納微半導體近日宣布再度進入三星供應鏈:納微GaNFast GaN功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用。作為下一代功率半導體技術(shù),GaN正持續(xù)取代傳統(tǒng)Si功率芯片在移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車的市場份額。
據(jù)介紹,為支撐強大的性能,Galaxy S23配備一塊3900mAh的鋰離子電池,搭載GaNFast GaN功率芯片的25W充電器(型號為EP-T2510)以及USB PD3.0接口,使其僅需30分鐘就能充滿50%的電量,并在待機模式下只消耗5mW的電力。PD 3.0接口意味著這款新充電器可以為從Galaxy Buds2耳機到Galaxy Z Fold5,Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列設(shè)備供電。
納微半導體的GaNFast GaN功率芯片運用在該充電器的150kHz高頻反激(HFQR)拓撲結(jié)構(gòu)中,并憑借著領(lǐng)先的高頻性能,使得充電器體積縮小30%以上。
此前消息,今年3月,納微半導體的GaNFast技術(shù)已進入三星Galaxy S22 Ultra和S22+ 智能手機充電器。
納微專有的GaN功率IC在單個 SMT 封裝中集成了GaN器件、驅(qū)動、控制和保護功能。是易于使用、高速、高性能的“數(shù)字輸入、電源輸出”模塊,與早期的硅方案相比,實現(xiàn)高達3倍的充電速度、節(jié)省一半的尺寸和重量,節(jié)能高達 40%。
GaN作為第三代半導體材料,其運行速度比傳統(tǒng)硅芯片快20倍。用于尖端快速充電器產(chǎn)品時,GaN可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能,在尺寸相同的情況下,輸出功率提高了三倍。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示,全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復合增長率高達65%。
目前,GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費電子所驅(qū)動,核心仍在于快速充電器,其他消費電子場景還包括D類音頻、無線充電等。(文:集邦化合物半導體Rick整理)
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