時(shí)代電氣Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收59.73億元，具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅產(chǎn)能

10月31日晚間，時(shí)代電氣公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)營(yíng)收59.73億元，同比增長(zhǎng)8.10%；歸母凈利潤(rùn)9.94億元，同比增長(zhǎng)10.61%；歸母扣非凈利潤(rùn)8.89億元，同比增長(zhǎng)18.27%。

9月10日，時(shí)代電氣參加投資者調(diào)研活動(dòng)，披露了其在功率半導(dǎo)體、信號(hào)系統(tǒng)、電驅(qū)系統(tǒng)等業(yè)務(wù)上的最新進(jìn)展情況。在碳化硅業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)今年形成銷售，明年實(shí)現(xiàn)批量推廣。

在碳化硅產(chǎn)線建設(shè)方面，時(shí)代電氣子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體早在2017年就建成了國(guó)內(nèi)首條4/6英寸兼容碳化硅芯片中試線，并在軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。目前，中車時(shí)代半導(dǎo)體正在建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

盛美上海Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收15.73億元，已推出6/8英寸化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品線

10月31日晚間，盛美上海公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，盛美上海實(shí)現(xiàn)營(yíng)收15.73億元，同比增長(zhǎng)37.96%；歸母凈利潤(rùn)3.15億元，同比增長(zhǎng)35.09%；歸母扣非凈利潤(rùn)3.06億元，同比增長(zhǎng)31.41%。

盛美上海致力于為集成電路行業(yè)提供設(shè)備及工藝解決方案，包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、前道涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，盛美上海推出了6/8英寸化合物半導(dǎo)體濕法工藝產(chǎn)品線，以支持化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的工藝應(yīng)用，包括碳化硅、氮化鎵和砷化鎵等。

中瓷電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.64億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅功率模塊

10月31日晚間，中瓷電子公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，中瓷電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.64億元，同比增長(zhǎng)2.97%；歸母凈利潤(rùn)1.57億元，同比增長(zhǎng)28.67%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.40億元，同比增長(zhǎng)88.72%。

中瓷電子業(yè)務(wù)分為化合物半導(dǎo)體器件及模塊、電子陶瓷材料及元件兩大方面，化合物半導(dǎo)體器件及模塊業(yè)務(wù)又分為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用兩部分。

在氮化鎵領(lǐng)域，中瓷電子氮化鎵通信基站射頻芯片與器件在通信基站中主要用于移動(dòng)通信基站發(fā)射鏈路，實(shí)現(xiàn)對(duì)通信射頻信號(hào)的功率放大；在碳化硅領(lǐng)域，中瓷電子中低壓碳化硅功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，高壓碳化硅功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。

士蘭微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收28.89億元，士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬片碳化硅芯片產(chǎn)能

10月31日晚間，士蘭微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收28.89億元，同比增長(zhǎng)19.22%；歸母凈利潤(rùn)0.54億元；歸母扣非凈利潤(rùn)0.14億元，同比下滑34.21%。

第三季度，士蘭微子公司士蘭集成5、6英寸芯片生產(chǎn)線、子公司士蘭集昕8英寸芯片生產(chǎn)線、重要參股企業(yè)士蘭集科12英寸芯片生產(chǎn)線均保持滿負(fù)荷生產(chǎn)，士蘭微預(yù)計(jì)4季度5、6、8、12英寸芯片生產(chǎn)線將繼續(xù)保持滿產(chǎn)。

第三季度，士蘭微加快子公司士蘭明鎵6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能建設(shè)，截至目前士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬片碳化硅芯片的生產(chǎn)能力；士蘭微將進(jìn)一步增加對(duì)6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線投入，加快其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)。

拉普拉斯Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.61億元，同比增長(zhǎng)377.17%

10月31日晚間，拉普拉斯公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.61億元，同比增長(zhǎng)377.17%；歸母凈利潤(rùn)2.24億元，同比增長(zhǎng)1176.37%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.06億元，同比增長(zhǎng)2290.74%。

拉普拉斯是一家高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商，主營(yíng)業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并可為客戶提供半導(dǎo)體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務(wù)。

拉普拉斯半導(dǎo)體分立器件設(shè)備產(chǎn)品包括碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐和碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐。

華潤(rùn)微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收27.11億元，已建成8英寸中壓增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)

10月31日晚間，華潤(rùn)微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，華潤(rùn)微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收27.11億元，同比增長(zhǎng)8.44%；歸母凈利潤(rùn)2.19億元，同比下滑21.31%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.85億元，同比下滑1.35%。

目前華潤(rùn)微主營(yíng)業(yè)務(wù)可分為產(chǎn)品與方案、制造與服務(wù)兩大業(yè)務(wù)板塊。其產(chǎn)品與方案業(yè)務(wù)板塊聚焦于功率半導(dǎo)體、數(shù)模混合、智能傳感器與智能控制等領(lǐng)域，制造與服務(wù)業(yè)務(wù)主要提供半導(dǎo)體開放式晶圓制造、封裝測(cè)試等服務(wù)。

2024年上半年，華潤(rùn)微完成8英寸中壓（100-200V）增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)建設(shè)，并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時(shí)，華潤(rùn)微采用新型的氮化鎵控制及驅(qū)動(dòng)技術(shù)，開發(fā)原邊、副邊控制芯片，及氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片，推出基于氮化鎵的高效能快充系統(tǒng)方案。

宏微科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.43億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅芯片和封裝

10月31日晚間，宏微科技公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，宏微科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.43億元，同比下滑7.53%；歸母凈利潤(rùn)0.02億元，同比下滑93.37%；歸母扣非凈利潤(rùn)-0.07億元。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，宏微科技布局了碳化硅芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的碳化硅模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

高測(cè)股份Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.85億元，6/8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)實(shí)現(xiàn)交付

10月31日晚間，高測(cè)股份公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，高測(cè)股份實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.85億元，同比下滑53.51%；歸母凈利潤(rùn)-0.67億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-0.79億元。

高測(cè)股份研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的主要產(chǎn)品和服務(wù)為光伏切割設(shè)備、光伏切割耗材、硅片及切割加工服務(wù)、其他高硬脆材料切割設(shè)備及耗材四類。其中，高硬脆材料切割設(shè)備及耗材主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、藍(lán)寶石、磁材及碳化硅等切割領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，高測(cè)股份推出的6英寸及8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)已形成批量訂單并實(shí)現(xiàn)交付。

燕東微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.72億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅器件

10月31日晚間，燕東微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，燕東微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.72億元，同比下滑15.54%；歸母凈利潤(rùn)-1.07億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-1.19億元。

燕東微是一家集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試于一體的半導(dǎo)體企業(yè)，總部位于北京，在北京、遂寧分別有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條6英寸晶圓生產(chǎn)線；在北京擁有一座12英寸晶圓廠在建中。

