功率半導(dǎo)體器件是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。其中，MOSFET因其具有易于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)，逐漸成為功率器件的主流產(chǎn)品。
與傳統(tǒng)的硅（Si）功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET具有大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率三個(gè)最顯著特征，適用于大功率且高效的各類(lèi)應(yīng)用，包括工業(yè)電源、太陽(yáng)能逆變器和UPS等領(lǐng)域。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢(xún)特在深圳福田JW萬(wàn)豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”。
屆時(shí)，泰科天潤(rùn) 應(yīng)用測(cè)試中心總監(jiān) 高遠(yuǎn)將出席，給大家?guī)?lái)《我們需要怎樣的SiC MOSFET》主題演講，同場(chǎng)還有更多“重量級(jí)”嘉賓，給大家進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來(lái)。
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