Tag Archives: 新潔能

13.5億,新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目即將竣工投產(chǎn)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
10月17日,據(jù)無錫市新吳區(qū)官網(wǎng)消息,位于無錫市高新區(qū)(新吳區(qū))的新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目即將竣工投產(chǎn)。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉,新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目總投資13.5億元,用地面積約3.17萬平方米,建筑面積約5.4-5.7萬平方米,該項目于2023年1月開工建設(shè)...  [詳內(nèi)文]

新潔能、盛美上海、均勝電子、Veeco公布最新業(yè)績

作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 13 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近期,4家碳化硅相關(guān)廠商新潔能、盛美上海、均勝電子、Veeco公布了最新的業(yè)績報告,其中,新潔能、盛美上海、均勝電子均實現(xiàn)營收凈利雙增長。 新潔能上半年實現(xiàn)營收8.73億元,SiC MOSFET實現(xiàn)小規(guī)模銷售 8月12日晚間,新潔能公布了2024年半年度報告。報告顯示,2024年...  [詳內(nèi)文]

揚杰科技、新潔能取得SiC、GaN相關(guān)專利

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日,揚杰科技和新潔能2家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商分別取得SiC、GaN相關(guān)專利。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 揚杰科技取得GaN MOSFET專利 天眼查資料顯示,5月10日,揚杰科技取得一項“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)”專利,授權(quán)公告號CN110749389B,申請日...  [詳內(nèi)文]

新潔能成立新半導(dǎo)體公司

作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 05 日 17:50 | 分類 企業(yè)
據(jù)企查查顯示,近日,無錫金蘭華清半導(dǎo)體合伙企業(yè)(有限合伙)成立,注冊資本為5000萬元,無錫新潔能股份有限公司(下文簡稱“新潔能”)為該公司執(zhí)行事務(wù)合伙人,持有該公司63.6%股份。 資料顯示,無錫金蘭華清半導(dǎo)體合伙企業(yè)(有限合伙)經(jīng)營范圍包括:半導(dǎo)體分立器件制造。 圖片來源:...  [詳內(nèi)文]

新潔能推出的SiC MOSFET產(chǎn)品通過驗證并可小規(guī)模量產(chǎn)

作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 15 日 17:45 | 分類 功率
近日,無錫新潔能股份有限公司(下文簡稱“新潔能”)在互動平臺表示目前已開發(fā)完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品,新開發(fā)650V SiC MOSFET工藝平臺,用于新能源汽車OBC、光伏儲能、工業(yè)及自動化等行業(yè),相關(guān)產(chǎn)品已通過客戶驗證,并實現(xiàn)小規(guī)...  [詳內(nèi)文]