)商營收份額
-SiC Substrate市場規(guī)模
-SiC Substrate供應(yīng)格局
-SiC Substrate產(chǎn)能預(yù)測

三、SiC Epitaxial Wafer市場分析
-SiC Epitaxial Wafer廠商分布
-SiC Epitaxial Wafer成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC Epitaxial Wafer供應(yīng)商業(yè)務(wù)布局
-SiC Epitaxial Wafer供應(yīng)商營收份額
-SiC Epitaxial Wafer市場規(guī)模
-SiC Epitaxial Reactor市場規(guī)模

四、SiC Power Device市場分析
-SiC Power Device廠商分布
-SiC Power Device成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC MOSFET技術(shù)發(fā)展趨勢
-SiC Power Device供應(yīng)商產(chǎn)品線情況
-SiC Power Device供應(yīng)商營收份額
-SiC Power Device市場規(guī)模
-8-inch SiC Wafer Fab情況
-SiC Wafer Foundry情況

五、車用SiC市場分析
-全球新能源汽車市場狀況
-SiC車用組件概況
-車用SiC供應(yīng)鏈狀況
-汽車主逆變器功率模組發(fā)展趨勢
-汽車主逆變器SiC搭載進程
-汽車主逆變器SiC供應(yīng)格局
-800V系統(tǒng)滲透率預(yù)測
-車用市場SiC晶圓需求預(yù)測
-車用功率半導(dǎo)體市場份額(Si/SiC/GaN)

六、主要SiC廠商分析
-Wolfspeed
-Infineon
-ST
-onsemi
-ROHM
-Bosch
-Coherent
-Resonac
-X-FAB

七、中國SiC市場動態(tài)
-中國SiC供應(yīng)鏈現(xiàn)狀
-中國主要SiC廠商業(yè)務(wù)布局
-中國SiC產(chǎn)線情況-Substrate & Epitaxy
-中國SiC產(chǎn)線情況 – Wafer Fab
-中國SiC生產(chǎn)設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀
-中國車用SiC產(chǎn)業(yè)近況
-主要廠商動態(tài)分析

2023年消費性電子產(chǎn)品導(dǎo)入3D感測的品牌包含Apple（手機、平板電腦）、Honor（手機）、Meta Quest 3、Magic Leap 2。iPhone 15 Pro 采用Sony堆疊結(jié)構(gòu)技術(shù)，將 VCSEL及驅(qū)動 IC、SPAD及ISP（ASIC Chip）以堆疊結(jié)構(gòu)使系統(tǒng)尺寸大幅減少，并同時實現(xiàn)高速回應(yīng)和高輸出功率，在相同功率下提供更好的光達掃描（LiDAR Scanner）性能，拉長電池續(xù)航時間，同時提高相機和擴增實境的性能。

受惠于Apple 計劃 2024年導(dǎo)入MetaLens技術(shù)，以縮小發(fā)射元件（Transmitters）體積，計劃于2027年采用全屏下3D感測（Under-Display 3D Sensing）技術(shù)，以提升顯示屏占比，由于屏下3D感測采用短波紅外線VCSEL（SWIR VCSEL），不僅可降低太陽光及環(huán)境光干擾，也較不易產(chǎn)生白點現(xiàn)象。藉由導(dǎo)入短波紅外線VCSEL（SWIR VCSEL）技術(shù)，帶動VCSEL價格上升。根據(jù) TrendForce集邦咨詢調(diào)查，1,130nm VCSEL于2023下半年已可達到PCE>30%，其中以艾邁斯歐司朗（ams OSRAM）的 1,130nm VCSEL有絕對優(yōu)異的產(chǎn)品表現(xiàn)。

而隨著Apple Vision Pro 將于2024年正式出貨，采用結(jié)構(gòu)光（Structured Light）、直接式飛時測距（dToF）、主動式雙目視覺（Active Stereo Vision），共三項3D感測技術(shù)。加上 Sony、Meta、Microsoft、Google 等品牌廠商持續(xù)推出 擴增/虛擬實境產(chǎn)品，也將穩(wěn)定帶動 3D 感測市場需求。預(yù)估至2028年消費性電子3D感測VCSEL市場產(chǎn)值上看14.04億美元，2023~2028年復(fù)合成長率約11%。（文：TrendForce集邦咨詢）

集邦咨詢 2024紅外線感測市場分析報告

出刊時間: 2024年 01 月 01 日
文件格式: PDF
報告語系: 繁體中文 /英文
頁數(shù): 162

展望第四季，在年底節(jié)慶預(yù)期心理下，智能手機、筆電供應(yīng)鏈備貨急單有望延續(xù)，又以智能手機的零部件拉貨動能較明顯。盡管終端尚未全面復(fù)蘇，但中國Android陣營手機年底銷售季前備貨動能略優(yōu)于預(yù)期，包括5G中低端、4G手機AP等，以及部分延續(xù)的Apple iPhone新機效應(yīng)，第四季全球前十大晶圓代工產(chǎn)值預(yù)期會持續(xù)向上，成長幅度應(yīng)會高于第三季。
臺積電3nm正式貢獻營收，第三季市占率上升至58%