在碳化硅領(lǐng)域，燕東微在2021年已建成月產(chǎn)能1000片的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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三安光電Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收41.75億元，凈利同比增2278.24%

10月29日晚間，三安光電公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收41.75億元，同比增長(zhǎng)13.27%；歸母凈利潤(rùn)0.63億元，同比增長(zhǎng)2278.24%；歸母扣非凈利潤(rùn)-0.63億元。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，三安光電全資子公司湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶合資建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠生產(chǎn)設(shè)備將在今年三季度陸續(xù)進(jìn)場(chǎng)安裝和調(diào)試，預(yù)計(jì)11月份將實(shí)現(xiàn)通線，通線后將逐步釋放產(chǎn)能。該合資項(xiàng)目規(guī)劃產(chǎn)能將于2028年達(dá)產(chǎn)，達(dá)成后產(chǎn)能為48萬片/年。

而為該合資項(xiàng)目配套建設(shè)的8英寸碳化硅襯底廠目前已實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮通線。未來，該襯底廠將匹配生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底供應(yīng)給湖南三安與意法半導(dǎo)體合資建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠。

北方華創(chuàng)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收80.18億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅/氮化鎵外延設(shè)備

10月29日晚間，北方華創(chuàng)公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，北方華創(chuàng)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收80.18億元，同比增長(zhǎng)30.12%；歸母凈利潤(rùn)16.82億元，同比增長(zhǎng)55.02%；歸母扣非凈利潤(rùn)16.26億元，同比增長(zhǎng)57.72%。

北方華創(chuàng)形成了半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件三大核心業(yè)務(wù)板塊。在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)提供包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長(zhǎng)等關(guān)鍵工藝裝備，服務(wù)于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示、新能源光伏和襯底材料等多個(gè)制造領(lǐng)域。

目前，北方華創(chuàng)擁有單晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化鎵等多種材料的外延生長(zhǎng)技術(shù)能力，可滿足不同領(lǐng)域的應(yīng)用需求。截至2023年底，北方華創(chuàng)已推出20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備，并已累計(jì)出貨超過1000腔。

通富微電Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收60.01億元，業(yè)務(wù)覆蓋車用碳化硅產(chǎn)品

10月29日晚間，通富微電公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，通富微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收60.01億元，同比增長(zhǎng)0.04%；歸母凈利潤(rùn)2.30億元，同比增長(zhǎng)85.32%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.25億元，同比下滑121.20%。

通富微電是集成電路封裝測(cè)試服務(wù)提供商，為全球客戶提供從設(shè)計(jì)仿真到封裝測(cè)試的一站式服務(wù)，其產(chǎn)品、技術(shù)、服務(wù)覆蓋了汽車電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，通富微電2022年已為國(guó)際知名汽車電子客戶開發(fā)碳化硅產(chǎn)品，應(yīng)用于客戶新能源車載逆變器等領(lǐng)域，在國(guó)內(nèi)首家通過客戶考核并進(jìn)入量產(chǎn)。

東微半導(dǎo)體Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.61億元，已推出1200V碳化硅MOSFET

10月29日晚間，東微半導(dǎo)體公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，東微半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.61億元，同比增長(zhǎng)10.17%；歸母凈利潤(rùn)0.14億元，同比下滑56.53%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.03億元，同比下滑89.88%。

東微半導(dǎo)體以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。

目前，東微半導(dǎo)體第一代及第二代1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已通過可靠性測(cè)試工作并開始獲得客戶訂單，其中第二代碳化硅MOSFET已在2024年推出多個(gè)產(chǎn)品。與此同時(shí)，東微半導(dǎo)體正在研發(fā)650V/750V/1200V的第三代、第四代碳化硅MOSFET。

合盛硅業(yè)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收70.99億元，8英寸碳化硅襯底小批量生產(chǎn)

10月29日晚間，合盛硅業(yè)公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，合盛硅業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收70.99億元，同比下滑10.68%；歸母凈利潤(rùn)4.76億元，同比增長(zhǎng)18.42%；歸母扣非凈利潤(rùn)4.16億元，同比增長(zhǎng)20.86%。

合盛硅業(yè)主要產(chǎn)品包括工業(yè)硅、有機(jī)硅和多晶硅三大類。其中，工業(yè)硅是由硅礦石和碳質(zhì)還原劑在礦熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品，主要成分為硅元素，是下游光伏材料、有機(jī)硅材料、合金材料的主要原料。

在碳化硅領(lǐng)域，合盛硅業(yè)6英寸碳化硅襯底已全面量產(chǎn)，晶體良率達(dá)90%以上，外延良率穩(wěn)定在95%以上；在8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展方面，合盛硅業(yè)已開始小批量生產(chǎn)。

連城數(shù)控Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14.38億元，正在建設(shè)碳化硅長(zhǎng)晶和加工設(shè)備項(xiàng)目

10月28日晚間，連城數(shù)控公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，連城數(shù)控實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14.38億元，同比下滑20.41%；歸母凈利潤(rùn)0.55億元，同比下滑75.41%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.36億元，同比下滑83.59%。

連城數(shù)控立足于光伏及半導(dǎo)體行業(yè)，是提供晶體材料生長(zhǎng)、加工設(shè)備及核心技術(shù)等多方面業(yè)務(wù)支持的集成服務(wù)商。在碳化硅方面，連城數(shù)控于2020年底開始對(duì)碳化硅晶體生長(zhǎng)爐進(jìn)行研發(fā)立項(xiàng)、2021年9月開始對(duì)碳化硅等超硬材料多線切割機(jī)研發(fā)立項(xiàng)。

今年1月，連城數(shù)控下屬子公司連科半導(dǎo)體與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)就“連科第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造及總部基地項(xiàng)目”舉行簽約儀式。該項(xiàng)目計(jì)劃投資不超過10.5億元建設(shè)半導(dǎo)體大硅片長(zhǎng)晶和加工設(shè)備、碳化硅長(zhǎng)晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

萬業(yè)企業(yè)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.07億元，已研發(fā)碳化硅高溫離子注入機(jī)

10月29日晚間，萬業(yè)企業(yè)公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，萬業(yè)企業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.07億元，同比下滑71.39%；歸母凈利潤(rùn)0.39億元，同比下滑13.05%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.13億元，同比下滑66.95%。

萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通和嘉芯半導(dǎo)體主要從事集成電路核心裝備業(yè)務(wù)。凱世通所涉核心裝備業(yè)務(wù)是以離子注入技術(shù)為核心的集研發(fā)、制造、銷售于一體的高端離子注入機(jī)項(xiàng)目。

在碳化硅功率器件摻雜工藝中，需要極高溫度才能得到理想的擴(kuò)散系數(shù)，并可以最大限度地減少離子轟擊對(duì)晶格的破壞，因此高溫離子注入機(jī)成為了碳化硅功率器件制造中關(guān)鍵核心的設(shè)備。凱世通基于已有的技術(shù)積累，研發(fā)了面向碳化硅的高溫離子注入機(jī)。

