source:光谷融媒體中心

據(jù)悉，長飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。

項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域。

該項目于2023年8月25日落戶武漢，并于7天后動工建設(shè)。今年6月，項目主體結(jié)構(gòu)全面封頂。
按照原計劃，項目將于2025年1月設(shè)備搬入，2025年7月量產(chǎn)通線，2026年年底達(dá)到滿產(chǎn)。截止目前項目最新動態(tài)顯示，項目提前了2個月的進(jìn)度。

值得一提的是，長飛先進(jìn)武漢碳化硅基地加速建設(shè)的同時，其在蕪湖的第三代半導(dǎo)體項目也迎來了新進(jìn)展。

10月29日，據(jù)蕪湖市生態(tài)局披露的建設(shè)項目環(huán)評審批公告顯示，安徽長飛先進(jìn)將對其位于蕪湖市弋江區(qū)的第三代半導(dǎo)體項目進(jìn)行改造，具體內(nèi)容為：

對現(xiàn)有研發(fā)方案中6萬片/年的6英寸碳化硅半導(dǎo)體芯片和1.2萬片/年的4、6英寸氮化鎵半導(dǎo)體芯片進(jìn)行研發(fā)工藝的改進(jìn)，提高研發(fā)產(chǎn)品的質(zhì)量，優(yōu)化研發(fā)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)，研發(fā)產(chǎn)能保持不變。

據(jù)悉，該項目由長飛先進(jìn)全資子公司蕪湖太赫茲工程中心有限公司負(fù)責(zé)。項目于2017年6月動工建設(shè)，2021年完成自主驗收，公司后續(xù)在2022年對項目進(jìn)行了擴產(chǎn)。（來源：湖北日報、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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鎵仁半導(dǎo)體采用鑄造法生長6英寸氧化鎵單晶

據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，2024年10月，鎵仁半導(dǎo)體利用自主研發(fā)的第二代鑄造法技術(shù)，成功生長出超厚6英寸氧化鎵單晶，晶錠厚度可達(dá)20mm以上。

source：鎵仁半導(dǎo)體

據(jù)悉，提高氧化鎵單晶晶錠厚度，可有效降低氧化鎵單晶襯底成本。

鎵仁半導(dǎo)體指出，公司采用鑄造法生成的產(chǎn)品，在同等直徑下，單晶晶錠厚度是導(dǎo)模法（EFG）晶錠厚度的2-3倍。單個晶錠出片量可以達(dá)到原有的3-4倍，單片成本較原來可降低70%以上。與此同時，提高氧化鎵單晶晶錠厚度，更有利于制備各種晶向以及斜切角度的大尺寸襯底。

據(jù)了解，因可以實現(xiàn)大的晶體尺寸、低的缺陷密度、大的生長速度以及高的晶體質(zhì)量，導(dǎo)模法（EFG）常被業(yè)界采用制備氧化鎵。日本公司NCT采用導(dǎo)模法結(jié)合氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)已實現(xiàn)2英寸、4英寸襯底和外延的批量化供應(yīng)。

而鎵仁半導(dǎo)體則采用了鑄造法，并于2023年8月制備出了4英寸氧化鎵單晶。集邦化合物半導(dǎo)體了解到，該鑄造法有兩個優(yōu)勢：一是采用了熔體法新路線，生長過程可控性增加，減少了貴金屬使用，降低了成本；二是生成的氧化鎵為柱狀晶，應(yīng)用場景增多。

此外，制造氧化鎵單晶的方法還有垂直布里奇曼法（VB）。2023年底，NCT通過垂直布里奇曼法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶；今年10月，鎵仁半導(dǎo)體采用垂直布里奇曼法成功生長出2英寸氧化鎵單晶。

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

昨（29）日，富加鎵業(yè)宣布，公司研制了MBE外延片，并與國家重點研發(fā)計劃項目器件團(tuán)隊合作，制備出了擊穿電壓大于2000V，電流密度為60 mA/mm的MOSFET橫向功率器件。