臺積電（TSMC）受惠于PC、智能手機零部件如iPhone與Android新機，以及5G、4G中低端手機庫存回補急單助力，加上3nm高價制程正式貢獻營收，抵銷第三季晶圓出貨量下滑負面因素，第三季營收環(huán)比增長10.2%，達172.5億美元。其中3nm在第三季營收占比達6%，而臺積電整體先進制程（7nm含以下）營收占比已達近6成。三星晶圓代工事業(yè)（Samsung Foundry）受惠先進制程Qualcomm中低端5G AP SoC、Qualcomm 5G modem，及成熟制程28nm OLED DDI等訂單加持，第三季營收達36.9億美元，環(huán)比增長14.1%。

格芯（GlobalFoundries）第三季晶圓出貨和平均銷售單價持平第二季，故營收也與第二季相近，約18.5億美元。第三季營收支撐主力來自于家用和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域（Home and Industrial IoT），其中美國航天與國防訂單占比約20%。聯(lián)電（UMC）受惠于急單支撐，大致抵銷車用訂單的修正，整體晶圓出貨仍小幅下跌、營收微幅環(huán)比減少1.7%，約18億美元，其中28/22nm營收季增近一成、占比上升至32%。

中芯國際（SMIC）同樣受惠于消費性產(chǎn)品季節(jié)性因素，尤以智能手機相關(guān)急單為主，第三季營收環(huán)比增長3.8%，達16.2億美元。由于供應(yīng)鏈持續(xù)有分流趨勢，同時中國本土客戶基于本土化號召回流、及智能手機零部件備貨急單，營收占比增長至84%。
IFS首次進榜，第三季營收成長幅度居冠

第六至第十名最大變化在于世界先進（VIS）、IFS（Intel Foundry Service）排名上升，且IFS是自Intel財務(wù)拆分后首度擠進全球前十名。世界先進（VIS）第三季因應(yīng)LDDI庫存已落至健康水位，LDDI與面板相關(guān)PMIC投片逐步復(fù)蘇，以及部分預(yù)先生產(chǎn)的晶圓（Prebuild）出貨，營收環(huán)比增長3.8%，達3.3億美元，排名首度超越力積電（PSMC），上升至第八名。IFS則受惠于下半年筆電拉貨季節(jié)性因素，加上自身先進高價制程貢獻，第三季營收環(huán)比增長約34.1%，約3.1億美元。

其余業(yè)者如華虹集團（HuaHong Group）第三季營收環(huán)比減少9.3%，約7.7億美元。旗下HHGrace雖晶圓出貨大致與前季持平，但為維持客戶投片啟動讓價，平均銷售單價季減約一成，導(dǎo)致營收下跌。高塔半導(dǎo)體受惠季節(jié)性因素，在智能手機、車用/工控領(lǐng)域相關(guān)半導(dǎo)體需求相對穩(wěn)定，第三季營收約3.6億美元，大致持平第二季。力積電第三季營收環(huán)比減少7.5%，約3.1億美元，其中PMIC與Power Discrete營收分別季減近一成與近兩成，影響整體營運表現(xiàn)。

文：TrendForce集邦咨詢

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從全球晶圓代工趨勢洞悉AI應(yīng)用發(fā)展

消費性電子產(chǎn)品需求隨著全球景氣低迷而委靡不振，而AI應(yīng)用帶動HPC芯片需求逆勢大幅成長。除采用現(xiàn)有芯片供應(yīng)商解決方案外，客制化自研芯片趨勢也已崛起，高速運算應(yīng)用成為先進制程最大驅(qū)動力。然而，先進制程產(chǎn)能過度集中也引發(fā)國際客戶的擔(dān)憂，據(jù)TrendForce集邦咨詢資料顯示，截至2024年底，全球仍有超過70%的先進制程產(chǎn)能位于臺灣地區(qū)。在地緣風(fēng)險下，各國以優(yōu)渥的補貼政策吸引晶圓廠前往當(dāng)?shù)卦O(shè)廠，臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體關(guān)鍵地位及產(chǎn)能版圖變化成為供應(yīng)鏈關(guān)注重點。

全球服務(wù)器市場變化下的臺廠機遇與挑戰(zhàn)

2023年在全球性通脹壓力持續(xù)下，無論是Server OEMs或CSPs均持續(xù)盤整供應(yīng)鏈庫存與調(diào)整年度出貨與ODMs生產(chǎn)計劃，使得2023年服務(wù)器市場呈現(xiàn)近年的首度衰退。展望2024年，全球經(jīng)濟態(tài)勢不確定性仍高，加上CSPs對于AI投資力道增強，預(yù)期服務(wù)器投資將呈現(xiàn)與今年相仿的排擠效應(yīng)，導(dǎo)致服務(wù)器出貨規(guī)模受到抑制。

搶攻生成式AI版圖：AI服務(wù)器市場預(yù)測及供應(yīng)鏈動態(tài)解析

2023年隨ChatBOT等應(yīng)用帶動AI Server蓬勃發(fā)展，又以CSPs如Microsoft、Google、AWS等積極投入，TrendForce集邦咨詢預(yù)期2023年AI服務(wù)器（含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量逾120萬臺，年增38%，2024年將再成長逾33%，AI占比將突破雙位數(shù)達近12%。市場又以NVIDIA 高端AI芯片如A100、H100需求成長明顯，2023年出貨量上修至年增逾7成，2024年將再成長近8成，另大型CSPs逐步擴大自研ASIC亦值得關(guān)注，尤以Google、AWS于2023~2024年將扮領(lǐng)頭角色。預(yù)期在AI Server成長趨勢下，亦帶動供應(yīng)鏈如存儲器、ODM/OEM、PSU等往高規(guī)格發(fā)展。

