6月26日，為期三天的SEMI-e 2024第六屆深圳國際半導體展在深圳國際會展中心開幕。本屆展會特設三館六大區(qū)，覆蓋包括芯片設計、晶圓制造與封裝、半導體專用設備與零部件、先進材料、第三代半導體/IGBT、汽車半導體為主的半導體產業(yè)鏈。
集邦化合物半導體走訪發(fā)現(xiàn)，本屆SEMI-e展會匯聚了天科合達、萬年芯、南砂晶圓、爍科晶體、天域半導體、同光股份、先導集團、普興電子、科友半導體、合盛新材料、集芯先進、乾晶半導體、天成半導體、納微半導體、致能科技、蓉矽半導體、鎵未來、宇騰電子、晶鎵半導體、芯三代、AIXTRON愛思強、漢虹精密、恒普技術、頂立科技、芯暉裝備、志橙半導體、高測股份、宇晶機器、創(chuàng)銳光譜、中宜創(chuàng)芯、九域半導體、納設智能、黃河旋風、季華恒一、力凱數(shù)控、清軟微視、泰微科技、聯(lián)合精密、眾力為、中機新材、優(yōu)界科技等第眾多三代半導體領域知名廠商，展示了第三代半導體SiC、GaN領域最新技術和產品，彰顯了第三代半導體產業(yè)正在蓬勃發(fā)展，各家廠商展品匯總如下：
天科合達
本屆展會，天科合達帶來了高純導電SiC粉料、6英寸N型SiC晶錠、6英寸N型SiC襯底等產品。
目前，天科合達已形成擁有自主知識產權的SiC單晶生長爐制造、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測和外延片制備等七大關鍵核心技術體系，覆蓋SiC材料生產全流程，形成一個研發(fā)中心、三家全資子公司和一家控股子公司的業(yè)務布局。
比亞迪半導體
本屆展會，比亞迪半導體帶來了IGBT晶圓及汽車功率模塊等產品。
據(jù)悉，去年11月底，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產業(yè)化項目一期竣工。該項目總投資100億元，項目建設年產72萬片功率器件產品和年產60億套光微電子產品生產線，達產后可實現(xiàn)年產值150億元。一期項目研發(fā)生產的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。
泰科天潤
本屆展會，泰科天潤展示了6英寸SiC晶圓、6英寸SiC MOSFET等系列產品。
目前，泰科天潤的SiC產品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規(guī)格，提供TO220、TO220全包封、T0220內絕緣、T0247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式，已經批量應用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個領域。
世紀金芯
本屆展會，世紀金芯展示了SiC高純粉料、6/8英寸SiC晶錠/襯底等產品。
其中，世紀金芯帶來的SiC高純粉料純度可達99.9999%wt以上；其6/8英寸SiC晶錠/襯底具有禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等特性。
今年4月，世紀金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價值約2億美元。
晶格領域
本屆展會，晶格領域帶來了3C-n型SiC襯底、4H-p型SiC襯底等產品。
其中，3C-n型SiC襯底具有更高的電子遷移率(3C-SiC，1100cm2/V·s；4H-SiC，900 cm2/V·s)，同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產品良率；而4H-p型SiC襯底是利用液相法生長的p型SiC襯底，具有低電阻、高摻雜濃度高品質等特點，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求。
眾力為
本屆展會，眾力為展示了SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)、SiC動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等產品。
其中，SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)采用高速DSP+總線控制+觸屏和PC軟控界面，實現(xiàn)測試前自動VF接觸性檢測，浪涌電流測試后通過反向電流檢測功能自動檢測DUT是否失效。
GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)基于QT開發(fā)的人機交互界面，所有測試條件均可界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動調節(jié)實現(xiàn)一鍵測試；采用光纖驅動信號通訊，響應速度快，抗干擾能力強；設備帶有自動高溫加熱功能，溫度范圍為室溫-200℃，精度±0.1℃。
方正微電子
本屆展會，方正微電子展示了SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產品。
其中，SiC MOSFET系列產品可廣泛應用于新能源汽車主驅控制器、OBC充電、直流充電樁，光伏/儲能逆變，工業(yè)電機驅動等場景，具有功率密度高、效率高、損耗低等特點；GaN HEMT系列產品可應用于PD快充、PC電源、通訊/數(shù)據(jù)中心電源等場景，損耗低、效率高、體積小。
高測股份
本次展會高測股份向外主推碳化硅切片和半導體金剛線切片機。
據(jù)介紹，公司主推設備型號GC- SCDW8300型碳化硅切片機，大大提升切割效率及出片率，降低生產成本，對比砂漿切割產能提升118%，成本降低26%。
source：高測股份
設備型號GC-SEDW812半導體金剛線切片機，使用金剛線切割半導體單晶硅片的專用加工設備，可加工硅棒直徑兼容8寸、12 寸，最大加工長度450mm（晶向偏角≤4°）。
source：高測股份
優(yōu)界科技
優(yōu)界科技首次在國內展出納米銀預燒結貼片機SiC-8Kpro。
該設備具備可應用于銀膜、銀膏等有壓、無壓工藝，兼容2寸/4寸wafer，主要針對SiC、IGBT、射頻功率器件、大功率激光器等產品。
萬年芯
本屆展會，萬年芯帶來了SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊、超低內阻SiC MOSFET等系列產品。
其中，SiC IPM模塊系列產品，封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，內置性能強大的驅動芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片，電壓650V~1200V，功率300~5000W，適用于驅動電機的變頻器和各種逆變電源。
萬年芯超低內阻SiC MOSFET系列產品，使用自主研發(fā)的框架結構，650V 系列產品最低Rdon為5毫歐，1200V系列產品最低Rdon為7毫歐。TO247-4PHC封裝具有強大的過流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），可用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網、高鐵、汽車等行業(yè)。
愛仕特
本屆展會，愛仕特展品范圍涵蓋650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領域的前沿應用解決方案。
其SiC MOSFET產品全系列采用6英寸晶圓量產，最高耐壓3300V，最低內阻15毫歐，按照AEC-Q101標準測試，能夠滿足車規(guī)級要求。
森國科
本屆展會，森國科帶來了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊等系列產品。
森國科全SiC功率模塊包括MOSFET模塊以及肖特基二極管模塊，SiC MOSFET模塊采用主流的Easy 2B封裝,模塊擁有極小的反向恢復損耗，優(yōu)異的高溫特性，卓越的散熱能力，可以有效減小系統(tǒng)體積，提升整體效率，降低散熱要求，降低系統(tǒng)成本，降低電磁干擾。
森國科SiC肖特基二極管模塊采用第五代SiC芯片組，具有更低的損耗，在高溫下具有低導通電阻和出色的開關性能，可以有效簡化系統(tǒng)的熱設計。
合盛新材
本屆展會，合盛新材展示了高純度SiC原料、6英寸N型SiC外延片、6英寸N型SiC雙面拋光襯底片等產品。
合盛新材高純度SiC原料純度不低于99.9999%，顆粒度精確可控；6英寸N型SiC外延片總缺陷密度可達MOS級≤0.5/cm2，厚度均勻性≤2%，濃度均勻性≤4%；6英寸N型SiC雙面拋光襯底片微管密度可達≤0.1/cm2，BPD可控制在≤500/cm2，TSD可控制在≤100/cm2。
愛思強
本屆展會，愛思強展示了SiC外延CVD系統(tǒng)G10-SiC方案。
G10-SiC（source：愛思強）
