近日，重慶三安半導(dǎo)體碳化硅（SiC）襯底項(xiàng)目B1棟順利封頂。此項(xiàng)目總體分為兩個(gè)項(xiàng)目標(biāo)段，總面積約5.8萬(wàn)㎡，項(xiàng)目于2023年11月15日正式進(jìn)場(chǎng)施工。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
其中，重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）總建筑面積為2.08萬(wàn)㎡，包括B1、B2棟、B3棟和B4棟等建筑。安意法半導(dǎo)體8英寸SiC外延、芯片項(xiàng)目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）總建筑面積為3.7萬(wàn)㎡，包括A1棟、A2棟、A3棟、A4棟和C1棟等建筑。
在B1棟順利封頂后，該項(xiàng)目B2、B4、C1三棟也將在年前陸續(xù)封頂，項(xiàng)目整體將在2024年7月前實(shí)現(xiàn)全部交付，合同工期僅為8個(gè)月。
據(jù)悉，該項(xiàng)目業(yè)主方為重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和安意法半導(dǎo)體有限公司，這兩家公司均為湖南三安為推進(jìn)與意法半導(dǎo)體的SiC合資項(xiàng)目而在2023年設(shè)立的子公司。
2023年6月，意法半導(dǎo)體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠，進(jìn)行8英寸SiC器件大規(guī)模量產(chǎn)。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約32億美元（約230億人民幣），占地462畝，總建筑面積26.5萬(wàn)平方米，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC車規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片48萬(wàn)片。項(xiàng)目在取得各項(xiàng)手續(xù)批復(fù)后開(kāi)始建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)，2028年達(dá)產(chǎn)。
意法半導(dǎo)體官網(wǎng)資料顯示，該合資廠將采用意法半導(dǎo)體SiC專利制造工藝技術(shù)，專注于為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)SiC器件。三安光電也披露，該工廠制造的SiC外延、芯片將獨(dú)家銷售給意法半導(dǎo)體或其指定的任何實(shí)體。
為主導(dǎo)該合資項(xiàng)目實(shí)施，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和意法半導(dǎo)體（中國(guó)）投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導(dǎo)體有限公司，注冊(cè)資金6.12億美元，雙方持股比例分別為51%、49%。
為滿足該合資廠的襯底需求，三安光電也將利用自有SiC襯底工藝，單獨(dú)建造和運(yùn)營(yíng)一個(gè)新的8英寸SiC襯底制造廠，規(guī)劃總投資70億人民幣，占地276畝，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC襯底48萬(wàn)片，合資公司將與湖南三安簽訂長(zhǎng)期SiC襯底供應(yīng)協(xié)議。
為推進(jìn)SiC襯底制造廠項(xiàng)目實(shí)施，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司于2023年7月全資設(shè)立重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，注冊(cè)資本18億人民幣。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。