卓勝微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.83億元，業(yè)務(wù)涵蓋射頻器件

10月29日晚間，卓勝微公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，卓勝微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.83億元，同比下滑23.13%；歸母凈利潤(rùn)0.71億元，同比下滑84.29%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.60億元，同比下滑86.51%。

卓勝微立足于射頻集成電路領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器、射頻濾波器、射頻功率放大器等射頻前端分立器件及各類模組產(chǎn)品解決方案。

安森美Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.619億美元，環(huán)比增長(zhǎng)1.54%

10月29日，安森美公布了2024年第三季度業(yè)績(jī)。2024年Q3，安森美實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.619億美元（約125.72億人民幣），同比下滑19.21%，環(huán)比增長(zhǎng)1.54%，按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則（GAAP）和非GAAP計(jì)算的毛利率分別為45.4%和45.5%，GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率和非GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率分別為25.3%和31.5%，GAAP應(yīng)占收入凈額和非GAAP應(yīng)占收入凈額分別為4.02億美元（約28.68億人民幣）和4.24億美元（約30.25億人民幣），分別同比下滑31.06%和30.34%，GAAP每股攤薄收益為0.93美元，非GAAP每股攤薄收益為0.99美元。

分業(yè)務(wù)來看，2024年Q3，安森美電源方案部（PSG）、模擬與混合信號(hào)部（AMG）、智能感知部（ISG）營(yíng)收分別為8.29億美元、6.54億美元和2.79億美元。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，安森美在今年7月宣布與大眾汽車集團(tuán)簽署了一項(xiàng)多年協(xié)議，成為其可擴(kuò)展系統(tǒng)平臺(tái)（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴(kuò)展至所有功率級(jí)別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別。

與此同時(shí)，安森美推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiC M3e MOSFET，并計(jì)劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺(tái)能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%。

X-Fab Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.064億美元，環(huán)比增長(zhǎng)1%

10月24日，X-Fab公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，X-Fab實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.064億美元（約14.73億人民幣），在2.05億至2.15億美元的預(yù)期范圍內(nèi)，同比下降12%，環(huán)比增長(zhǎng)1%。息稅折舊攤銷前利潤(rùn)（EBITDA）為5030萬美元（約3.59億人民幣），同比下降23%，環(huán)比增長(zhǎng)5%，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率為24.4%；不計(jì)《國(guó)際財(cái)務(wù)報(bào)告準(zhǔn)則》第15號(hào)的影響，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率為23.5%，而預(yù)期目標(biāo)為24-27%。息稅前盈利（EBIT）為2500萬美元，同比下降43%，環(huán)比增長(zhǎng)9%。

展望2024年第四季度，X-Fab預(yù)計(jì)營(yíng)收在1.95億至2.05億美元之間，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率在22%至25%之間。X-FAB將全年?duì)I收預(yù)期從8.60-8.80億美元調(diào)整為8.22-8.32億美元，全年EBITDA利潤(rùn)率預(yù)期調(diào)整為23.4-24.0%。

目前，X-Fab正在大力擴(kuò)產(chǎn)碳化硅，其2024年的主要支出將包括馬來西亞砂拉越的產(chǎn)能擴(kuò)張項(xiàng)目、法國(guó)的持續(xù)產(chǎn)能轉(zhuǎn)換以及德克薩斯州盧伯克碳化硅生產(chǎn)線的進(jìn)一步擴(kuò)建。

2023年，X-FAB在德克薩斯的碳化硅晶圓產(chǎn)量比上一年增加了58%。在砂拉越，X-FAB旨在增加該工廠每月10000片晶圓產(chǎn)能的建筑施工預(yù)計(jì)將在夏季之后完成，并計(jì)劃在今年第四季度開始搬入設(shè)備。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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中微公司Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收20.59億元，凈利同比增152.63%

10月29日晚間，中微公司發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。中微公司Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收20.59億元，同比增長(zhǎng)35.96%；歸母凈利潤(rùn)3.96億元，同比增長(zhǎng)152.63%；歸母扣非凈利潤(rùn)3.30億元，同比增長(zhǎng)53.79%。

中微公司主要擁有五類設(shè)備產(chǎn)品，分別是CCP電容性刻蝕機(jī)、ICP電感性刻蝕機(jī)、深硅刻蝕機(jī)、MOCVD、薄膜沉積設(shè)備、VOC設(shè)備。2024年前三季度其刻蝕設(shè)備收入為44.13億元，同比增長(zhǎng)約53.77%。

中微公司積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場(chǎng)，并在Micro-LED和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得良好進(jìn)展，幾款已付運(yùn)和即將付運(yùn)的MOCVD新產(chǎn)品正在陸續(xù)進(jìn)入市場(chǎng)。

新潔能Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.82億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅MOSFET和氮化鎵HEMT

10月28日晚間，新潔能發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。新潔能Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.82億元，同比增長(zhǎng)39.45%；歸母凈利潤(rùn)1.15億元，同比增長(zhǎng)70.27%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.11億元，同比增長(zhǎng)73.76%。

新潔能主營(yíng)業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售，已陸續(xù)推出車規(guī)級(jí)功率器件、碳化硅MOSFET、氮化鎵HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動(dòng)IC、電源管理IC等產(chǎn)品，電壓覆蓋12V-1700V全系列，重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域包括新能源汽車及充電樁、光伏儲(chǔ)能、AI算力服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心、工控自動(dòng)化、消費(fèi)電子、5G通訊、機(jī)器人、智能家居、安防、醫(yī)療設(shè)備、鋰電保護(hù)等行業(yè)。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，新潔能的碳化硅MOSFET部分產(chǎn)品已通過客戶驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷售，氮化鎵HEMT部分產(chǎn)品已開發(fā)完成并通過可靠性測(cè)試。

芯導(dǎo)科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0.98億元，開發(fā)了高壓P-GaN HEMT技術(shù)平臺(tái)

10月28日晚間，芯導(dǎo)科技發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。芯導(dǎo)科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0.98億元，同比增長(zhǎng)6.36%；歸母凈利潤(rùn)0.30億元，同比增長(zhǎng)17.18%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.17億元，同比增長(zhǎng)22.95%。

芯導(dǎo)科技專注于模擬集成電路和功率器件的開發(fā)及銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、網(wǎng)絡(luò)通信、安防工控、儲(chǔ)能、汽車電子、光伏逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。

在功率器件領(lǐng)域，芯導(dǎo)科技針對(duì)GaN HEMT產(chǎn)品開發(fā)了高壓P-GaN HEMT技術(shù)平臺(tái)。在新能源應(yīng)用場(chǎng)景，芯導(dǎo)科技堅(jiān)持GaN相關(guān)器件及驅(qū)動(dòng)控制器的開發(fā)，高整合度驅(qū)動(dòng)器芯片已在客戶端完成驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)小批量出貨。

