SiC企業(yè)凌銳半導(dǎo)體推出新一代1200V SiC MOS

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 10 月 20 日 18:48 | 分類 功率

10月18日,凌銳半導(dǎo)體(上海)有限公司(下文簡稱“凌銳半導(dǎo)體”)官方公眾號發(fā)文宣布,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。

據(jù)介紹,該產(chǎn)品具備開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn),能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

目前凌銳1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS已達(dá)量產(chǎn)階段,并在Q4實(shí)現(xiàn)客戶端批量交貨。

同時(shí),公司正積極布局研發(fā)下一代更高性能的產(chǎn)品。

凌銳半導(dǎo)體專注第三代半導(dǎo)體SiC車規(guī)級芯片研發(fā)與銷售,公司自創(chuàng)立起,精準(zhǔn)定位高端車規(guī)級MOSFET,對標(biāo)國際一線大廠產(chǎn)品,并與產(chǎn)業(yè)鏈上下游建立了深度合作,目前有多款產(chǎn)品通過核心客戶測試驗(yàn)證,并已獲得多家同行業(yè)上市公司的戰(zhàn)略入股。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。