近日，安世半導體、士蘭微、納芯微等第三代半導體相關(guān)廠商相繼發(fā)布了最新業(yè)績。其中，士蘭微、賽微電子、捷捷微電在2024年第一季度均實現(xiàn)營收同比增長。
安世半導體2023年營收21.5億美元
4月6日，安世半導體（Nexperia）公布了2023年財務(wù)業(yè)績。2023年，Nexperia實現(xiàn)營收21.5億美元，2022年同期為23.6億美元。盡管收入略有下降，市場需求疲軟，但2023年Nexperia傳統(tǒng)強勢的汽車業(yè)務(wù)收入大幅增長。
Nexperia首席財務(wù)官Stefan Tilger表示，Nexperia在2023年進行了非常多的投資，旨在升級和擴充功率分立器件、模塊、模擬和功率IC方面的產(chǎn)品組合，這些投資占據(jù)公司收入的13%。展望2024年，盡管歐洲和北美的不確定性依然存在，但是亞洲需求水平的提高令他感到鼓舞。
據(jù)悉，2023年11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200V分立器件，RDS（on）分別為40mΩ和80mΩ。
這兩款器件是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，可用性高，可滿足電動汽車（EV）充電樁、不間斷電源（UPS）以及太陽能和儲能系統(tǒng)（ESS）逆變器等汽車和工業(yè)應用對高性能SiC MOSFET的需求。
納芯微2023年營收13.11億，SiC MOSFET已送樣
4月25日晚間，納芯微發(fā)布2023年年度報告。2023年，納芯微實現(xiàn)營收13.11億元，同比下滑21.52%；歸母凈利潤-3.05億元，歸母扣非凈利潤-3.93億元。
2023年，納芯微圍繞新能源汽車、光儲、快充消費等下游應用，積極布局第三代功率半導體SiC MOSFET相關(guān)器件。報告期內(nèi)，納芯微推出了與GaN適配的驅(qū)動芯片及power stage集成產(chǎn)品；1200V SiC二極管系列已全面量產(chǎn)；650V/1200V SiC MOSFET系列已全面送樣。納芯微SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過全面的車規(guī)級驗證，確保符合汽車級應用的要求。
關(guān)于業(yè)績變動原因，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟以及市場競爭加劇的影響，其產(chǎn)品售價承壓，毛利率有所下降；2023年度，汽車電子領(lǐng)域整體需求穩(wěn)健增長，消費電子領(lǐng)域景氣度改善，但工業(yè)市場和光伏、儲能市場仍處于去庫存和逐步恢復階段；綜合影響下，納芯微銷售量同比上升但營業(yè)收入同比下降。
同時，報告期內(nèi)納芯微持續(xù)保持高力度的研發(fā)投入，2023年度研發(fā)費用為5.22億元，同比增長29.17%；剔除股份支付費用后的研發(fā)費用為3.49億元，同比增長46.50%。
近日，納芯微、士蘭微、賽微電子、捷捷微電、斯達半導體發(fā)布了2024年第一季度業(yè)績。其中，捷捷微電在2024年Q1實現(xiàn)營收凈利雙雙增長。
捷捷微電Q1營收5.20億，凈利同比增長189.51%
4月24日晚間，捷捷微電發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，捷捷微電實現(xiàn)營收5.20億元，同比增長28.80%；歸母凈利潤0.92億元，同比增長189.51%；歸母扣非凈利潤0.50億元，同比增長80.88%。
作為一家功率半導體芯片和器件的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售廠商，捷捷微電主營產(chǎn)品為各類電力電子器件和芯片，包括IGBT器件及組件、SiC器件等。
據(jù)悉，2023年初，捷捷微電功率半導體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項目已開工，建設(shè)期在2年左右。該項目總投資為133395.95萬元，擬投入募集資金119500萬元，主要從事車規(guī)級大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，建設(shè)完成后可達年產(chǎn)1900kk車規(guī)級大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。
賽微電子Q1營收2.70億，同比增長41.62%
4月25日晚間，賽微電子發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，賽微電子實現(xiàn)營收2.70億元，同比增長41.62%；歸母凈利潤-0.12億元，歸母扣非凈利潤-0.14億元。
賽微電子以半導體業(yè)務(wù)為核心，一方面重點發(fā)展MEMS工藝開發(fā)與晶圓制造業(yè)務(wù)，一方面積極布局GaN材料與器件業(yè)務(wù)。賽微電子目前的主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、GaN外延材料生長與器件設(shè)計，下游應用領(lǐng)域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學、消費電子等。