立昂微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.18億元，同比增21.94%

10月28日晚間，立昂微發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。立昂微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.18億元，同比增長(zhǎng)21.94%；歸母凈利潤(rùn)0.13億元，同比增長(zhǎng)6.63%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.06億元，同比下滑47.75%。

立昂微主營(yíng)業(yè)務(wù)主要分三大板塊，分別是半導(dǎo)體硅片、半導(dǎo)體功率器件芯片、化合物半導(dǎo)體射頻芯片。

2024年第三季度，立昂微半導(dǎo)體功率器件芯片銷量40.64萬片，同比下降5.11%，環(huán)比下降15.84%；化合物半導(dǎo)體射頻芯片銷量0.96萬片，同比增長(zhǎng)111.34%，環(huán)比增長(zhǎng)11.20%。

均勝電子前三季度全球新獲訂單總金額約704億元

10月28日晚間，均勝電子發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。均勝電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收140.56億元，同比下滑1.68%；歸母凈利潤(rùn)3.05億元，同比增長(zhǎng)0.50%；歸母扣非凈利潤(rùn)3.03億元，同比增長(zhǎng)10.09%。

2024年前三季度，均勝電子全球新獲訂單全生命周期總金額約704億元，其中新能源車型相關(guān)的訂單約376億元。

據(jù)悉，均勝電子是全球最早實(shí)現(xiàn)800V高壓平臺(tái)產(chǎn)品量產(chǎn)的供應(yīng)商之一。2019年，保時(shí)捷發(fā)布全球首款基于800V平臺(tái)打造的汽車Taycan，便搭載了均勝電子首代高性能800V高壓平臺(tái)功率電子產(chǎn)品。

晶升股份Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.27億元，8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已交付

10月28日晚間，晶升股份發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。晶升股份Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.27億元，同比增長(zhǎng)0.97%；歸母凈利潤(rùn)0.19億元，同比下滑31.57%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.09億元，同比下滑53.89%。

晶升股份主要從事晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，向半導(dǎo)體材料廠商及其他材料客戶提供半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅單晶爐和其他設(shè)備等定制化產(chǎn)品。

8月7日，晶升股份在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，其第一批8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付。

拓荊科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.11億元，同比增長(zhǎng)44.67%

10月28日晚間，拓荊科技發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。拓荊科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.11億元，同比增長(zhǎng)44.67%；歸母凈利潤(rùn)1.42億元，同比下滑2.91%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.46億元，同比下滑58.79%。

拓荊科技專注于研發(fā)和生產(chǎn)高端半導(dǎo)體專用設(shè)備，產(chǎn)品線包括離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。

今年上半年，拓荊科技超高深寬比溝槽填充CVD設(shè)備、PE-ALD SiN工藝設(shè)備、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工藝設(shè)備等新產(chǎn)品及新工藝已經(jīng)下游用戶驗(yàn)證導(dǎo)入。

天岳先進(jìn)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.69億元，凈利同比增長(zhǎng)982.08%

10月29日晚間，天岳先進(jìn)發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。天岳先進(jìn)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.69億元，同比下滑4.60%；歸母凈利潤(rùn)0.41億元，同比增長(zhǎng)982.08%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.39億元。

天岳先進(jìn)董事長(zhǎng)宗艷民率團(tuán)于2024年8月30日訪問了海信集團(tuán)，其家電集團(tuán)研發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人與海信空調(diào)事業(yè)部負(fù)責(zé)人等就碳化硅半導(dǎo)體材料和器件的技術(shù)進(jìn)展方向，以及碳化硅功率器件在白色家電上的應(yīng)用展開了交流。

9月1日，天岳先進(jìn)在官微宣布將與海信集團(tuán)就碳化硅在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用展開交流，意味著雙方未來將共同加快推動(dòng)碳化硅技術(shù)在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)程。

斯達(dá)半導(dǎo)體Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.81億元，正在建設(shè)車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET芯片項(xiàng)目

10月29日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。斯達(dá)半導(dǎo)體Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.81億元，同比下滑5.30%；歸母凈利潤(rùn)1.49億元，同比下滑34.91%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.45億元，同比下滑33.95%。

斯達(dá)半導(dǎo)體致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、碳化硅等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及IGBT、MOSFET、碳化硅等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源、新能源汽車、工業(yè)控制和電源、白色家電等領(lǐng)域。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，其募投項(xiàng)目正在建設(shè)碳化硅芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目以及高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，目前還處于項(xiàng)目建設(shè)階段，項(xiàng)目建設(shè)完成后，將形成年產(chǎn)6萬片6英寸車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET芯片以及30萬片6英寸3300V以上高壓特色功率芯片的生產(chǎn)能力。

芯聯(lián)集成Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收16.68億元，虧損收窄

10月28日晚間，芯聯(lián)集成發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。芯聯(lián)集成Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收16.68億元，同比增長(zhǎng)27.16%；歸母凈利潤(rùn)-2.13億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-2.96億元。

關(guān)于業(yè)績(jī)變化的主要原因，芯聯(lián)集成表示，隨著新能源車及消費(fèi)市場(chǎng)的回暖，其產(chǎn)能利用率逐步提升。

在碳化硅業(yè)務(wù)方面，繼和蔚來汽車、理想汽車等公司簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議后，芯聯(lián)集成近日還獲得廣汽埃安旗下全系車型定點(diǎn)。根據(jù)協(xié)議，芯聯(lián)集成提供的高性能碳化硅MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊未來幾年內(nèi)將被應(yīng)用于廣汽埃安的上百萬輛新能源汽車上。

納芯微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.17億元，已推出1200V碳化硅產(chǎn)品

10月28日晚間，納芯微發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。納芯微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.17億元，同比增長(zhǎng)86.59%；歸母凈利潤(rùn)-1.42億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-1.55億元。

納芯微是一家高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司，產(chǎn)品涵蓋傳感器、信號(hào)鏈和電源管理三大領(lǐng)域，被廣泛應(yīng)用于汽車、泛能源及消費(fèi)電子場(chǎng)景。

在碳化硅領(lǐng)域，納芯微的碳化硅二極管基于混合式PIN-肖特基二極管技術(shù)，推出了1200V系列產(chǎn)品；碳化硅MOSFET器件基于平面柵工藝，推出新一代自對(duì)準(zhǔn)高電流密度產(chǎn)品。

賽微電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.74億元，業(yè)務(wù)涵蓋氮化鎵器件

10月28日晚間，賽微電子發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。賽微電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.74億元，同比下滑46.56%；歸母凈利潤(rùn)-0.75億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-0.79億元。

