2024年下半年10+碳化硅材料項目披露新進展

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 10 月 22 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)

伴隨著碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,項目與產(chǎn)能建設成為熱點話題之一。近日,國內(nèi)又有兩個碳化硅材料相關項目披露了最新動態(tài),分別是中晶芯源8英寸碳化硅單晶生長及襯底加工技術開發(fā)項目以及予秦半導體碳化硅晶錠項目。

國內(nèi)2個碳化硅材料項目同時披露新進展

據(jù)“投資濟南”官微消息,10月17日,濟南市半導體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術成果本市轉(zhuǎn)化對接會在歷城區(qū)國家超級計算濟南中心舉辦。會上,中晶芯源8英寸碳化硅單晶生長及襯底加工技術開發(fā)項目與山東大學新一代半導體材料研究院舉行簽約。

據(jù)悉,中晶芯源是南砂晶圓全資子公司。今年6月22日,南砂晶圓北方基地——中晶芯源8英寸碳化硅項目正式投產(chǎn)。該項目計劃總投資15億元,達產(chǎn)年產(chǎn)能為30萬片。

在中晶芯源8英寸碳化硅項目投產(chǎn)當天,南砂晶圓、中晶芯源董事長王垚浩表示,碳化硅進入8英寸時代比預想的要早、要快,今后三年,南砂晶圓投資擴產(chǎn)的重心將放在濟南北方基地項目上,大幅提升8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。

在中晶芯源8英寸碳化硅項目新簽約的同時,予秦半導體碳化硅晶錠項目公示了環(huán)評文件。

根據(jù)環(huán)評文件,予秦半導體晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目總投資1.1億元,選址位于蕪湖高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),項目占地面積約3000平方米,租賃廠房建筑面積2428.6平方米,建設碳化硅半導體晶體材料生產(chǎn)線,項目共投入30臺長晶設備,產(chǎn)能為840個晶錠/年。

據(jù)悉,予秦半導體碳化硅晶錠項目最早于2022年8月8日進行首次備案,原規(guī)劃建設碳化硅長晶爐總部及生產(chǎn)基地項目,組裝生產(chǎn)碳化硅長晶設備(環(huán)評豁免);后于2024年4月1日變更備案并通過,建設晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,并且于同年6月對備案中項目占地面積、租賃廠房建筑面積、建設周期等建設內(nèi)容進行更正并通過備案。

國內(nèi)碳化硅材料項目熱度居高不下

據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計,今年下半年以來,包括中晶芯源8英寸碳化硅項目和予秦半導體碳化硅晶錠項目在內(nèi),國內(nèi)已有十多個碳化硅材料項目相繼披露了最新進展,顯示各大廠商正在持續(xù)加碼碳化硅材料細分賽道。

下半年碳化硅材料項目進展

其中,廣東天域半導體總部和生產(chǎn)制造中心項目總投資80億,總占地面積約114.65畝,建筑面積約24萬平方米,建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸碳化硅外延晶片,產(chǎn)能達150萬片/年。項目建設周期為2023年至2026年,未來預計年產(chǎn)值約100億元。

天科合達碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設二期項目用于擴大其碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能,投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導電型碳化硅襯底,其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片,8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。

投資額70億元的重慶三安8英寸碳化硅襯底廠在8月底已實現(xiàn)點亮通線,是三安光電為其與意法半導體合資的8英寸碳化硅器件廠配套建設的碳化硅襯底廠,年產(chǎn)能為8英寸碳化硅襯底48萬片。

從天科合達、天域半導體等碳化硅襯底、外延頭部廠商的新增項目來看,基本都是兼顧6/8英寸,符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢。

目前,碳化硅產(chǎn)業(yè)仍然以6英寸為主,8英寸尚未大規(guī)模普及應用,廠商新增項目規(guī)劃一部分6英寸產(chǎn)能,能夠滿足當前的市場需求,但8英寸是趨勢,規(guī)劃8英寸產(chǎn)能能夠為未來的起量提前做好產(chǎn)線布局。

還有廠商新建項目規(guī)劃的是6/8英寸碳化硅襯底兼容的產(chǎn)線,初期量產(chǎn)6英寸襯底以搶占當前市場份額,一旦8英寸時代來臨,可在短時間內(nèi)轉(zhuǎn)而量產(chǎn)8英寸產(chǎn)品,能夠快速響應產(chǎn)業(yè)需求。

除上述碳化硅襯底項目外,這些材料項目有一部分是襯底生產(chǎn)制造的原材料碳化硅粉體項目,包括中宜創(chuàng)芯、冠嵐新材料、北京世宇、利源硅業(yè)等廠商相關項目。

資料顯示,碳化硅粉體純度直接影響單晶的生長質(zhì)量和電學性能,純度越高,單晶的生長質(zhì)量和電學性能越優(yōu)秀。

今年以來,國內(nèi)各大碳化硅襯底廠商正在持續(xù)加碼產(chǎn)能建設,作為配套,已有一批碳化硅粉體項目在今年下半年落地實施,將有助于各大襯底廠商從原材料端推進項目順利實施。

當前,國內(nèi)碳化硅相關企業(yè)在材料端、器件端、設備端都取得了一定進展,本土廠商在整個碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的存在感都將會越來越強。(文:集邦化合物半導體Zac)

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