AI浪潮推動HBM需求大躍進

HBM是高端AI芯片上搭載的存儲器，屬于DRAM中的一個類別，主要由三大供應(yīng)商三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）與美光（Micron）供應(yīng)。隨著AI熱潮帶動AI芯片需求，對HBM需求量在2023年與2024年也隨之提升，促使原廠也紛紛加大HBM產(chǎn)能，展望2024年，HBM供給情況可望大幅改善。而以規(guī)格而言，伴隨AI芯片需要更高的效能，HBM主流也將在2024年移轉(zhuǎn)至HBM3與HBM3e。整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價格高于前代產(chǎn)品的情形下，2024年HBM營收可望有顯著的成長。

2024全球汽車市場展望：電動車戰(zhàn)國時代來臨

中國車廠有不得不出海擴張的壓力，內(nèi)需有限下，海外市場是其生存下去的必要條件，2024年預(yù)期中國品牌收斂會持續(xù)進行。國際車廠在電動化進展上呈現(xiàn)分岐，落后的車廠陷入平臺開發(fā)緩慢和車價缺乏競爭力的困境，若無法盡快擺脫內(nèi)部問題，將逐漸被市場邊緣化。供應(yīng)鏈分散化是另一項考驗，美國電動車補貼除了要求在地化組裝外，還限制電池關(guān)鍵礦物及電池零組件產(chǎn)地，而兩者的價值比重分別在2024年將提高至50%、60%，各國在地化策略促使車廠、供應(yīng)商須于各地設(shè)廠，在利率與通脹皆高的時期，每一項投資都是步步為營。

EV動力效能提升，第三代半導(dǎo)體扮演關(guān)鍵角色

2024年新能源車(BEV與PHEV)將持續(xù)推動電動車（HEV、PHEV、BEV、FCV）市場成長。隨著新能源車逐漸走向NEP（New Electric Platform）平臺化生產(chǎn)，更緊湊及高效的動力設(shè)計成為車廠的核心競爭力。第三代半導(dǎo)體因有著較小的尺寸及較低的損耗成為提高動力能源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵零件，在主驅(qū)逆變器需求的帶領(lǐng)下，TrendForce集邦咨詢預(yù)測2024年SiC芯片的需求年成長約40%。面對車廠更進階的技術(shù)路線下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的IDM廠除了積極擴產(chǎn)外也將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo)該產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革新。

車艙智能推手：前進車用面板新紀元

隨著全球車市的逐步回溫，以及車廠對車內(nèi)顯示功能的越發(fā)重視，車用面板需求在這幾年將呈現(xiàn)逐年攀升的趨勢。除了量的增加外，對車用面板的規(guī)格升級要求也越來越多，因此可以觀察到在尺寸持續(xù)放大之外，對于亮度，分辨率，對比度等規(guī)格的提升也越來越明顯。此外，車用顯示面板逐漸從a-Si LCD朝LTPS LCD發(fā)展，AMOLED面板搶進車用市場的態(tài)度也越來越積極，MiniLED BLU搭配LCD也開始切入車用市場，預(yù)期將與AMOLED面板正面競爭車廠未來幾年的新案。也由于車用面板尺寸持續(xù)放大，驅(qū)動IC與觸控IC架構(gòu)朝向TDDI發(fā)展配合In-Cell的趨勢已確認，也將是所有驅(qū)動IC廠商接下來的兵家必爭之地。

全球車用LED市場趨勢：照明與Micro/Mini LED新型顯示應(yīng)用

全球經(jīng)濟疲弱，車廠透過降價刺激買氣，也讓整體車市進入價格競爭循環(huán)，也導(dǎo)致車用LED價格明顯下跌。自適應(yīng)性頭燈（ADB Headlight）、MiniLED尾燈、貫穿式尾燈、標識燈、氛圍燈等先進技術(shù)仍有望推升2023年車用LED市場規(guī)模。隨著高動態(tài)對比、區(qū)域調(diào)光、廣色域、曲面設(shè)計等趨勢，MiniLED / HDR車用顯示推廣車廠包含通用汽車、福特、BMW、蔚來、榮威、理想等。Micro LED車用透明顯示屏做為對外廣告、對內(nèi)信息顯示，應(yīng)用于未來智能汽車，預(yù)期將于2026-2027年將導(dǎo)入車用市場。

串聯(lián)環(huán)境、車、人的關(guān)鍵：車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展解析

隨著3GPP在Release 17中對網(wǎng)絡(luò)覆蓋性、移動性與可靠性深化5G技術(shù)，加上全球5G基站快速擴展下，帶動車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，透過5G網(wǎng)絡(luò)進行車輛間聯(lián)網(wǎng)、路側(cè)設(shè)備和行人與車輛聯(lián)網(wǎng)等。預(yù)計在2028年達到90%車聯(lián)網(wǎng)覆蓋，主要由進階聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與資安解決方案驅(qū)動車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)成長；加上芯片大廠高通近期收購Autotalks后成為車聯(lián)網(wǎng)市場領(lǐng)導(dǎo)者，預(yù)計推出多樣化車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。（文：集邦咨詢）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，中國的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達42.4%，接續(xù)為襯底片制造業(yè)及外延片制造業(yè)。