富加鎵業(yè)表示，應(yīng)用公司分子束外延技術(shù)（MBE）制備的氧化鎵外延片產(chǎn)品，采用非故意摻雜層與Sn摻雜層復(fù)合的雙層外延結(jié)構(gòu)，襯底材料為半絕緣型（010）Fe摻雜氧化鎵，主要應(yīng)用于橫向功率器件。常規(guī)產(chǎn)品摻雜層載流子濃度為1-4E17cm-3，遷移率＞80cm2/V·s，表面粗糙度＜2 nm。

國家重點研發(fā)計劃項目合作器件團(tuán)隊對該進(jìn)行了初步流片驗證，后續(xù)富加鎵業(yè)將根據(jù)器件反饋結(jié)果，對外研產(chǎn)品進(jìn)行新一輪迭代。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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隨著會津工廠的投產(chǎn)，加上德州達(dá)拉斯現(xiàn)有的氮化鎵生產(chǎn)基地，德州儀器內(nèi)部氮化鎵功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能將增加四倍。

source：德州儀器

德州儀器技術(shù)和制造高級副總裁Mohammad Yunus表示：“德州儀器已成功認(rèn)證了8英寸（200mm）氮化鎵技術(shù)，并開始在日本會津工廠進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。到2030年，德州儀器內(nèi)部氮化鎵制造率將增長到95%以上，同時還可以從多個德州儀器工廠采購，確保公司整個氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的供應(yīng)?！?/p>

德州儀器指出，氮化鎵作為硅的替代材料，在能效、開關(guān)速度、電源解決方案的尺寸和重量、整體系統(tǒng)成本以及高溫高壓條件下的性能等方面都具有優(yōu)勢。德州儀器依托新氮化鎵制造技術(shù)，正將氮化鎵芯片的拓展至更高的電壓——從900V開始并逐步提升至更高壓。

此外，德州儀器擴展投資還包括今年早些時候在12英寸（300mm）晶圓上成功開發(fā)氮化鎵制造工藝的試點。進(jìn)一步來說，德州儀器擴大的氮化鎵制造工藝完全可轉(zhuǎn)移到12英寸技術(shù)，使公司能夠隨時根據(jù)客戶需求進(jìn)行擴展，并在未來轉(zhuǎn)向12英寸。

值得一提的是，在12英寸氮化鎵方面，除了德州儀器，英飛凌今年9月就已宣布開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。

據(jù)悉，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。英飛凌表示，因為氮化鎵和硅的制造工藝非常相似，其12英寸氮化鎵技術(shù)的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備。后續(xù)，英飛凌將根據(jù)市場需求進(jìn)一步擴大GaN產(chǎn)能。（集邦化合半導(dǎo)體Morty編譯）

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據(jù)此前中電三公司與武進(jìn)日報披露，該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計明年1月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

source：縱慧芯光

資料顯示，縱慧芯光成立于2015年，致力于垂直腔面激光發(fā)射器（VCSEL）的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和制造。企業(yè)自有6寸外延產(chǎn)線，可實現(xiàn)每月2000片6寸砷化鎵外延片的量產(chǎn)產(chǎn)能，并建有封裝產(chǎn)線。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費電子，汽車電子，光通訊等領(lǐng)域。

企查查顯示，截至目前，縱慧芯光已完成了多輪融資。其中，能見到不少知名大企的身影——2020年6月，華為旗下投資平臺哈勃投資入股了該公司；隨后，小米于2020年12月對其進(jìn)行了投資；比亞迪也參與了縱慧芯光2021年、2022年的兩輪融資。