據(jù)悉，賽微電子以半導(dǎo)體業(yè)務(wù)為核心，重點(diǎn)發(fā)展MEMS工藝開發(fā)與晶圓制造業(yè)務(wù)，同時(shí)布局GaN材料與器件業(yè)務(wù)。賽微電子目前的主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、氮化鎵外延材料生長(zhǎng)與器件設(shè)計(jì)，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學(xué)、消費(fèi)電子等。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，賽微電子表示，報(bào)告期內(nèi)，其營(yíng)業(yè)總收入下降的原因是半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)規(guī)模同比下降了約2/3。對(duì)于北京MEMS產(chǎn)線，報(bào)告期內(nèi)繼續(xù)處于產(chǎn)能爬坡階段，MEMS業(yè)務(wù)的整體規(guī)模實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)；但由于產(chǎn)能的持續(xù)建設(shè)和經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的持續(xù)擴(kuò)大，產(chǎn)線的折舊攤銷壓力巨大，同時(shí)又繼續(xù)保持了較高的研發(fā)強(qiáng)度，而獲得的政府補(bǔ)助較上年同期大幅減少，北京MEMS產(chǎn)線繼續(xù)虧損且虧損金額擴(kuò)大。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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東尼電子Q3凈利同比增114.62%，計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)碳化硅襯底

10月25日晚間，東尼電子公布了2024年第三季度報(bào)告。東尼電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.03億元，同比增長(zhǎng)3.64%；歸母凈利潤(rùn)0.24億元，同比增長(zhǎng)114.62%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.12億元，同比增長(zhǎng)107.25%。

今年上半年，東尼電子在碳化硅擴(kuò)產(chǎn)方面取得了新進(jìn)展。東尼電子2021年非公開發(fā)行募投項(xiàng)目“年產(chǎn)12萬片碳化硅半導(dǎo)體材料”已于2023年上半年實(shí)施完畢，其計(jì)劃在該募投項(xiàng)目基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)建。根據(jù)今年3月湖州市生態(tài)環(huán)境局公示的對(duì)東尼電子擴(kuò)建碳化硅項(xiàng)目的環(huán)評(píng)文件審批意見，東尼半導(dǎo)體計(jì)劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實(shí)施擴(kuò)建年產(chǎn)20萬片6英寸碳化硅襯底材料項(xiàng)目。

芯朋微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙增長(zhǎng)，已推出碳化硅MOSFET

10月24日晚間，芯朋微公布了2024年第三季度報(bào)告。芯朋微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.54億元，同比增長(zhǎng)29.78%；歸母凈利潤(rùn)0.33億元，同比增長(zhǎng)178.81%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.21億元，同比增長(zhǎng)176.84%。

芯朋微主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體，目前其已推出IGBT、SuperJunction MOSFET、碳化硅MOSFET器件系列等產(chǎn)品，主要面向數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、基站、光伏逆變器、儲(chǔ)能等大功率工業(yè)場(chǎng)景。氮化鎵應(yīng)用方面，芯朋微集成氮化鎵產(chǎn)品已在消費(fèi)類應(yīng)用上量產(chǎn)，工業(yè)類產(chǎn)品正在推廣中。

長(zhǎng)電科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收94.91億元，已推出碳化硅模塊樣品

10月24日晚間，長(zhǎng)電科技公布了2024年第三季度報(bào)告。長(zhǎng)電科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收94.91億元，同比增長(zhǎng)14.95%；歸母凈利潤(rùn)4.57億元，同比下滑4.39%；歸母扣非凈利潤(rùn)4.40億元，同比增長(zhǎng)19.50%。

目前，長(zhǎng)電科技正在加速擴(kuò)充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，特別是在第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，包括碳化硅和氮化鎵功率器件。長(zhǎng)電科技在江蘇無錫江陰市搭建的車規(guī)級(jí)封裝中試線已于2024年第一季度成功通線，并在今年6月推出兩款碳化硅塑封模塊樣品。

聞泰科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收195.71億元，加快碳化硅產(chǎn)品研發(fā)

10月24日晚間，聞泰科技公布了2024年第三季度報(bào)告。聞泰科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收195.71億元，同比增長(zhǎng)28.71%；歸母凈利潤(rùn)2.74億元，同比下滑67.69%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.00億元，同比下滑75.14%。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，2023年，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了氮化鎵D-M系列產(chǎn)品工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域的銷售，同時(shí)E-M產(chǎn)品通過所有測(cè)試認(rèn)證，于2024年開始銷售。碳化硅方面，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了碳化硅整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的量產(chǎn)和MOSFET的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的測(cè)試驗(yàn)證，以及碳化硅MOSFET產(chǎn)品線的建立，推動(dòng)產(chǎn)品進(jìn)入1200V高壓市場(chǎng)。今年上半年，聞泰科技加快了功率分立器件（IGBT、碳化硅和氮化鎵）和模塊等的研發(fā)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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尊敬的社會(huì)各界及各位合作伙伴：

近日，我們發(fā)現(xiàn)有公司或個(gè)人未經(jīng)授權(quán)，擅自傳播來自TrendForce集邦咨詢顧問（深圳）有限公司的付費(fèi)研究報(bào)告給第三方。這一行為不僅嚴(yán)重侵犯了TrendForce 集邦咨詢的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及合法權(quán)益，還對(duì)行業(yè)的正常秩序造成了負(fù)面影響。對(duì)此，TrendForce集邦咨詢特此發(fā)表聲明，以重申我們對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)立場(chǎng)，并對(duì)此類侵權(quán)行為予以強(qiáng)烈譴責(zé)。

一、保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，維護(hù)合法權(quán)益

作為全球?qū)I(yè)的市場(chǎng)分析和產(chǎn)業(yè)咨詢研究機(jī)構(gòu)，TrendForce集邦咨詢投入了大量的時(shí)間與資源，進(jìn)行深入的行業(yè)研究并提供高質(zhì)量的研究報(bào)告。這些報(bào)告為企業(yè)決策提供了重要依據(jù)，并且TrendForce集邦咨詢對(duì)其內(nèi)容擁有完整的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。任何未經(jīng)授權(quán)的復(fù)制、傳播或使用行為，均已構(gòu)成對(duì) TrendForce集邦咨詢知識(shí)產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)重侵犯，違反了《中華人民共和國(guó)著作權(quán)法》第十條及第五十二條、《中華人民共和國(guó)反不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)法》第六條及第十七條相關(guān)法律法規(guī)。TrendForce集邦咨詢將行使法律賦予的權(quán)利，針對(duì)任何侵權(quán)行為采取法律手段，包括但不限于立即停止侵權(quán)、要求賠償全部損失、追究刑事責(zé)任等，并保留追訴相關(guān)責(zé)任的權(quán)利。

二、行業(yè)各界的呼吁

我們呼吁所有使用TrendForce集邦咨詢研究成果的個(gè)人和機(jī)構(gòu)，尊重知識(shí)產(chǎn)權(quán)并遵守相關(guān)的法律法規(guī)。未經(jīng)授權(quán)的傳播不僅對(duì)我們公司的正常運(yùn)營(yíng)造成損害，也會(huì)損害行業(yè)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展。我們期望與業(yè)界各方繼續(xù)保持合作，通過合法、合理的方式使用TrendForce集邦咨詢的研究成果，共同推動(dòng)科技產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

三、TrendForce集邦咨詢對(duì)社會(huì)的承諾

TrendForce集邦咨詢自成立以來，一直秉持著為全球產(chǎn)業(yè)提供高質(zhì)量研究分析及行業(yè)洞察的宗旨。我們致力于為客戶提供專業(yè)的行業(yè)趨勢(shì)分析和及時(shí)的市場(chǎng)資訊，同時(shí)，我們將積極采取行動(dòng)，捍衛(wèi)公司及客戶的合法權(quán)益，堅(jiān)決抵制任何形式的知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵權(quán)行為。

特此聲明！

SHENZHEN TRENDFORCE CORP.

