文章分類(lèi)： 功率

愛(ài)思強(qiáng)公布Q2初步業(yè)績(jī)，碳化硅&氮化鎵設(shè)備訂單旺盛

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 05 日 18:21 |
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昨日（7/4），德國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備大廠AIXTRON愛(ài)思強(qiáng)公布2024年第二季度初步業(yè)績(jī)成果。在SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，愛(ài)思強(qiáng)設(shè)備訂單報(bào)喜。 愛(ài)思強(qiáng)第二季SiC/GaN設(shè)備訂單占比達(dá)87% 第二季度，愛(ài)思強(qiáng)實(shí)現(xiàn)訂單總額1.76歐元（約合人民幣13.8...  [詳內(nèi)文]

搶奪賽位，第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)局激烈

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 04 日 15:38 |
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目前，第三代半導(dǎo)體是全球戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新的制高點(diǎn)，也是各地區(qū)的重點(diǎn)扶持行業(yè)，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安世半導(dǎo)體、三安光電等頭部廠商順勢(shì)而上，加速布局第三代半導(dǎo)體，市場(chǎng)戰(zhàn)火已燃，一場(chǎng)群雄逐鹿之戰(zhàn)正在上演。 多方來(lái)戰(zhàn)，“直搗”三代半核心環(huán)節(jié) 第三代半導(dǎo)體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場(chǎng)重要賽位，擁...  [詳內(nèi)文]

芯塔電子功率模塊大批量出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 02 日 16:54 |
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近日，芯塔電子核心型號(hào)功率模塊產(chǎn)品成功下線，已大批量交付工業(yè)領(lǐng)域標(biāo)桿客戶。 芯塔電子表示，以湖州功率模塊封裝產(chǎn)線為依托，公司正在開(kāi)發(fā)性能更出色的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊。 據(jù)介紹，芯塔電子湖州功率模塊封裝產(chǎn)線總投資1億元，于2024年初正式通線，目前處于量產(chǎn)爬坡階段。產(chǎn)線全部達(dá)產(chǎn)后，...  [詳內(nèi)文]

成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 01 日 14:20 |
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據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，日本中央硝子（Central Glass）開(kāi)發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。 據(jù)介紹，中央硝子開(kāi)發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來(lái)制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(zhǎng)（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底...  [詳內(nèi)文]

碳化硅新應(yīng)用，熱電池轉(zhuǎn)換效率創(chuàng)新高

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:33 |
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長(zhǎng)時(shí)間電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能將出現(xiàn)新的解方。美國(guó)密西根大學(xué)開(kāi)發(fā)的熱電池，其熱能轉(zhuǎn)換器效率達(dá)到44%，表現(xiàn)也優(yōu)于常見(jiàn)的蒸汽渦輪機(jī)，其平均效率為35%。 太陽(yáng)能、風(fēng)力發(fā)電成本雖然快速下跌，但是只有再生能源價(jià)格下降還不夠，因?yàn)榫G能為間歇性能源，日落或是沒(méi)有風(fēng)的時(shí)候，還是需要“電池“等儲(chǔ)能系統(tǒng)輔助，...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN，BAE Systems宣布和格芯達(dá)成合作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:31 |
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6月24日，BAE Systems宣布和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴關(guān)系，以加強(qiáng)美國(guó)國(guó)家安全項(xiàng)目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司將就增加美國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長(zhǎng)期戰(zhàn)略進(jìn)行合作，雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國(guó)國(guó)內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對(duì)航空航天和國(guó)防系...  [詳內(nèi)文]

120億+15億，國(guó)內(nèi)2個(gè)8英寸碳化硅項(xiàng)目迎來(lái)新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:05 |
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近日，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在海滄正式開(kāi)工。 該項(xiàng)目總投資120億元，建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線，建成后將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。 該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，其中，一期項(xiàng)目總投資70億...  [詳內(nèi)文]

碳化硅市場(chǎng)硝煙四起

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 21 日 14:11 | | 分類(lèi): 功率
近期市場(chǎng)最新消息顯示，安森美onsemi將投資高達(dá)20億美元提高其在捷克共和國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)量，以擴(kuò)大該公司在歐洲的產(chǎn)能。近幾年，SiC功率元件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)十分激烈。 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，前五大Si...  [詳內(nèi)文]

士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線開(kāi)工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 18 日 16:55 |
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據(jù)廈門(mén)廣電網(wǎng)消息，6月18日上午，士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線在海滄區(qū)開(kāi)工。 source：士蘭微 該項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后將成為國(guó)內(nèi)第一條擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)能規(guī)模最...  [詳內(nèi)文]

電科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:55 |
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第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高等特性，在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)兼顧了可低成本、大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)，是第三代半導(dǎo)體發(fā)展的重要方向。 據(jù)中電材料官微消息，近日，電科材料下屬?lài)?guó)盛公司研發(fā)的硅基...  [詳內(nèi)文]