值得一提的是，同獲得華為哈勃投資的長光華芯，公司旗下化合物半導(dǎo)體光電子平臺項目也于9月封頂。

該項目將打造先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)生產(chǎn)平臺，進(jìn)行氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等激光器和探測器用2-3英寸芯片產(chǎn)線建設(shè)及器件封裝等。建成后，將具備年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力。項目于2023年12月開工，預(yù)計2025年建成并全面投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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資料顯示，鎵銳芯光成立于2023年5月，是一家氮化鎵基激光芯片的IDM企業(yè)。公司主營產(chǎn)品包括GaN基激光芯片和器件等，產(chǎn)品波長覆蓋紫光、藍(lán)光、綠光。

source：長光華芯

氮化鎵激光芯片具有高效的能量轉(zhuǎn)換效率和長時間穩(wěn)定的性能，是激光顯示、高亮照明、有色金屬加工、3D打印和數(shù)字光刻等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)不可或缺的新型高效半導(dǎo)體光源。

而氮化鎵激光器具有直接發(fā)光、高效率、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢，其中，藍(lán)光和綠光波段的氮化鎵激光器產(chǎn)品，已經(jīng)在激光加工（有色金屬加工、激光直寫）、激光顯示（激光大屏電視，XR微投影）、激光照明（車載大燈）、特殊通信等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。

值得一提的是，2024年8月，鎵銳芯光在已完成了首輪數(shù)千萬的天使輪融資，本次是其在今年的第二次融資。

此外，企查查顯示，鎵銳芯光還有長光華芯產(chǎn)業(yè)加持——蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司是其第一大股東，持股27%。

目前，長光華芯正在發(fā)力氮化鎵基激光器領(lǐng)域，其全資子公司蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司與中科院蘇州納米所成立了“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”，拓展氮化鎵材料的藍(lán)綠激光方向應(yīng)用。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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source：格棋

據(jù)介紹，格棋中壢新廠總投資金額達(dá)6億元新臺幣（折合人民幣約1.33億元），預(yù)計2024年第四季達(dá)到滿產(chǎn)。其中6英寸碳化硅晶片月產(chǎn)能可達(dá)5,000片，到2024年底，新廠將安裝20臺8英寸長晶爐及100臺6英寸長晶爐提升整體產(chǎn)能。

與此同時，格棋宣布與臺灣中山科學(xué)研究院（下文簡稱“臺灣中科院”）合作，雙方將共同開發(fā)高頻通訊用碳化硅組件，通過此次合作加速進(jìn)軍高頻通訊碳化硅市場的腳步，為5G/B5G通訊基礎(chǔ)建設(shè)提供關(guān)鍵組件。

此外，格棋還宣布與日本三菱綜合材料商貿(mào)株式會社簽署合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，將由三菱綜合材料商貿(mào)向日系客戶提供6英寸和8英寸晶錠、外延材料，格棋負(fù)責(zé)整合中國臺灣地區(qū)合作伙伴資源，向日本客戶供應(yīng)6英寸和8英寸晶錠、襯底與外延片。

公開資料顯示， 格棋成立于2022年，專注于化合物半導(dǎo)體長晶等第三代化合物半導(dǎo)體的工藝技術(shù)開發(fā)。其官網(wǎng)顯示，公司目前產(chǎn)品涵蓋6英寸N型碳化硅襯底以及晶錠。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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揚杰科技：營收達(dá)15.58億

揚杰科技表示，報告期內(nèi)，隨著半導(dǎo)體市場需求逐步改善，公司營收規(guī)模進(jìn)一步擴大，截至報告期末累計達(dá)到44.23億元，較去年同期上升9.48%，累計歸母凈利潤為6.69億元，較去年同期上升8.28%。

其中第三季度營收15.58億元，較去年同期上升10.06%，歸母凈利潤為2.44億元，較去年同期上升17.91%。

針對業(yè)績上漲，揚杰科技表示，報告期內(nèi)，下游應(yīng)用領(lǐng)域需求回暖。隨著全球汽車行業(yè)向電動化和智能化的快速轉(zhuǎn)型，為公司提供了新的增長機遇，2024年前三季度公司汽車電子業(yè)務(wù)營業(yè)收入較去年同期上升60%。