對于SiC襯底及外延材料環(huán)節(jié)，中國廠商已逐漸贏得海外領(lǐng)先業(yè)者的認可，并在供應(yīng)鏈中享有可觀的份額，尤其體現(xiàn)在外延片環(huán)節(jié)。須留意的是，在SiC晶體厚度與一致性指標上，本土廠商仍需付出諸多努力，以期實現(xiàn)在汽車電驅(qū)系統(tǒng)等更多高端場景中的應(yīng)用。當(dāng)前中國正在展開大規(guī)模的SiC材料擴產(chǎn)行動，TrendForce集邦咨詢預(yù)估2023年中國N-Type SiC襯底產(chǎn)能（折合6英寸）可達1020Kpcs，其中以天科合達份額續(xù)居首位。

隨著新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等下游市場的快速爆發(fā)，中國的SiC功率元件市場規(guī)模正在迅速擴大。據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應(yīng)用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。當(dāng)然，汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應(yīng)用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在此情況下，中國已有約70家廠商切入SiC功率元件業(yè)務(wù)，整體市場進入高度競爭階段。尤其針對低階二極管，不少廠商深感無力而陸續(xù)退出，進一步聚焦凸顯核心競爭力的MOSFET業(yè)務(wù)。

再觀察SiC晶圓產(chǎn)線情況，據(jù)TrendForce集邦咨詢不完全統(tǒng)計，截至3Q23，中國已有約24家廠商涉足SiC晶圓制造。其中IDM廠商15家，7家實現(xiàn)量產(chǎn)；Foundry廠商9家，5家實現(xiàn)量產(chǎn)。以各家晶圓產(chǎn)能來看，三安光電與積塔半導(dǎo)體分別位居IDM與Foundry廠商首位。

整體來看，盡管中國SiC晶圓廠產(chǎn)能擴張的步伐仍在繼續(xù)，但有效的MOSFET產(chǎn)能并不理想。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計2022年由中國廠商釋放的SiC MOSFET晶圓產(chǎn)能尚不足全球10%，不過這一情況預(yù)計自4Q23開始會有所好轉(zhuǎn)。

以下為TrendForce集邦咨詢《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報告-Part2》報告目錄：

其中與化合物半導(dǎo)體相關(guān)的內(nèi)容為下面這一項：

1、材料與元件技術(shù)并進，氧化鎵商業(yè)化腳步漸近

隨著高壓、高溫、高頻等應(yīng)用場景的增加，氧化鎵（Ga?O?）作為一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，已經(jīng)被認為是下一代功率半導(dǎo)體元件的有力競爭者，特別是在電動汽車、電網(wǎng)系統(tǒng)、航空航天等領(lǐng)域。
相較于氣相生長的碳化硅與氮化鎵，氧化鎵單晶的制備可透過類似于硅單晶的熔融生長法來完成，因此擁有較大的降本潛力。

目前產(chǎn)業(yè)界已實現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的量產(chǎn)，并有望在未來幾年擴大至6英寸。
與此同時，基于氧化鎵材料的肖特基二極管與晶體管在結(jié)構(gòu)設(shè)計、制程等方面近年來亦取得了突破性的進展，首批肖特基二極管產(chǎn)品預(yù)計將于2024年投放市場，有望成為首個規(guī)模商用的氧化鎵功率元件。

即使氧化鎵仍存在導(dǎo)熱性差與P型摻雜的缺失等棘手挑戰(zhàn)，但相信隨著功率半導(dǎo)體巨頭的跟進，以及關(guān)鍵應(yīng)用的牽引，其商業(yè)化指日可待。

以下是更多2024年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點趨勢：

2、CSP加大AI投資，推升2024年AI服務(wù)器出貨成長逾38%
伴隨ChatBOT、生成式AI等在各應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)力，CSP業(yè)者如Microsoft、Google、AWS等加大AI投資力道，推升AI服務(wù)器（AI Server）需求上揚，TrendForce估算，2023年AI服務(wù)器（包含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量逾120萬臺，年增將達37.7%，占整體服務(wù)器出貨量達9%，2024年將再成長逾38%，AI服務(wù)器占比將逾12%。

除了NVIDIA與AMD的GPU解決方案外，大型CSP業(yè)者擴大自研ASIC芯片將成趨勢，Google自2023年下半加速自研TPU導(dǎo)入AI服務(wù)器，年成長將逾7成，2024年AWS亦將擴大采用自研ASIC，出貨量有望翻倍成長，其他如Microsoft、Meta等亦規(guī)劃擴展自研ASIC計劃，GPU部分成長潛力也因此受到侵蝕。
整體而言，2023~2024年主由CSP等業(yè)者積極投資帶動AI服務(wù)器需求成長，2024年后將延伸至更多應(yīng)用領(lǐng)域業(yè)者投入專業(yè)AI模型及軟件服務(wù)開發(fā)，帶動搭載中低階GPU（如L40S等系列）等邊緣AI Server成長，預(yù)期2023~2026年邊緣AI服務(wù)器出貨平均年成長率將逾兩成。

3、HBM3e將推升全年HBM營收年增達172%
隨著AI服務(wù)器（AI Server）建置熱潮，帶動了AI加速芯片需求，其中高頻寬存儲器（HBM）為加速芯片上的關(guān)鍵性DRAM產(chǎn)品。以規(guī)格而言，除了現(xiàn)有的市場主流HBM2e外，今年HBM3的需求比重亦隨著NVIDIA H100/H800以及AMD MI300系列的量產(chǎn)而提升。