集邦咨詢顧問（深圳）有限公司

2024年10月25日

捷捷微電Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙增長(zhǎng)

10月23日晚間，捷捷微電公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，捷捷微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.43億元，同比增長(zhǎng)41.50%；歸母凈利潤(rùn)1.19億元，同比增長(zhǎng)155.31%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.13億元，同比增長(zhǎng)206.21%。

2024年前三季度捷捷微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收20.06億元，同比增長(zhǎng)40.63%；歸母凈利潤(rùn)3.33億元，同比增長(zhǎng)133.37%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.81億元，同比增長(zhǎng)146.69%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，捷捷微電表示，2024年前三季度其綜合產(chǎn)能有所提高，產(chǎn)能利用率保持較高的水平，其營(yíng)收和歸母凈利潤(rùn)同比有所增長(zhǎng)。

同時(shí)，隨著產(chǎn)能不斷提升，其控股子公司捷捷微電（南通）科技有限公司盈利能力進(jìn)一步增強(qiáng)，凈利潤(rùn)同比有較大幅度的增長(zhǎng)。

江豐電子Q3凈利同比增213.13%，碳化硅外延片已得到客戶認(rèn)可

10月22日晚間，江豐電子公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，江豐電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9.98億元，同比增長(zhǎng)52.48%；歸母凈利潤(rùn)1.26億元，同比增長(zhǎng)213.13%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.93億元，同比增長(zhǎng)119.33%。

2024年前三季度江豐電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收26.25億元，同比增長(zhǎng)41.77%；歸母凈利潤(rùn)2.87億元，同比增長(zhǎng)48.51%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.62億元，同比增長(zhǎng)87.32%。

目前，江豐電子已經(jīng)在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得進(jìn)展，其控股子公司寧波江豐同芯已搭建了一條化合物半導(dǎo)體功率器件模組核心材料制造生產(chǎn)線，掌握了覆銅陶瓷基板DBC及AMB生產(chǎn)工藝。

其控股子公司晶豐芯馳正在全面布局碳化硅外延領(lǐng)域，碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。

晶盛機(jī)電Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收43.31億，8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售

10月23日晚間，晶盛機(jī)電公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收43.31億元，同比下滑14.34%；歸母凈利潤(rùn)8.64億元，同比下滑33.96%；歸母扣非凈利潤(rùn)8.21億元，同比下滑33.06%。

報(bào)告期內(nèi)，晶盛機(jī)電原有8-12英寸大硅片設(shè)備市場(chǎng)進(jìn)一步提升，8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售。

晶盛機(jī)電表示，報(bào)告期內(nèi)，其藍(lán)寶石材料在行業(yè)復(fù)蘇及二次替換需求的拉動(dòng)下實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)；碳化硅材料實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)能的快速爬坡，并拓展了海外客戶；但石英坩堝業(yè)務(wù)受光伏行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇等影響，價(jià)格同比下降，導(dǎo)致毛利率降低，對(duì)其經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)產(chǎn)生不利影響。

2024年前三季度晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收144.78億元，同比增長(zhǎng)7.55%；歸母凈利潤(rùn)29.60億元，同比下降15.76%。

芯源微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.11億元，產(chǎn)品含碳化硅劃裂片設(shè)備

10月21日晚間，芯源微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，芯源微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.11億元，同比下滑19.55%；歸母凈利潤(rùn)0.31億元，同比下滑62.74%；歸母扣非凈利潤(rùn)426.97萬元，同比下滑94.53%。

芯源微目前已形成了前道涂膠顯影設(shè)備、前道清洗設(shè)備、后道先進(jìn)封裝設(shè)備、化合物等小尺寸設(shè)備四大業(yè)務(wù)板塊，產(chǎn)品已覆蓋前道晶圓加工、后道先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域。

其中，芯源微生產(chǎn)的化合物等小尺寸設(shè)備主要應(yīng)用于4-8寸晶圓工藝，產(chǎn)品包括涂膠顯影機(jī)、清洗機(jī)、去膠機(jī)等濕法類設(shè)備及碳化硅劃裂片設(shè)備，可廣泛應(yīng)用于射頻器件、功率器件、光通信、MEMS、LED工藝生產(chǎn)環(huán)節(jié)。

民德電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0.99億元，碳化硅外延片等產(chǎn)品陸續(xù)量產(chǎn)

10月23日晚間，民德電子公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，民德電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0.99億元，同比下滑1.10%；歸母凈利潤(rùn)-249.36萬元，歸母扣非凈利潤(rùn)-250.67萬元。

目前，民德電子正在構(gòu)建功率半導(dǎo)體的smart IDM生態(tài)圈，以晶圓代工+超薄背道代工為主干，上游獲取設(shè)備、晶圓原材料、掩模版、電子氣體等原料供給，下游與設(shè)計(jì)公司合作，開發(fā)出多樣化的產(chǎn)品。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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中科光智今年已完成2輪融資

10月22日，據(jù)中科光智官微消息，中科光智近日完成了A+輪融資，融資金額為數(shù)千萬元人民幣，由重慶科技創(chuàng)新投資集團(tuán)有限公司控股（持股比例99%）子公司重慶科創(chuàng)長(zhǎng)嘉私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資。

source：中科光智

融資方面，2024年至今，中科光智已完成2輪融資，金額均為數(shù)千萬元人民幣。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，2024年上半年，中科光智研發(fā)出高精度全自動(dòng)貼片機(jī)、納米銀壓力燒結(jié)機(jī)兩款碳化硅芯片封裝工藝設(shè)備，均已進(jìn)入市場(chǎng)驗(yàn)證階段。

據(jù)悉，銀燒結(jié)技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，特別是在功率電子器件和新能源汽車領(lǐng)域。例如，銀燒結(jié)技術(shù)用于電力電子功率模塊、碳化硅器件封裝等，能夠顯著提高這些器件的可靠性、效率和壽命。