同時，隨著消費類電子及工業(yè)市場需求逐步回升，2024年前三季度消費電子及工業(yè)產(chǎn)品營業(yè)收入較去年同期上升均超20%。

此外，公司持續(xù)推進(jìn)降本增效以及推出滿足市場的新產(chǎn)品，實現(xiàn)了毛利率的上升。

德州儀器：營收達(dá)41.5億美元

德州儀器公布2024年第三季度營收為41.5億美元（折合人民幣約295.8億元），同比下降8%，但環(huán)比增長9%；凈利潤為13.6億美元，同比下降20%。

數(shù)據(jù)顯示，德州儀器已連著8個季度營收同比下滑，但此次是七個季度以來的最小降幅，營收與凈利潤皆超過外界預(yù)期。受智能手機和個人電腦供應(yīng)商訂單增加以及終端市場需求反彈的推動，德州儀器產(chǎn)品的銷量得到提振。

首席執(zhí)行官Haviv Ilan在財報電話會議上表示，汽車市場的收入也環(huán)比增長了個位數(shù)。Ilan表示：“中國電動汽車市場發(fā)展勢頭強勁，我們的產(chǎn)品在中國市場不斷增長，這才是推動第三季度增長的真正原因。”不過，他還表示，預(yù)計其余汽車市場仍將保持疲軟態(tài)勢。

Ilan補充道，公司的三個主要市場已經(jīng)開始反彈，但其最大的銷售來源——工業(yè)和汽車芯片——仍面臨庫存過剩的問題。展望未來，德州儀器第四季度的預(yù)期是營收在37億美元至40億美元之間（折合人民幣約263億元至285億元）。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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濟(jì)南：新增一個氮化鎵項目

據(jù)濟(jì)南日報消息，10月17日下午，在濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對接會上，山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“晶鎵半導(dǎo)體”）與濟(jì)南晶谷研究院簽約，入駐新一代半導(dǎo)體公共服務(wù)平臺項目。

source：濟(jì)南晶谷研究院

據(jù)悉，晶鎵半導(dǎo)體將依托山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室、新一代半導(dǎo)體材料研究院研發(fā)的最新GaN單晶生長與襯底加工技術(shù)成果，開展第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

資料顯示，濟(jì)南晶谷研究院是濟(jì)南市政府聯(lián)合山東大學(xué)發(fā)起成立的新型研發(fā)機構(gòu)，旨在面向國家所需和產(chǎn)業(yè)前沿，集科研、教育、企事業(yè)等功能于一身。該機構(gòu)總投入10億元，于2023年7月正式揭牌。
據(jù)悉，濟(jì)南晶谷研究院成立以來，先后引進(jìn)2家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，分別為中晶芯源、晶啟光電，孵化2家小微企業(yè)，分別為山東晶鎵半導(dǎo)體和山東一芯智能科技，并成立研究院全資子公司濟(jì)南晶谷科技有限公司。

臨沂：加快氮化鎵新材料項目建設(shè)

據(jù)中交雄安建設(shè)有限公司官微披露，近日，山東臨沂市委書記任剛到高新廠房項目調(diào)研，視察了一個氮化鎵新材料項目。

資料顯示，該項目總投資5億，占地304畝，主要建設(shè)廠房（含超凈間）、行政中心、技術(shù)研發(fā)中心等，新上50條HVRE單晶生產(chǎn)線、晶片檢測線，10條晶片切割加工生產(chǎn)線，10條研磨、清洗封裝工藝設(shè)備生產(chǎn)線，10套外延片加工MOCVD設(shè)備生產(chǎn)線，10條圖形襯底制備生產(chǎn)線及配套設(shè)施。項目于今年6月開工，預(yù)計2025年12月完工。