展望2024年，三大存儲器廠商將進一步推出新一代高頻寬存儲器HBM3e，一舉將速度提升至8Gbps，提供2024~2025年新款A(yù)I加速芯片更高的性能表現(xiàn)。AI加速芯片市場除了Server GPU龍頭廠商NVIDIA、AMD外，CSP業(yè)者也加速開發(fā)自研AI芯片的腳步，產(chǎn)品共通點皆為搭載HBM。伴隨訓(xùn)練模型與應(yīng)用的復(fù)雜性增加，預(yù)期將帶動HBM需求大幅成長。HBM相比其他DRAM產(chǎn)品的平均單位售價高出數(shù)倍，預(yù)期2024年將對存儲器原廠的營收有明顯助力，預(yù)估2024年HBM營收年增長率將達172%。

4、AI芯片幕后推手，2024年先進封裝需求增，3D IC技術(shù)萌芽

半導(dǎo)體前段制程微縮逼近物理極限，先進制程領(lǐng)導(dǎo)廠商臺積電（TSMC）、三星（Samsung）及英特爾（Intel）除了尋求晶體管架構(gòu)的轉(zhuǎn)變，封裝技術(shù)的演進也已成為提升芯片效能、節(jié)省硬件使用空間、降低功耗及延遲的必要發(fā)展。TSMC及Samsung更先后在日本建立3D IC研發(fā)中心，凸顯封裝在半導(dǎo)體技術(shù)演進的重要性。

近年來，隨著Chatbot興起所帶動AI應(yīng)用蓬勃發(fā)展，協(xié)助整合運算芯片及存儲器，以提供AI強大算力的2.5D封裝技術(shù)需求也隨之大增。2.5D封裝主要透過前段制程提供硅中介層（Silicon Interposer），將數(shù)個不同功能及制程的芯片以并排的方式整合，再與PCB基板結(jié)合完成封裝。事實上，包含TSMC的CoWoS、Intel的EMIB、Samsung的I-Cube等2.5D封裝皆已發(fā)展數(shù)年，技術(shù)發(fā)展已趨于成熟并廣泛應(yīng)用于高效能芯片。

2024年各廠將致力提高2.5D封裝產(chǎn)能以滿足日漸升溫的AI等高算力需求，同時，3D封裝技術(shù)的發(fā)展也已萌芽。TSMC所提出的SoIC、Samsung的X-cube及Intel的FOVEROS皆已陸續(xù)發(fā)表，與2.5D封裝主要的差異在于，3D封裝去除了硅中介層，將不同功能的芯片以TSV(硅穿孔)的方式直接連接，降低封裝高度、縮短芯片之間的傳輸路徑、提高芯片運算速度。

除此之外，不同功能及制程的芯片如何有效整合以達到包含AI、自駕車等高算力、低延遲、低功耗需求，除了封裝技術(shù)的突破，芯片之間連接的方式、甚至用于連接的材料，都將是科技發(fā)展的關(guān)注重點。

5、2024年全球非地面網(wǎng)絡(luò)啟動小規(guī)模商用測試，加速非地面網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用普及

由于全球衛(wèi)星營運商Starlink與Oneweb衛(wèi)星布署數(shù)量穩(wěn)定增加，加上3GPP Release17與Release 18提供5G新空中界面（New Radio）在非地面網(wǎng)絡(luò)發(fā)展方向，讓衛(wèi)星營運商、芯片大廠、電信營運商與手機制造商共同合作完成初步非地面網(wǎng)絡(luò)（NTN）場景驗證。現(xiàn)階段非地面網(wǎng)絡(luò)主要聚焦在移動衛(wèi)星通訊應(yīng)用領(lǐng)域，由用戶終端設(shè)備（UE）與衛(wèi)星間，在特定場景下進行雙向數(shù)據(jù)傳輸測試。

展望2024年，芯片大廠加速推出衛(wèi)星通訊芯片趨勢下，帶動手機大廠以系統(tǒng)單晶片（SoC）模式將衛(wèi)星通訊功能整合至高端手機內(nèi)，在部分用戶對高端手機有穩(wěn)定需求下，讓非地面網(wǎng)絡(luò)朝向小規(guī)模商用測試發(fā)展，成為2024年加速非地面網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用普及驅(qū)動因素。從移動衛(wèi)星通訊長期發(fā)展趨勢來看，衛(wèi)星間雷射光鏈（Inter Satellite Link，ISL）通訊技術(shù)能在低軌衛(wèi)星間傳輸數(shù)據(jù)資料，并同時傳送至大規(guī)?？鐓^(qū)域用戶終端設(shè)備，實現(xiàn)6G低延遲的全域通訊覆蓋愿景。

6、2024年6G通訊規(guī)劃啟動，衛(wèi)星通訊扮演關(guān)鍵角色

6G標準化規(guī)劃于2024~2025年啟動，首個標準技術(shù)將于2027~2028年推出，針對6G關(guān)鍵技術(shù)突破，除納入超寬帶（Ｕltra-Ｗideband）接收器（Receiver）和發(fā)射器（transmitter）技術(shù)外，地面和非地面網(wǎng)絡(luò)整合、人工智能與及機器學(xué)習(xí)將引入更多創(chuàng)新。