中科光智表示，本輪融資資金將主要用于拓展半導(dǎo)體封裝設(shè)備產(chǎn)品線，支持碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目深化和標(biāo)準(zhǔn)化封裝設(shè)備產(chǎn)品開發(fā)，推動(dòng)該公司在海外市場(chǎng)布局。

國(guó)內(nèi)碳化硅設(shè)備廠融資熱

碳化硅產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，離不開相關(guān)設(shè)備的支撐。在碳化硅相關(guān)廠商增資擴(kuò)產(chǎn)的進(jìn)程中，受益于產(chǎn)線新建或升級(jí)最直接的設(shè)備需求，廣大設(shè)備廠商將首先收獲一波紅利，這也是當(dāng)前眾多碳化硅設(shè)備相關(guān)廠商普遍業(yè)績(jī)報(bào)喜的主要原因之一。

2024年以來，碳化硅產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)熱情持續(xù)高漲，帶動(dòng)設(shè)備相關(guān)企業(yè)穩(wěn)健發(fā)展，在業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的同時(shí)，也獲得了更多融資的機(jī)會(huì)。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，僅僅是在下半年的這幾個(gè)月，就有近10家廠商完成了新一輪融資。

上述在下半年已完成新一輪融資的廠商，大部分的主營(yíng)業(yè)務(wù)都是半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備，但都已涉足碳化硅設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域。

具體來看，蓋澤科技已推出12英寸Online膜厚量測(cè)設(shè)備，可用于碳化硅、硅晶圓外延層的批量量測(cè)；優(yōu)睿譜推出了碳化硅襯底晶圓位錯(cuò)及微管檢測(cè)設(shè)備、碳化硅晶圓電阻率量測(cè)設(shè)備等多款碳化硅檢測(cè)設(shè)備；矽視科技產(chǎn)品包含CDSEM關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備，能夠滿足6/8/12英寸硅基、碳化硅、氮化鎵等基片的量測(cè)需求；鎧欣半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有硅外延設(shè)備碳化硅石墨基座、寬禁帶半導(dǎo)體外延設(shè)備石墨基座、MOCVD設(shè)備碳化硅石墨基座、半導(dǎo)體設(shè)備用純碳化硅產(chǎn)品和燒結(jié)碳化硅產(chǎn)品等。

隨著上述各大廠商碳化硅相關(guān)設(shè)備進(jìn)一步完成出貨，有望為企業(yè)創(chuàng)造更多融資的機(jī)會(huì)。

目前，碳化硅在新能源汽車、光儲(chǔ)充等主要應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元（約654億人民幣）。

在碳化硅產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展趨勢(shì)下，各類建設(shè)項(xiàng)目將陸續(xù)落地實(shí)施，帶動(dòng)設(shè)備需求水漲船高；同時(shí)，碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型帶來了一波持續(xù)的產(chǎn)線設(shè)備更新?lián)Q代需求，廣大設(shè)備廠商未來可期。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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揚(yáng)杰科技：營(yíng)收達(dá)15.58億

揚(yáng)杰科技表示，報(bào)告期內(nèi)，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)需求逐步改善，公司營(yíng)收規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，截至報(bào)告期末累計(jì)達(dá)到44.23億元，較去年同期上升9.48%，累計(jì)歸母凈利潤(rùn)為6.69億元，較去年同期上升8.28%。

其中第三季度營(yíng)收15.58億元，較去年同期上升10.06%，歸母凈利潤(rùn)為2.44億元，較去年同期上升17.91%。

針對(duì)業(yè)績(jī)上漲，揚(yáng)杰科技表示，報(bào)告期內(nèi)，下游應(yīng)用領(lǐng)域需求回暖。隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化和智能化的快速轉(zhuǎn)型，為公司提供了新的增長(zhǎng)機(jī)遇，2024年前三季度公司汽車電子業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入較去年同期上升60%。

同時(shí)，隨著消費(fèi)類電子及工業(yè)市場(chǎng)需求逐步回升，2024年前三季度消費(fèi)電子及工業(yè)產(chǎn)品營(yíng)業(yè)收入較去年同期上升均超20%。

此外，公司持續(xù)推進(jìn)降本增效以及推出滿足市場(chǎng)的新產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了毛利率的上升。

德州儀器：營(yíng)收達(dá)41.5億美元

德州儀器公布2024年第三季度營(yíng)收為41.5億美元（折合人民幣約295.8億元），同比下降8%，但環(huán)比增長(zhǎng)9%；凈利潤(rùn)為13.6億美元，同比下降20%。

數(shù)據(jù)顯示，德州儀器已連著8個(gè)季度營(yíng)收同比下滑，但此次是七個(gè)季度以來的最小降幅，營(yíng)收與凈利潤(rùn)皆超過外界預(yù)期。受智能手機(jī)和個(gè)人電腦供應(yīng)商訂單增加以及終端市場(chǎng)需求反彈的推動(dòng)，德州儀器產(chǎn)品的銷量得到提振。

首席執(zhí)行官Haviv Ilan在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，汽車市場(chǎng)的收入也環(huán)比增長(zhǎng)了個(gè)位數(shù)。Ilan表示：“中國(guó)電動(dòng)汽車市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，我們的產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)，這才是推動(dòng)第三季度增長(zhǎng)的真正原因?！辈贿^，他還表示，預(yù)計(jì)其余汽車市場(chǎng)仍將保持疲軟態(tài)勢(shì)。

Ilan補(bǔ)充道，公司的三個(gè)主要市場(chǎng)已經(jīng)開始反彈，但其最大的銷售來源——工業(yè)和汽車芯片——仍面臨庫(kù)存過剩的問題。展望未來，德州儀器第四季度的預(yù)期是營(yíng)收在37億美元至40億美元之間（折合人民幣約263億元至285億元）。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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國(guó)內(nèi)2個(gè)碳化硅材料項(xiàng)目同時(shí)披露新進(jìn)展

據(jù)“投資濟(jì)南”官微消息，10月17日，濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價(jià)值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對(duì)接會(huì)在歷城區(qū)國(guó)家超級(jí)計(jì)算濟(jì)南中心舉辦。會(huì)上，中晶芯源8英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)及襯底加工技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目與山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院舉行簽約。

據(jù)悉，中晶芯源是南砂晶圓全資子公司。今年6月22日，南砂晶圓北方基地——中晶芯源8英寸碳化硅項(xiàng)目正式投產(chǎn)。該項(xiàng)目計(jì)劃總投資15億元，達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)能為30萬片。

在中晶芯源8英寸碳化硅項(xiàng)目投產(chǎn)當(dāng)天，南砂晶圓、中晶芯源董事長(zhǎng)王垚浩表示，碳化硅進(jìn)入8英寸時(shí)代比預(yù)想的要早、要快，今后三年，南砂晶圓投資擴(kuò)產(chǎn)的重心將放在濟(jì)南北方基地項(xiàng)目上，大幅提升8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。

