第三代半導體氮化鎵（GaN）材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場強高等特性，在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點的同時兼顧了可低成本、大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)點，是第三代半導體發(fā)展的重要方向。 據(jù)中電材料官微消息，近日，電科材料下屬國盛公司研發(fā)的硅基...  [詳內(nèi)文]