9月5日，據臺媒報道，臺灣大立光電集團控股子公司臺灣應用晶體（下文簡稱“應用晶體”）生產碳化硅（SiC），公司旗下6英寸碳化硅預計10月送樣，8英寸產品最快年底送樣。
資料顯示，臺灣應用晶體成立于2012年3月，實收資本額為3億元新臺幣（折合人民幣約6600萬元）。企業(yè)前期主做晶體設備，后逐步發(fā)展材料開發(fā)碳化硅，2022年底正式轉型材料開發(fā)廠。
2023年7月，應用晶體與臺灣中山大學簽訂價值5000萬新臺幣（折合人民幣約1099萬元）的技術轉移合同，合約時長5年。
根據合同，臺灣中山大學將6英寸碳化硅晶體相關技術移轉至臺灣應用晶體公司及其所屬集團，以每年1千萬專屬授權的買斷合約形式進行。雙方于未來5年在6英寸、8英寸大尺寸的導電型（N-type）與半絕緣型4H、6H碳化硅單晶，都將攜手合作。
圖片來源：拍信網正版圖庫
據悉，大立光集團早在幾年前就對材料相關領域進行評估及布局，經過評估第三代半導體材料后，最終選擇投資碳化硅領域的臺灣應用晶體，并于2023年7月投資，目前持股超70%，是該公司最大股東。
臺灣應用晶體總經理林謂昌指出，6英寸碳化硅預計10月送樣，12月底至明年1月送樣8英寸碳化硅，產能規(guī)劃上則視客戶屆時的需求為主。
長晶爐部份，臺灣應用晶體在明年6英寸及8英寸正式量產后，也會投入外延，循長晶模式，規(guī)劃明年下半年先買設備，預計2026年量產。
此外，臺灣應用晶體也正開發(fā)第四代半導體材料氧化鎵。林謂昌說，氧化鎵與成大一起合作開發(fā)，目前正處于初步階段，利用導膜(EFG)法技術透過虹吸現(xiàn)象生產氧化鎵。鑒于電壓越高材料被擊穿毀損機會越大，氧化鎵可能承受電壓及被擊穿損毀都優(yōu)于碳化矽，因此臺灣應用晶體也積極往這塊領域發(fā)展。（財報快訊、集邦化合物半導體整理）
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