據(jù)北京順義消息,北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“銘鎵半導(dǎo)體”)在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破,已領(lǐng)先于國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
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銘鎵半導(dǎo)體董事長陳政委表示,半絕緣型(010)鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延,目前國際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]
銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料方面實現(xiàn)新突破 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 06 月 06 日 14:30 | 分類 企業(yè) |