而在近日,國內(nèi)又有一個碳化硅襯底項目通過了竣工驗證,步入投產(chǎn)階段。近日據(jù)山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)消息,爍科晶體碳化硅二期項目已順利通過竣工驗收,標(biāo)志著該項目正式投產(chǎn)。
source:爍科晶體
據(jù)悉,爍科晶體碳化硅二期項目位于山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)瀟河產(chǎn)業(yè)園太原起步區(qū)(北區(qū))。從建設(shè)進(jìn)度來看,該項目在2023年8月完成備案,同年10月提交建設(shè)申請,并在2023年9月開始建設(shè),11月主體封頂。項目于2024年3月進(jìn)入機(jī)電與設(shè)備安裝階段,并計劃于同年4月開始試運(yùn)行。目前,項目已圓滿完成驗收,正式宣告投產(chǎn)。
產(chǎn)能方面,二期項目的建成,預(yù)計將為爍科晶體帶來每年新增20萬片6-8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)能,其中包括N型碳化硅單晶襯底20萬片/年、高純襯底2.5萬片/年、莫桑晶體1.3噸/年。
8英寸進(jìn)展方面,爍科晶體于2021年8月研制出8英寸碳化硅晶體,隨后在2022年1月,爍科晶體實現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)介紹,中國電科(山西)SiC材料產(chǎn)業(yè)基地二期項目于2023年9月份開始建設(shè),10月份進(jìn)入主體鋼結(jié)構(gòu)施工,11月主體完成封頂,現(xiàn)在已具備設(shè)備進(jìn)廠條件,預(yù)計將在今年1月底前開始設(shè)備進(jìn)場,3月可投入試生產(chǎn),預(yù)計2025年投產(chǎn),投產(chǎn)后年產(chǎn)能可達(dá)30萬片SiC襯底。
據(jù)悉,中國電科(山西)SiC材料產(chǎn)業(yè)基地二期項目投資5億元,主要建設(shè)包括單晶生產(chǎn)車間、動力配套等在內(nèi)的總面積1.6萬平方米的綜合性廠房。
此前,中國電科(山西)SiC材料產(chǎn)業(yè)基地一期項目于2019年4月開工建設(shè),9月主體封頂,12月設(shè)備開始搬入,2020年2月實現(xiàn)項目投產(chǎn)。一期項目達(dá)產(chǎn)后,將形成年產(chǎn)18萬片N型SiC單晶襯底、5萬片高純半絕緣型SiC單晶襯底的產(chǎn)能。
資料顯示,爍科晶體成立于2018年,從事第三代半導(dǎo)體材料SiC生產(chǎn)和研發(fā)。公司通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)掌握了SiC生長裝備制造、高純SiC粉料制備工藝,N型SiC單晶襯底和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝,形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線,并在國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)。
2021年8月,爍科晶體成功研制出8英寸SiC晶體。2022年1月,爍科晶體實現(xiàn)8英寸N型SiC襯底小批量生產(chǎn),向8英寸國產(chǎn)N型SiC襯底的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步。
成立至今,爍科晶體共完成兩輪融資,分別是2019年12月的A輪和2023年1月的B輪,投資方分別為中國電科和電科投資。
近年來,中電科在SiC領(lǐng)域動作頻頻。例如:2023年11月,中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地宣布正式投產(chǎn)運(yùn)行。
據(jù)悉,中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目于2021年9月27日簽約落戶南京江寧開發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū),占地面積約10萬平方米。2022年11月,中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地實現(xiàn)了首片硅外延和SiC外延下線,標(biāo)志著該產(chǎn)業(yè)基地進(jìn)入試生產(chǎn)和驗證階段。該項目分兩期實施,其中一期投資19.3億元,將建設(shè)成立第三代化合物外延材料產(chǎn)業(yè)基地等,項目達(dá)產(chǎn)后,將形成6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的產(chǎn)能。
此外,據(jù)中國電科2023年7月消息,隨著中國新能源汽車生產(chǎn)量突破2000萬輛大關(guān),中國電科國基南方、55所研制的新能源汽車用650V-1200V SiC MOSFET出貨量突破1200萬只,實現(xiàn)大批量穩(wěn)定供貨。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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