6G將增加新技術(shù)應(yīng)用，包括使用可重構(gòu)智能表面技術(shù)（RIS）、太赫茲頻段、光無線通訊（Optical Wireless Communication，OWC）、非地面網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)高空通訊應(yīng)用（NTN），以及沉浸式延展實境(XR)等更細致的感官體驗，透過創(chuàng)新提供殺手級應(yīng)用，如全像投影（Holographic）和觸覺通訊（Tactile Communications）、數(shù)字孿生等。隨著6G技術(shù)標準逐次敲定，低軌衛(wèi)星將陸續(xù)支援6G通訊，預(yù)期全球低軌衛(wèi)星部署活動會在6G商用前后達到高峰，估計應(yīng)用于6G通訊、環(huán)境感測的無人機需求將在6G時代顯著提高。

7、更多新創(chuàng)業(yè)者陸續(xù)加入，2024年Micro LED技術(shù)成本有望獲優(yōu)化

2023年是Micro LED做為顯示技術(shù)邁入量產(chǎn)的關(guān)鍵年，而解決成本居高不下的問題將是接下來的首要之務(wù)。在芯片部分，微型化工程啟動，做為大型顯示器當(dāng)前主流的34x58um將開始被20×40μm 、甚至是更小的16×27μm取代。預(yù)期僅透過芯片微縮的執(zhí)行，未來四年期間Micro LED芯片所能達成的成本降幅，每年至少在20~25%。

轉(zhuǎn)移是Micro LED制程中的核心，Stamp制程穩(wěn)定，雷射則是速度（Unit per Hour，UPH）取勝。然而在邁入量產(chǎn)的當(dāng)下，業(yè)界著眼于在效率與良率上取得更好的平衡點，以Stamp轉(zhuǎn)移搭配雷射鍵合的混合轉(zhuǎn)移模式，其冷加工概念能有效解決Stamp在熱壓合上所面臨的壓力與溫度問題，也成為備受關(guān)注的生產(chǎn)模式。

AR透明顯鏡的微投影顯示市場是Micro LED極具潛力的應(yīng)用市場，因為極高的PPI（Pixel per Inch）要求，尺寸必須控制在5μm甚至更小的水平，伴隨而來的芯片外部量子效率（EQE）低落問題也更為棘手。采用紅、藍、綠三色LED的方案雖然單純，但紅光效率低落的問題難以克服。以藍光LED搭配量子點材料進行色轉(zhuǎn)換雖然有效回避了上述挑戰(zhàn)，但衍生而來的則有額外制程與材料壽命問題。

新創(chuàng)企業(yè)跳脫傳統(tǒng)的切入方式，包含InGan基底的紅光LED、RGB LED垂直堆棧等方案也同樣引人注目。即使當(dāng)前還難以判斷哪個技術(shù)路線將成為主流，但百家爭鳴的局面有利于催生最佳解決方案。零組件的改善、制程最佳化匹配、豐富的解決方案，在量產(chǎn)與應(yīng)用多元化的吸引下，2024年將有更多廠商投入該領(lǐng)域的發(fā)展，在健全供應(yīng)鏈的同時，也進一步優(yōu)化Micro LED的成本架構(gòu)。

8、AR/VR在不同的微型顯示技術(shù)發(fā)展與競爭將更為激烈

在AR/VR等頭戴裝置需求的帶動下，具備超高PPI近眼顯示器需求提升，Micro OLED顯示器正是其中代表技術(shù)之一。

雖然目前正式使用Micro OLED顯示器的AR/VR裝置并不多，但隨著關(guān)鍵品牌客戶的采用，Micro OLED顯示器將有機會逐步擴大規(guī)模。未來針對個人化的顯示器將持續(xù)發(fā)展，微縮化的趨勢正在成形，這必須仰賴半導(dǎo)體制程與顯示技術(shù)的整合，同時，不同的微型顯示技術(shù)如Micro LED也正在持續(xù)發(fā)展中。目前Micro OLED顯示器將是集半導(dǎo)體制程與AMOLED蒸鍍制程工藝之大成，對Micro OLED面板廠商而言，能否取得穩(wěn)定的晶圓代工資源做搭配將是一大關(guān)鍵。

新進廠商與既有廠商在產(chǎn)業(yè)資源的重新盤整已是現(xiàn)在進行式，同時，搭配的OLED技術(shù)也有望從現(xiàn)行的白光OLED技術(shù)，逐漸朝RGB OLED技術(shù)發(fā)展。不過Micro OLED顯示器仍有其瓶頸，如亮度及發(fā)光效率上的限制，未來能否在頭戴裝置上取得主流地位，仍需觀察各個微型顯示技術(shù)的發(fā)展進程。

9、AR/VR在不同的微型顯示技術(shù)發(fā)展與競爭將更為激烈

目前全球動力電池產(chǎn)業(yè)正在進入TWh智造時代，行業(yè)對高安全與高能量密度電池的需求更加突出，而目前主流的動力電池技術(shù)路線都已接近能量密度的天花板，現(xiàn)有材料體系對電池能量密度與安全性等方面的提升已不足以滿足市場需求。

隨著各大車廠與電池廠商加速在下一代電池技術(shù)的投資與研發(fā)，相關(guān)技術(shù)將迎來新突破，其中兼顧更高能量密度和安全性的固態(tài)電池技術(shù)成為各大企業(yè)研發(fā)的重點，并在產(chǎn)業(yè)化方面進行了更深入的探索和實踐，包括凝聚態(tài)電池等半固態(tài)電池技術(shù)，其開發(fā)和商業(yè)化應(yīng)用或?qū)⒃?024年加快動力電池產(chǎn)業(yè)進入新一輪技術(shù)迭代，并對下一個十年動力電池產(chǎn)業(yè)新格局產(chǎn)生重要影響。