項目建成后與北京化工大學(xué)博士團(tuán)隊合作，引進(jìn)具有獨立產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備，生產(chǎn)的2英寸、4英寸氮化鎵單晶襯底，廣泛應(yīng)用于芯片制造、通訊基站、相控雷達(dá)等領(lǐng)域，建成后將實現(xiàn)全市第三代半導(dǎo)體材料的新突破。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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2022年，AI領(lǐng)域全明星產(chǎn)品ChatGPT、AI繪畫工具M(jìn)idjourney橫空出世，AIGC科技浪潮席卷大眾視野。同年，我國累計建成開通5G基站超過230萬個。

2024年4月，中關(guān)村泛聯(lián)院常務(wù)副院長黃宇紅在2024中關(guān)村論壇年會期間介紹，6G技術(shù)有望在2030年實現(xiàn)商用。6月，全自動無人駕駛汽車“蘿卜快跑”在武漢爆火，目前已經(jīng)在武漢、北京、深圳等城市，開啟了全無人自動駕駛運營，自動駕駛出行服務(wù)已不再那么“小眾”。

誠然，無論是人工智能亦或是通信領(lǐng)域，每個新興智能事物爆火的背后都離不開支撐它們成型、發(fā)展的大量數(shù)據(jù)和算法。而這些海量數(shù)據(jù)的傳輸和處理，溯其根本，都是光模塊“承擔(dān)了所有”。

圖片來源于@蘿卜快跑 官方微博

新定義：回顧光模塊發(fā)展史

光模塊（Optical Module），是進(jìn)行光電和電光轉(zhuǎn)換的光電子器件，也是光纖通信中的重要組成部分。其作用是，在發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，在接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。

光模塊的發(fā)展經(jīng)歷了多個階段，一般來說，其體積和速率呈反方向發(fā)展趨勢。早期的光模塊體積較大，隨著技術(shù)的進(jìn)步和需求的增加，光模塊的體積逐漸減小，速率卻得到了顯著提升。同時，由于傳輸速率越高，結(jié)構(gòu)也越復(fù)雜，由此產(chǎn)生了不同的光模塊封裝方式。常見的封裝類型有：SFP、SFP+、SFP28、QSFP+、CFP、CFP2 /CFP2-DCO、QSFP28、QSFP-DD。從早期的SFP，到如今的QSFP-DD，每一次封裝技術(shù)的迭代都伴隨著體積的進(jìn)一步減小，帶來光模塊整體性能的提升和精度與速率的提高。

在應(yīng)用領(lǐng)域方面，除了人工智能和通信領(lǐng)域，現(xiàn)如今，光模塊還涉及物聯(lián)網(wǎng)、廣播電視傳輸、軍事和航天等領(lǐng)域。隨著光纖通信技術(shù)的不斷發(fā)展，更多應(yīng)用領(lǐng)域還在不斷擴展。

2023年，光模塊被評為年度“十大科技熱詞”之一。目前，光模塊的市場火爆，熱度在持續(xù)上升。

新演變：走向更高傳輸速率

現(xiàn)在，光模塊產(chǎn)品正在向小型化、高速率、低功耗方向不斷迭代升級，其演進(jìn)方向映射著技術(shù)的前瞻布局。

新技術(shù)的快速發(fā)展使數(shù)據(jù)流量呈現(xiàn)出爆炸式增長的趨勢，這種趨勢對數(shù)據(jù)中心的規(guī)模和性能提出了更高的要求，促使其向大型化、集中化轉(zhuǎn)變，并帶動了對高速率光模塊的需求。目前，全球主要的云廠商已經(jīng)開始批量部署200G和400G光模塊，以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)傳輸需求。同時，在AI驅(qū)動下，更高速率的800G開始進(jìn)入導(dǎo)入驗證及批量出貨的進(jìn)程，1.6T產(chǎn)品不斷前瞻研發(fā)中。

