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成本可降低10%,日本推碳化硅襯底新技術(shù)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:20 | 分類 功率
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,日本中央硝子(Central Glass)開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅(SiC)”襯底的新制造技術(shù)。 據(jù)介紹,中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(升華法)的傳統(tǒng)技術(shù)相比,液相法在增大襯底...  [詳內(nèi)文]