鋰離子電池在電動車領(lǐng)域的地位明確，但在車輛類型眾多且用途情境相異下，不同電池技術(shù)仍因特殊優(yōu)勢而存在。

鈉離子電池因鈉元素儲量大且分布均勻使其具有低成本優(yōu)勢，但因能量密度也低，故適合打造對續(xù)航力較不敏感的低價電動車，目前中國電池廠正致力于將其產(chǎn)業(yè)化。

氫燃料電池則主打零排放、長續(xù)航、加氫速度快和支援冷啟動，重型商用車是重點采用的類別，但氫燃料電池尚有能源轉(zhuǎn)換效率低、制氫及儲運成本高、制氫材料來源具爭議等問題，加上產(chǎn)業(yè)成熟度不足下，目前市場上的乘用和商用車款仍少，需長續(xù)航的重型卡車大規(guī)模商用時間預(yù)計落于2025年后。

10、提高能源轉(zhuǎn)換效率、續(xù)航力、充電效率將是2024年純電動車的三大核心議題

從能源轉(zhuǎn)換效率來看，具備低損耗優(yōu)勢的SiC芯片是提高BEV能源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵零件，2024年SiC 8吋晶圓產(chǎn)能將逐漸釋放，但良率仍待加強且多數(shù)產(chǎn)能已被下游廠商鎖定，芯片成本降幅有限，而芯片端在縮小尺寸的目標推動下，將進一步提高「溝槽型芯片技術(shù)」的研發(fā)投入程度。

續(xù)航力方面，NCM（三元鋰電池）及LFP（磷酸鐵鋰電池）仍為車廠首選，優(yōu)化電池包結(jié)構(gòu)、調(diào)整材料配比以提高能量密度、增加續(xù)航力為主要目標; 而具備高能量密度的固態(tài)電池將先以半固態(tài)電池在2023年下半年開始少量裝車，2024年是觀察半固態(tài)電池商業(yè)化的關(guān)鍵時間點。

充電效率方面，為縮短充電時間，800V平臺的車型將明顯增加，其可支援360 kW以上的高功率快充，高功率快充站的建設(shè)熱潮也隨之而起。此外，無線充電進展加快，美國提出電動車無線充電補助法案，密西根州將開放總長1.6公里的無線充電公路，充電方式朝向多元發(fā)展，可望降低車主的里程焦慮。

蓬勃發(fā)展的AI則協(xié)助電動車朝向高度自動駕駛邁進，在自動駕駛系統(tǒng)開發(fā)上，可靠度是判斷是否進入市場化的關(guān)鍵，AI將扮演提高效率的角色，包括協(xié)助巨量圖像的分類與標記工作、搭建仿真模擬場景。

隨著其他車廠在智能駕駛領(lǐng)域的急起直追，Tesla Dojo超級計算機宣布進入量產(chǎn)，并計劃在2024年投入10億美元以Dojo進行神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練，領(lǐng)先競爭者提出更先進的自駕系統(tǒng)、制定可負擔(dān)的售價將是Tesla在智能駕駛領(lǐng)域站穩(wěn)地位的利器。

11、全球綠化力道加大，AI模擬將成推動再生能源與脫碳制造關(guān)鍵

國際能源署（IEA）指出，2024年全球再生能源發(fā)電量有望達4,500GW，近乎等同化石燃料，主要是政策推廣力道強化、化石燃料價格上漲、戰(zhàn)爭造成能源危機等。再生能源能發(fā)電若要穩(wěn)定，電網(wǎng)、儲能、管理等周邊系統(tǒng)勢必須以AI加速智能化并提升緩沖空間與精確度。以智能電網(wǎng)為例，監(jiān)督式學(xué)習(xí)（Supervised Learning）優(yōu)化電力輸入輸出、非監(jiān)督式學(xué)習(xí)（Unsupervised Learning）改善數(shù)據(jù)擷取質(zhì)量，以及負載預(yù)測（Load Forecasting）、穩(wěn)定性評估等強化整體效益，皆是2024年能源綠化技術(shù)發(fā)展關(guān)鍵。

此外，2024年智能制造與能源管理面向?qū)⒕劢跪?qū)動系統(tǒng)能耗優(yōu)化、全數(shù)據(jù)串連生態(tài)圈、以及可視化能源流動消費，藉由動態(tài)數(shù)字孿生（Dynamic Digital Twin）的虛實整合，將數(shù)據(jù)從碳流轉(zhuǎn)為綠流，再化為金流。

此外，生成式AI、3D打印等技術(shù)能加速制造設(shè)計、生產(chǎn)建模等環(huán)節(jié)，減少資源浪費，后勢頗具潛力。綜觀各領(lǐng)域的綠化訴求，組織首先須了解的是自家排碳量與碳足跡，因此碳盤查工具成云端大廠重點產(chǎn)品，并將持續(xù)以AI與機器學(xué)習(xí)，以優(yōu)化碳排放量。

12、折疊手機的引領(lǐng)創(chuàng)新，新技術(shù)材料的商業(yè)化將推動OLED產(chǎn)業(yè)進一步拓展從小到大各式應(yīng)用

在OLED折疊手機不斷創(chuàng)新，成功制造市場話題后，新上市的折疊手機無不針對消費者的期望進行更大幅度的改善，例如更換輕量化復(fù)合材料在門板及屏幕支撐板，一體成形的水滴型鉸鏈結(jié)構(gòu)有效的減少零部件數(shù)量，甚至利用機殼蓋板取代鉸鏈龍骨，步步逼近直板機的厚度與重量。當(dāng)折疊手機滲透率逐漸提升，除了不斷的技術(shù)推演，還需要有效的降低成本，在未來市場普及的同時還能確保利潤。