在中晶芯源8英寸碳化硅項(xiàng)目新簽約的同時(shí)，予秦半導(dǎo)體碳化硅晶錠項(xiàng)目公示了環(huán)評(píng)文件。

根據(jù)環(huán)評(píng)文件，予秦半導(dǎo)體晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資1.1億元，選址位于蕪湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，項(xiàng)目占地面積約3000平方米，租賃廠房建筑面積2428.6平方米，建設(shè)碳化硅半導(dǎo)體晶體材料生產(chǎn)線，項(xiàng)目共投入30臺(tái)長(zhǎng)晶設(shè)備，產(chǎn)能為840個(gè)晶錠/年。

據(jù)悉，予秦半導(dǎo)體碳化硅晶錠項(xiàng)目最早于2022年8月8日進(jìn)行首次備案，原規(guī)劃建設(shè)碳化硅長(zhǎng)晶爐總部及生產(chǎn)基地項(xiàng)目，組裝生產(chǎn)碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備（環(huán)評(píng)豁免）；后于2024年4月1日變更備案并通過，建設(shè)晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，并且于同年6月對(duì)備案中項(xiàng)目占地面積、租賃廠房建筑面積、建設(shè)周期等建設(shè)內(nèi)容進(jìn)行更正并通過備案。

國(guó)內(nèi)碳化硅材料項(xiàng)目熱度居高不下

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，今年下半年以來，包括中晶芯源8英寸碳化硅項(xiàng)目和予秦半導(dǎo)體碳化硅晶錠項(xiàng)目在內(nèi)，國(guó)內(nèi)已有十多個(gè)碳化硅材料項(xiàng)目相繼披露了最新進(jìn)展，顯示各大廠商正在持續(xù)加碼碳化硅材料細(xì)分賽道。

其中，廣東天域半導(dǎo)體總部和生產(chǎn)制造中心項(xiàng)目總投資80億，總占地面積約114.65畝，建筑面積約24萬平方米，建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸碳化硅外延晶片，產(chǎn)能達(dá)150萬片/年。項(xiàng)目建設(shè)周期為2023年至2026年，未來預(yù)計(jì)年產(chǎn)值約100億元。

天科合達(dá)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目用于擴(kuò)大其碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

投資額70億元的重慶三安8英寸碳化硅襯底廠在8月底已實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮通線，是三安光電為其與意法半導(dǎo)體合資的8英寸碳化硅器件廠配套建設(shè)的碳化硅襯底廠，年產(chǎn)能為8英寸碳化硅襯底48萬片。

從天科合達(dá)、天域半導(dǎo)體等碳化硅襯底、外延頭部廠商的新增項(xiàng)目來看，基本都是兼顧6/8英寸，符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)。

目前，碳化硅產(chǎn)業(yè)仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及應(yīng)用，廠商新增項(xiàng)目規(guī)劃一部分6英寸產(chǎn)能，能夠滿足當(dāng)前的市場(chǎng)需求，但8英寸是趨勢(shì)，規(guī)劃8英寸產(chǎn)能能夠?yàn)槲磥淼钠鹆刻崆白龊卯a(chǎn)線布局。

還有廠商新建項(xiàng)目規(guī)劃的是6/8英寸碳化硅襯底兼容的產(chǎn)線，初期量產(chǎn)6英寸襯底以搶占當(dāng)前市場(chǎng)份額，一旦8英寸時(shí)代來臨，可在短時(shí)間內(nèi)轉(zhuǎn)而量產(chǎn)8英寸產(chǎn)品，能夠快速響應(yīng)產(chǎn)業(yè)需求。

除上述碳化硅襯底項(xiàng)目外，這些材料項(xiàng)目有一部分是襯底生產(chǎn)制造的原材料碳化硅粉體項(xiàng)目，包括中宜創(chuàng)芯、冠嵐新材料、北京世宇、利源硅業(yè)等廠商相關(guān)項(xiàng)目。

資料顯示，碳化硅粉體純度直接影響單晶的生長(zhǎng)質(zhì)量和電學(xué)性能，純度越高，單晶的生長(zhǎng)質(zhì)量和電學(xué)性能越優(yōu)秀。

今年以來，國(guó)內(nèi)各大碳化硅襯底廠商正在持續(xù)加碼產(chǎn)能建設(shè)，作為配套，已有一批碳化硅粉體項(xiàng)目在今年下半年落地實(shí)施，將有助于各大襯底廠商從原材料端推進(jìn)項(xiàng)目順利實(shí)施。

當(dāng)前，國(guó)內(nèi)碳化硅相關(guān)企業(yè)在材料端、器件端、設(shè)備端都取得了一定進(jìn)展，本土廠商在整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的存在感都將會(huì)越來越強(qiáng)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：東北大學(xué)

據(jù)悉，與碳化硅和氮化鎵相比，β-氧化鎵具有更寬的帶隙和更低的能量損耗，因此有望成為下一代功率半導(dǎo)體材料。此外，與硅一樣，β-氧化鎵也可以從原材料熔體中熔融生長(zhǎng)，因此可一次生產(chǎn)出大量高質(zhì)量單晶，理論上可以低成本、低缺陷地生產(chǎn)單晶襯底。

然而，在傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)方法中，盛放高熔點(diǎn)氧化物熔液的坩堝使用了貴金屬銥，并且需要定期進(jìn)行重鑄。因此，銥相關(guān)的成本占了包括半導(dǎo)體前段工藝中的一部分薄膜制造成本的60%以上，這使得降低β-氧化鎵器件制造成本變得困難。目前，β-氧化鎵襯底比碳化硅更貴。而FOX正是為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)而成立的。

FOX采用OCCC（冷容器氧化物晶體生長(zhǎng)）方法，無需使用貴金屬坩堝，即可生產(chǎn)出β-氧化鎵塊狀單晶，其低缺陷程度可與硅媲美。

據(jù)介紹，F(xiàn)OX初期階段將集中于使用OCCC法開發(fā)半導(dǎo)體級(jí)大尺寸化技術(shù)，加速技術(shù)開發(fā)，力爭(zhēng)在2028年內(nèi)確立6英寸晶圓的量產(chǎn)技術(shù)。此后，F(xiàn)OX將進(jìn)一步擴(kuò)建量產(chǎn)工廠，推進(jìn)6英寸晶圓的驗(yàn)證。

目前，除日本企業(yè)外，國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)也在積極布局氧化鎵產(chǎn)業(yè)，并取得了一定進(jìn)展。

其中，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底。

隨后在9月12日，據(jù)富加鎵業(yè)官微消息，其6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽(yáng)開工建設(shè)。

同在9月，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，晶旭半導(dǎo)體二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目于2023年12月開工建設(shè)。目前，項(xiàng)目主體已經(jīng)全部封頂，預(yù)計(jì)年底之前具備設(shè)備模擬的條件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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