山東2個氮化鎵襯底項目有新進展

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 10 月 22 日 17:50 | 分類 功率

在當(dāng)今快速發(fā)展的科技時代,半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新和應(yīng)用正成為推動全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)因其卓越的電子特性和廣泛的應(yīng)用前景,正受到業(yè)界的關(guān)注。近期,山東省的濟南和臨沂兩地,在氮化鎵襯底方面取得了新進展。

濟南:新增一個氮化鎵項目

據(jù)濟南日報消息,10月17日下午,在濟南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對接會上,山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱“晶鎵半導(dǎo)體”)與濟南晶谷研究院簽約,入駐新一代半導(dǎo)體公共服務(wù)平臺項目。

濟南氮化鎵項目

source:濟南晶谷研究院

據(jù)悉,晶鎵半導(dǎo)體將依托山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室、新一代半導(dǎo)體材料研究院研發(fā)的最新GaN單晶生長與襯底加工技術(shù)成果,開展第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

資料顯示,濟南晶谷研究院是濟南市政府聯(lián)合山東大學(xué)發(fā)起成立的新型研發(fā)機構(gòu),旨在面向國家所需和產(chǎn)業(yè)前沿,集科研、教育、企事業(yè)等功能于一身。該機構(gòu)總投入10億元,于2023年7月正式揭牌。
據(jù)悉,濟南晶谷研究院成立以來,先后引進2家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè),分別為中晶芯源、晶啟光電,孵化2家小微企業(yè),分別為山東晶鎵半導(dǎo)體和山東一芯智能科技,并成立研究院全資子公司濟南晶谷科技有限公司。

臨沂:加快氮化鎵新材料項目建設(shè)

據(jù)中交雄安建設(shè)有限公司官微披露,近日,山東臨沂市委書記任剛到高新廠房項目調(diào)研,視察了一個氮化鎵新材料項目。

資料顯示,該項目總投資5億,占地304畝,主要建設(shè)廠房(含超凈間)、行政中心、技術(shù)研發(fā)中心等,新上50條HVRE單晶生產(chǎn)線、晶片檢測線,10條晶片切割加工生產(chǎn)線,10條研磨、清洗封裝工藝設(shè)備生產(chǎn)線,10套外延片加工MOCVD設(shè)備生產(chǎn)線,10條圖形襯底制備生產(chǎn)線及配套設(shè)施。項目于今年6月開工,預(yù)計2025年12月完工。

項目建成后與北京化工大學(xué)博士團隊合作,引進具有獨立產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備,生產(chǎn)的2英寸、4英寸氮化鎵單晶襯底,廣泛應(yīng)用于芯片制造、通訊基站、相控雷達(dá)等領(lǐng)域,建成后將實現(xiàn)全市第三代半導(dǎo)體材料的新突破。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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