隨著OLED在手機市場的滲透逐漸擴大，IT將是下一個OLED關(guān)鍵發(fā)展的戰(zhàn)場。為了進一步拓展對現(xiàn)有IT市場的滲透，除了三星已宣布啟動G8.7新廠的投資計劃外，京東方規(guī)劃中的B16、JDI在新技術(shù)eLEAP上的持續(xù)發(fā)展、維信諾朝OLED相關(guān)技術(shù)與市場的積極搶進，讓面板廠在高世代的布局不僅僅是因應(yīng)蘋果在中尺寸應(yīng)用的需求，也為OLED面板在拓展其他應(yīng)用市場開啟新的契機。預(yù)期2025年后新技術(shù)的開發(fā)與導(dǎo)入將打破FMM及蒸鍍機臺的尺寸限制，加上高壽命材料的商用化，高世代產(chǎn)線順利進入量產(chǎn)，均有助于提升未來OLED在各應(yīng)用的市場滲透率。（文：集邦咨詢）

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旺季備貨動能弱，AI支撐IC設(shè)計營運表現(xiàn)

從各家營收表現(xiàn)來看，NVIDIA受惠于全球CSP（云端服務(wù)供應(yīng)商）、互聯(lián)網(wǎng)公司與企業(yè)生成式AI、大型語言模型導(dǎo)入應(yīng)用需求，其數(shù)據(jù)中心營收季增高達105%，包含Hopper與Ampere架構(gòu)HGX system、高效運算交換器InfiniBand等出貨遽增。此外，游戲及專業(yè)可視化兩項業(yè)務(wù)營收亦在新品驅(qū)動下持續(xù)成長，第二季整體營收達113.3億美元，環(huán)比增長68.3%。整體營收超越Qualcomm及Broadcom（博通）登上全球IC設(shè)計公司龍頭。

Qualcomm第二季由于Android陣營智能手機需求不振，以及Apple modem已提前拉貨，傳統(tǒng)季節(jié)性動能趨緩，第二季整體營收環(huán)比減少9.7%，約71.7億美元。Broadcom雖受惠于生成式AI催化的高端交換器、路由器銷售，網(wǎng)通業(yè)務(wù)環(huán)比增長約9%，然而與服務(wù)器存儲、寬帶與無線業(yè)務(wù)營收下滑相抵之后，第二季整體營收大致與前季持平，約69億美元。

AMD（超威）由于第二季游戲GPU銷售與嵌入式業(yè)務(wù)下滑，整體第二季營收大致與前季持平，約53.6億美元。MediaTek（聯(lián)發(fā)科）經(jīng)歷幾季庫存修正后，部分零部件如TV SoC、WiFi等庫存水位逐漸轉(zhuǎn)為健康，加上電視急單出現(xiàn)，手機、智慧終端平臺與電源管理IC等平臺相關(guān)出貨與庫存回補亦陸續(xù)啟動，帶動第二季營收成長至32億美元。

Marvell（美滿電子），盡管數(shù)據(jù)中心受惠AI應(yīng)用部署加速，帶來新訂單，但受到企業(yè)On Premise Server（地端服務(wù)器/企業(yè)私有云）下跌相互抵消。同時，受部分客戶仍處庫存修正期，及終端需求仍疲弱等沖擊，導(dǎo)致第二季數(shù)據(jù)中心、電信基礎(chǔ)建設(shè)、與企業(yè)網(wǎng)通等主流領(lǐng)域營收均下滑，影響第二季營收環(huán)比減少1.4%，約13.3億美元。

IC設(shè)計公司Novatek（聯(lián)詠）主要受惠客戶回補TV相關(guān)庫存與新品量產(chǎn)出貨（如OLED DDI）；Realtek（瑞昱）則受惠供應(yīng)鏈回補PC/NB相關(guān)IC庫存，分別環(huán)比增長24.7%與32.6%。然而，由于整體終端銷售并無全面回暖跡象，庫存回補支撐動能不足，下半年成長動能將因此受壓抑。

第九名與第十名則分別為Will Semiconductor（韋爾半導(dǎo)體）與美系電源管理IC廠MPS，前者第二季營收5.3億元、環(huán)比衰退約1.9%；后者第二季營收4.4億美元、環(huán)比減少約2.2%。

展望第三季，雖各家公司庫存水位皆較上半年有明顯改善，但基于多數(shù)終端需求表現(xiàn)疲弱，對于下半年展望趨于保守。值得注意的是，全球CSP、互聯(lián)網(wǎng)公司及私人企業(yè)生成式AI、大型語言模型部署風(fēng)潮涌現(xiàn)，預(yù)期下半年AI對相關(guān)供應(yīng)鏈營運的助益會更明顯，且該類產(chǎn)品平均銷售單價較消費型產(chǎn)品更高。

因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，第三季全球前十大IC設(shè)計營收將持續(xù)有雙位數(shù)的季成長幅度，且產(chǎn)值有望創(chuàng)新高。

PS:當(dāng)您需要在報道中引用TrendForce集邦咨詢提供的研報內(nèi)容或分析資料，請注明資料來源為TrendForce集邦咨詢。（文：集邦咨詢）

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