Tag Archives: 氧化鎵

加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化，國內(nèi)2家企業(yè)發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分類 企業(yè)
氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的潛在競爭者。目前，國內(nèi)外企業(yè)正在加速推進(jìn)氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近期，鎵仁半導(dǎo)體和富加鎵業(yè)分別在氧化鎵材料和功率器件領(lǐng)域有了新突破。 鎵仁半導(dǎo)體采用鑄造法生長6英寸氧化鎵單晶 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息...  [詳內(nèi)文]

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 21 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
10月18日，據(jù)外媒消息，日本東北大學(xué)近日宣布成立FOX公司，該公司以低成本大規(guī)模生產(chǎn)β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標(biāo)。FOX采用了無貴金屬單晶生長技術(shù)，旨在以比碳化硅更低的成本生產(chǎn)出低缺陷程度與硅相當(dāng)?shù)摩?氧化鎵襯底。 source：東北大學(xué) 據(jù)悉，與碳化硅和氮化鎵相比...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長晶設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分類 企業(yè)
9月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術(shù)，是鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專...  [詳內(nèi)文]

晶旭半導(dǎo)體氧化鎵高頻濾波芯片生產(chǎn)線項目主體封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月17日，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：晶旭半導(dǎo)體）二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設(shè)。目前，項目主體已經(jīng)全部封頂，預(yù)計年底之前具備設(shè)備模擬的條件。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目總投資16.8...  [詳內(nèi)文]

第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢待發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分類 功率
新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時，第四代半導(dǎo)體也在蓄勢待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報道，鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團(tuán)隊在第四代...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體完成近億元Pre-A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 17:27 | 分類 企業(yè)
8月7日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）迎來了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領(lǐng)投，普華資本共同投資。公司天使輪投資機構(gòu)藍(lán)馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見證此次融資簽約儀式。 source：鎵仁半導(dǎo)體 鎵仁半導(dǎo)體表示，本輪融資資金的...  [詳內(nèi)文]

日本團(tuán)隊不使用銥坩堝研制出直徑約2英寸氧化鎵晶體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
作為一種新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場強（8MV/cm）和良好的導(dǎo)通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應(yīng)用中具有優(yōu)勢，且導(dǎo)通電阻更低，損耗更小。 目前，中國、日本、韓國等國的研究機構(gòu)和團(tuán)隊在氧化鎵材料的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方...  [詳內(nèi)文]

韓國首個1200V 氧化鎵SBD問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分類 功率
7月22日，韓國化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布，公司已開發(fā)出可應(yīng)用于高速開關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分類 企業(yè)
7月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國際上已報導(dǎo)的最大尺寸。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（0...  [詳內(nèi)文]

聚焦氧化鎵，鎵仁半導(dǎo)體與邁姆思達(dá)成戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)
6月28日，據(jù)蘇州納米城官微消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體）近日與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱邁姆思）于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進(jìn)半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域展開深度合作。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，邁姆思將與鎵仁半導(dǎo)體協(xié)作實現(xiàn)SiC和氧化...  [詳內(nèi)文]