兩年一屆的德國慕尼黑國際電子元器件博覽會(huì)（Electronica）是全球電子元件領(lǐng)域規(guī)模大、影響廣的盛會(huì)之一，今年將于11月15-18日在線下舉辦。據(jù)外媒報(bào)道，英諾賽科、納微半導(dǎo)體、安世半導(dǎo)體、安森美、AOS等第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)將匯聚慕尼黑，展示各自在SiC/GaN等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新技術(shù)和產(chǎn)品。
英諾賽科將攜低、高壓GaN功率半導(dǎo)體新品亮相
在本屆展會(huì)上，英諾賽科將帶來一系列低壓、高壓GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，展示其在功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)的最新研發(fā)成果。
低壓產(chǎn)品部分，英諾賽科將展示30V-150V GaN功率器件，包含最新推出的通過JEDEC認(rèn)證INN100W032A器件，電壓等級(jí)100V, 典型RDS(on) 值低至2.4mΩ，采用WLCSP封裝，封裝尺寸僅為3.5mm x 2.13mm。
同時(shí)，英諾賽科也將展示適用于輕度混合動(dòng)力汽車及工業(yè)應(yīng)用的2.4kW 48V-12V雙向升降壓轉(zhuǎn)換器樣品，以及采用40V InnoGaN功率器件的150W升降壓轉(zhuǎn)換器。英諾賽科稱，這些產(chǎn)品解決方案的尺寸及性能優(yōu)勢(shì)，體現(xiàn)了英諾賽科產(chǎn)品在驅(qū)動(dòng)下一代USB-C, PD3.1設(shè)計(jì)的能力。
此外，英諾賽科也將展示雙向（BiGaN）功率器件，這據(jù)稱是首款導(dǎo)入手機(jī)內(nèi)部的GaN器件，用于OPPO智能手機(jī)的電池管理系統(tǒng)。
高壓產(chǎn)品中，英諾賽科將重點(diǎn)展示650V高壓GaN功率器件產(chǎn)品組合，該系列產(chǎn)品導(dǎo)通電阻涵蓋30毫歐到2.2歐，能夠滿足各種場(chǎng)景的功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
值得關(guān)注的是，英諾賽科將推出JEDEC認(rèn)證的新型650V GaN HEMT INN650D080BS產(chǎn)品，典型RDS(on) 值為60mΩ，采用尺寸為8×8的標(biāo)準(zhǔn)DFN封裝，這款產(chǎn)品已開始用于英諾賽科與兩大合作伙伴聯(lián)合開發(fā)的項(xiàng)目。
其中，英諾賽科與比利時(shí)魯汶大學(xué)/Energie Ville合作采用650V GaN HEMT INN650D080BS器件開發(fā)400V雙有源橋式（DAB）轉(zhuǎn)換器，功率超1kW。英諾賽科與瑞士伯爾尼高等專業(yè)學(xué)院（BFH）研究所聯(lián)合開發(fā)的項(xiàng)目也采用了這款器件，目的是開發(fā)800V多電平轉(zhuǎn)換器。
除此之外，高壓GaN HEMT系列中，英諾賽科也將展示一些樣品，重點(diǎn)包括一款基于INN650D140A器件的緊湊型300W PFC + LLC 電源，廣泛適用于消費(fèi)家電、工業(yè)應(yīng)用、計(jì)算機(jī)、醫(yī)療及游戲等豐富場(chǎng)景。
納微半導(dǎo)體將展出GaN及SiC最新產(chǎn)品
納微半導(dǎo)體近日透露，將于德國慕尼黑電子展推出GaN、SiC寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品組合，覆蓋20W-20MW的半導(dǎo)體應(yīng)用，具體產(chǎn)品如下：
● 新型65V MHz GaNSense氮化鎵半橋功率ICs，搭載自動(dòng)、低損耗感測(cè)功能，防護(hù)速度快6倍；
● 新型750V-6.5kV GeneSiC碳化硅MOSFET，以耐高溫、高速度性能為主要特點(diǎn)；
● 200W移動(dòng)快充，10分鐘內(nèi)可實(shí)現(xiàn)0-100%的充電；
● 電動(dòng)車車載充電器及22kW DC-DC設(shè)計(jì)產(chǎn)品，尺寸、重量縮小20%；