2024年4月10日，賽微電子與北京市懷柔區(qū)簽署了《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，擬在懷柔科學城產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化示范區(qū)建設(shè)高水平的6/8英寸MEMS圓中試生產(chǎn)線和研發(fā)平臺。
士蘭微Q1營收24.65億，同比增長19.30%
4月29日晚間，士蘭微發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，士蘭微實現(xiàn)營收24.65億元，同比增長19.30%；歸母凈利潤-0.15億元；歸母扣非凈利潤1.33億元，同比增長17.27%。
關(guān)于業(yè)績變動原因，士蘭微表示，其歸母凈利潤出現(xiàn)虧損的主要原因是，報告期內(nèi)，其持有的其他非流動金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價格下跌，導致其公允價值變動產(chǎn)生稅后凈收益-1.52億元。
同時，在IPM智能功率模塊、車規(guī)級PIM功率模塊、AC-DC電路、32位MCU電路、IGBT器件、SiC MOSFET器件、MEDPMOS器件、發(fā)光二極管器件等產(chǎn)品出貨量大幅增長的帶動下，其營收繼續(xù)保持了較快的增長態(tài)勢。其產(chǎn)品綜合毛利率為22.10%，環(huán)比上升了3.18個百分點。
納芯微Q1營收3.62億，同比下滑23.04%
4月25日晚間，納芯微發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，納芯微實現(xiàn)營收3.62億元，同比下滑23.04%；歸母凈利潤-1.50億元，歸母扣非凈利潤-1.59億元。
關(guān)于業(yè)績變動原因，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟以及市場競爭加劇的影響，其產(chǎn)品售價承壓，毛利率有所下降；汽車電子領(lǐng)域整體需求穩(wěn)健增長，消費電子領(lǐng)域景氣度改善，但工業(yè)市場和光伏、儲能市場仍處于去庫存和逐步恢復階段；綜合影響下，其營收同比下降。
同時，納芯微注重在行業(yè)下行周期的人才積累，在市場開拓、供應鏈體系、質(zhì)量管理、人才建設(shè)等多方面持續(xù)的資源投入，使得銷售費用、管理費用同比上升。
4月17日，納芯微官微消息顯示，其推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
據(jù)介紹，納芯微的SiC MOSFET具有RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅(qū)動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動汽車（EV）OBC/DC-DC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲能系統(tǒng)（ESS）以及不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域。
斯達半導體Q1營收8.05億，同比微增
4月29日晚間，斯達半導體發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，斯達半導體實現(xiàn)營收8.05億元，同比增長3.17%；歸母凈利潤1.63億元，同比下滑21.14%；歸母扣非凈利潤1.62億元，同比下滑18.58%。
斯達半導體主營業(yè)務(wù)是以IGBT和SiC為主的功率半導體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。斯達半導體長期致力于IGBT、快恢復二極管、MOSFET等功率芯片的設(shè)計和工藝及IGBT、SiC?MOSFET等功率模塊的設(shè)計、制造和測試，產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)控制和電源、光伏、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域。
SiC業(yè)務(wù)方面，2023年，斯達半導體應用于新能源汽車主控制器的車規(guī)級SiC MOSFET模塊大批量裝車應用，同時新增多個使用車規(guī)級SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機控制器項目定點，將推動其2024-2030年主控制器用車規(guī)級SiC MOSFET模塊銷售增長。2023年，斯達半導體自主的車規(guī)級SiC MOSFET芯片在公司多個車用功率模塊封裝平臺通過多家客戶整車驗證并開始批量出貨。
此外，2023年，斯達半導體和深藍汽車合資成立重慶安達半導體有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高性能、高可靠性的車規(guī)級IGBT模塊和車規(guī)級SiC MOSFET模塊，預計2024年完成廠房建設(shè)并開始生產(chǎn)。（集邦化合物半導體Zac整理）
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