總投資160億元的湖南三安半導體基地一期項目已于2021年6月投產，將打造國內首條、全球第三條碳化硅（SiC）垂直整合產業(yè)鏈，可月產3萬片6英寸SiC襯底。
據(jù)悉，湖南三安半導體基地項目致力于建設具有自主知識產權的以SiC等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業(yè)鏈生產與研發(fā)基地，項目投產后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和5G通訊等。
2022年7月，湖南三安半導體基地項目二期開建，總投資為80億元，全面達產后將實現(xiàn)50萬片6英寸SiC襯底的年產能。近日，二期工程也迎來了新進展。
source：湖南三安半導體
1月23日，三安光電在互動平臺表示，公司全資子公司湖南三安SiC產能正逐步釋放，湖南三安半導體基地二期工程目前已進入廠房裝修后期階段，2024年一季度即將貫通。湖南三安正就已簽署的長期采購協(xié)議著力推進產品交付，并持續(xù)跟進數(shù)家新能源汽車客戶的合作意向。公司SiC襯底質量方面能夠滿足客戶要求，并按期交付給客戶使用。
在新能源汽車領域，SiC器件需求日益增長，三安光電SiC器件也正在加速上車。據(jù)了解，三安光電SiC MOSFET代工業(yè)務已與新能源汽車龍頭廠商及配套企業(yè)展開合作，與某知名車企簽署芯片戰(zhàn)略采購意向協(xié)議總金額達38億元，另一重要客戶訂單金額19億元。該公司2022年年報顯示，已簽署的SiC MOSFET長期采購協(xié)議總金額超70億元。
產品方面，三安光電車規(guī)級1200V 16mΩ MOSFET芯片已在戰(zhàn)略客戶處進行模塊驗證，預計于2024年正式上車量產。
合作方面，全球半導體巨頭意法半導體和三安光電于2023年6月共同宣布，雙方將在重慶建立一個新的8英寸SiC器件合資制造廠。按照計劃，合資廠將于2025年第四季度投產，預計在2028年全面建成。該合資廠全部建設總額預計約32億美元（約合229.6億人民幣）。
與此同時，三安光電首席執(zhí)行官Simon Lin表示，將利用自研SiC襯底工藝，單獨新建造和運營一個8英寸SiC襯底制造廠，以滿足上述合資廠的襯底需求。
有消息顯示，湖南三安半導體基地項目二期會在8英寸工藝方面進行研發(fā)投入，并在上述三安光電新建的8英寸SiC襯底廠規(guī)模使用。
隨著湖南三安半導體基地項目二期建成達產，三安光電在SiC技術和產能方面有望再上一個臺階。（集邦化合物半導體Zac整理）
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