● “Titanium Plus”2.7kW高效電源，適用于數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景；
● 高速、高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)，適用于家用電器、工業(yè)自動(dòng)化等場(chǎng)景；
除了新產(chǎn)品之外，納微半導(dǎo)體屆時(shí)還將會(huì)在展會(huì)同期回顧最新的技術(shù)及市場(chǎng)進(jìn)展。
值得關(guān)注的是，納微半導(dǎo)體今年8月并購了SiC MOSFET品牌GeneSiC，第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)從GaN延伸至SiC。2022年德國慕尼黑電子展將是其SiC和GaN產(chǎn)品首次同時(shí)亮相的平臺(tái)。納微歐洲高級(jí)銷售總監(jiān)Alessandro Squeri表示，對(duì)于納微進(jìn)軍高功率市場(chǎng)和工業(yè)市場(chǎng)而言，今年是突破性的一年。
安世半導(dǎo)體將展出GaN、SiC相關(guān)樣品
安世半導(dǎo)體表示，德國慕尼黑國際電子展為企業(yè)提供了與客戶面對(duì)面溝通和交流的機(jī)會(huì)，也為廠商提供了聚焦網(wǎng)聯(lián)化、數(shù)字化、電氣化、自動(dòng)化、可持續(xù)發(fā)展及能源效率等當(dāng)下行業(yè)大趨勢(shì)的平臺(tái)。
在本屆展會(huì)上，安世半導(dǎo)體將展示面向電源管理、信號(hào)轉(zhuǎn)換等不同應(yīng)用場(chǎng)景的精密、高功率量產(chǎn)解決方案。同時(shí)，安世半導(dǎo)體還將展示一些GaN、SiC相關(guān)的樣板，具體如下：
●CCPAK：新型表面貼裝銅片夾扣鍵合（Copper Clip）封裝，適用于功率GaN；
● GaN FETs雙脈沖評(píng)估板；
● 650V SiC整流器動(dòng)態(tài)性能測(cè)試評(píng)估板；
● 含電池充電機(jī)的電源管理IC，適用于無線傳感器及由紐扣電池驅(qū)動(dòng)的IoT應(yīng)用；
● 首款功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用柵極驅(qū)動(dòng)IC；
安森美將展示搭載其SiC技術(shù)的奔馳汽車
安森美本次展品的兩大亮點(diǎn)是頂部冷卻MOSFET及搭載SiC技術(shù)的奔馳VISION EQXX概念車。
奔馳VISION EQXX汽車搭載了安森美的SiC技術(shù)，以高效、長續(xù)航里程等為特點(diǎn)，據(jù)說僅充一次電就可以從德國開到英國，全程1202公里（747英里）。
除此之外，安森美本次的展品也包含不少基于SiC技術(shù)的電動(dòng)車、先進(jìn)安防、工廠自動(dòng)化、能源基礎(chǔ)設(shè)施及電動(dòng)車充電應(yīng)用。
另一個(gè)重點(diǎn)展示的樣品搭載了創(chuàng)新型頂部冷卻MOSFET器件，可簡(jiǎn)化電動(dòng)機(jī)控制及DC-DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用的散熱設(shè)計(jì)。7個(gè)器件集成在LFPAK封裝中，尺寸僅5x7mm，搭載15mm2的導(dǎo)熱墊片，可直接通過散熱片散熱，不需要借助PCB板，有利于降低PCB的溫度，從而提升整體系統(tǒng)的可靠性和使用壽命，降低系統(tǒng)成本。
AOS將展示車用、工業(yè)應(yīng)用SiC MOSFET
AOS（Alpha and Omega Semiconductor，阿爾法和歐米伽半導(dǎo)體）將展示車用、工業(yè)應(yīng)用650V、750V SiC MOSFET新品以及分立半導(dǎo)體、IC產(chǎn)品線。
650V / 750V / 1200V SiC MOSFET的RDS(ON) 范圍覆蓋15-500mohm，采用多種標(biāo)準(zhǔn)封裝方式，其中650V/750V產(chǎn)品已通過AEC-Q100認(rèn)證，具有較低的比導(dǎo)通電阻（RDS(ON), SP）與短路時(shí)間。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jenny）
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