不難看出，數(shù)據(jù)中心正在逐步向更高密度的數(shù)據(jù)傳輸能力邁進(jìn)，以應(yīng)對未來更加復(fù)雜和龐大的數(shù)據(jù)處理任務(wù)。同時，高速率光模塊的研發(fā)，能夠支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，以滿足未來更大帶寬、更高算力的需求，并切實為各種應(yīng)用場景提供更加高效、可靠的數(shù)據(jù)傳輸解決方案。

新挑戰(zhàn)：精度與速率的平衡

然而，要實現(xiàn)新工藝下光模塊的快速發(fā)展、突破光模塊的原有性能也絕非易事。

首先，更小體積、更高精度的光模塊對制造工藝和材料的要求也更為嚴(yán)格，精細(xì)的電路布局和復(fù)雜的封裝技術(shù)在一定程度上增加了生產(chǎn)難度和成本。其次，精度的提升往往伴隨著速率的挑戰(zhàn)。在追求更高傳輸速率的同時，則可能遇到功率損耗增加、信號質(zhì)量等問題。因此，如何確保信號的穩(wěn)定性和可靠性，是廠商們所必須要面對的問題。這些因素共同作用，促使業(yè)界不斷探索和采用多種創(chuàng)新技術(shù)路徑，以克服技術(shù)障礙，實現(xiàn)光模塊性能的持續(xù)優(yōu)化與成本的有效控制。

新設(shè)備：AS8136光模塊貼片機

卓興精準(zhǔn)把握行業(yè)難題，自主研發(fā)AS8136光模塊貼片機，以解決光模塊生產(chǎn)所面臨的精度與速度之間的工藝壁壘。

AS8136是第三代貼片機機構(gòu)，采用轉(zhuǎn)塔式貼裝，更加精準(zhǔn)和高效，速度快、精度高。位置精度精準(zhǔn)至±3um，角度精度精準(zhǔn)至±0.2°。除此之外，AS8136支持多種來料混合，包括支持2、4、6、8、12寸晶圓、4張2寸晶圓或者Waffle Pack、GelPAK上料。同時，AS8136設(shè)備支持微米級工作臺和亞微米級工作臺。

除了光模塊，AS8136還適用多款產(chǎn)品，包括傳感器、加速器、陀螺儀、MEMS馬達(dá)等，可針對客戶的需求定制不同的生產(chǎn)方案，具體產(chǎn)品信息歡迎咨詢。（來源：卓興半導(dǎo)體）

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針對業(yè)績變動捷捷微電表示，業(yè)績增長受益于半導(dǎo)體行業(yè)的溫和復(fù)蘇以及公司的綜合產(chǎn)能提升。
捷捷微電還指出，隨著子公司捷捷南通科技的產(chǎn)能不斷提升，其盈利能力進(jìn)一步增強，凈利潤較去年同期有較大幅度的增長。

資料顯示，捷捷微電創(chuàng)建于1995年，專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售，其主要產(chǎn)品是功率半導(dǎo)體芯片和封裝器件。其中，功率半導(dǎo)體芯片是決定功率半導(dǎo)體分立器件性能的核心，在經(jīng)過后道工序封裝后，成為功率半導(dǎo)體分立器件成品。

在碳化硅領(lǐng)域，捷捷微電主要產(chǎn)品為塑封碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）器件。碳化硅肖特基二極管具有超快的開關(guān)速度，超低的開關(guān)損耗，易于并聯(lián)，可承受更高耐壓和更大的浪涌電流，可用于電動汽車、消費類電子、新能源、軌道交通等領(lǐng)域。2024年，捷捷微電推出了1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品。

合作方面，捷捷微電在今年6月與吉利旗下子公司晶能微電子簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將進(jìn)一步加強在工控IGBT領(lǐng)域的戰(zhàn)略合作，并拓展在汽車電子領(lǐng)域的合作范圍。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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