在當(dāng)今快速發(fā)展的科技時(shí)代，半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新和應(yīng)用正成為推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）因其卓越的電子特性和廣泛的應(yīng)用前景，正受到業(yè)界的關(guān)注。近期，山東省的濟(jì)南和臨沂兩地，在氮化鎵襯底方面取得了新進(jìn)展。 濟(jì)南：新增一個(gè)氮化鎵項(xiàng)目 據(jù)濟(jì)南日?qǐng)?bào)消...  [詳內(nèi)文]