據(jù)三安半導(dǎo)體官微消息,7月24日,三安半導(dǎo)體舉行芯片二廠M6B設(shè)備入場(chǎng)儀式。這標(biāo)志著三安碳化硅(SiC)項(xiàng)目二期通線在即,將為全面加速8英寸SiC產(chǎn)業(yè)布局,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線正式投產(chǎn)奠定良好基礎(chǔ)。
source:三安半導(dǎo)體
據(jù)介紹,湖南三安SiC項(xiàng)目總投資高達(dá)160億人民幣,旨在打造6...  [詳內(nèi)文]
設(shè)備入場(chǎng)!三安半導(dǎo)體8英寸碳化硅提速 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 07 月 25 日 15:53 | 分類 功率 |