據(jù)悉，G10-SiC設備發(fā)布于2022年9月，自上市以來銷量持續(xù)保持增長，成為愛思強業(yè)績發(fā)展的一大強勁增長引擎，營收比重不斷提高。2023年，得益于SiC、GaN等G10系列設備的銷量增長，愛思強實現(xiàn)總營收6.299億歐元，同比增長36%。其中，設備銷售額為5.323億歐元，占總營收比重從82%上升至85%。
科友半導體
本屆展會，科友半導體展示了6/8英寸SiC籽晶產品。
今年3月，科友半導體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。通過與俄羅斯N公司合作，科友半導體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，而應用品質優(yōu)異的籽晶進行晶體生長，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質量和良率，并推動SiC長晶爐體及工藝技術的優(yōu)化與升級。
黃河旋風
本屆展會，黃河旋風展示了直徑為0.250mm、0.175mm、0.155mm的多款切割SiC單晶金剛石線產品，切割對象為2-8英寸絕緣型及導電型SiC單晶，適用于安永HW810等高速專用設備。
黃河旋風在2022年研發(fā)成功并投放市場的第三代半導體SiC單晶切片專用線鋸，擁有較好的匹配性和較高的穩(wěn)定性。
蓉矽半導體
本屆展會，蓉矽半導體展示了SiC MOSFET、SiC EJBS系列產品。其SiC MOSFET產品具有短路耐受時間＞3μs、柵氧化層長期可靠、導通電阻和開關損耗低、高雪崩耐量等特點，工作結溫達175℃；其SiC EJBS產品具有高抗浪涌電流能力、低正向導通壓降、低反向漏電流、零反向恢復電流等特點。
蓉矽半導體引入了WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-ln)系統(tǒng)，晶圓測試階段引入WLTBI，在高溫/高應力的作用下，有效篩除SiC MOSFET中早期失效和偶發(fā)失效過渡區(qū)域內存在風險的芯片，以確保SiC晶圓出廠質量與可靠性符合行業(yè)最高標準。
九域半導體
本屆展會，九域半導體展示了方阻（電阻率）測試儀（片與錠）產品。
該設備主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導體材料、石墨烯、透明導電膜、碳納米管、金屬等材料的方阻(電陽率)，可實現(xiàn)單點測試，亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質量控制。本儀器為非接觸、非損傷測試，具有測試速度快、重復性佳、測試敏感性高、可以直接測試產品片等優(yōu)點。
同光股份
本屆展會，同光股份展示了SiC合成粉料、6英寸高純半絕緣SiC襯底、6/8英寸導電型SiC襯底、6/8英寸導電型SiC晶錠等豐富多樣的SiC產品。
同光股份早在2014年就已經有SiC單晶襯底面世，目前已經攻克了高純SiC原料合成、晶型和結晶質量控制、籽晶特殊處理等多個關鍵技術難題，掌握了高品質、低缺陷SiC單晶襯底制備技術。
同光股份旗下設有三個工廠，分別是保定工廠一期、保定工廠二期和淶源工廠。這些工廠布局了完整的SiC襯底生產線，涵蓋了從原料合成、晶體生長、襯底加工到晶片檢測的全過程。
納設智能
本屆展會，納設智能展示了6/8英寸SiC外延設備方案，具備氣路獨立可控、工藝指標優(yōu)異、機臺量產穩(wěn)定、NP型靈活切換等特點。
今年1月，納設智能自主研發(fā)的首臺原子層沉積設備完成了所有生產和測試流程，順利出貨。
鎵仁半導體
本屆展會，鎵仁半導體展示了2/4/6英寸氧化鎵襯底、半絕緣型氧化鎵方形襯底、導電型氧化鎵方形襯底、非故意摻雜氧化鎵方形襯底等各類產品。
氧化鎵材料的高擊穿電壓及低導通電阻特性在功率電子器件方面有巨大應用潛力，包括新能源汽車、光伏逆變器、軌道交通、國家電網、空間應用等。氧化鎵材料的禁帶寬度達到4.85eV，可見光波段透過率好，可應用于日盲紫外探測、輻射探測等領域。此外，氧化鎵單晶與GaN的低失配特性，還適用于生長GaN材料制備高性能的射頻器件，從而在5G通信方面有重要應用前景。
乾晶半導體
本屆展會，乾晶半導體展示了4/6英寸半絕緣SiC拋光片、6/8英寸導電型SiC拋光片、6英寸SiC肖基特二極管晶圓、TO-220封裝SiC二極管等眾多產品。
目前，乾晶半導體6英寸SiC單晶及拋光片產品已經實現(xiàn)批量供貨，8英寸產品可供小批量測試。
晶鎵半導體
本屆展會，晶鎵半導體展示了GaN自支撐襯底、GaN厚膜晶片等產品。其GaN單晶襯底主要應用于藍綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領域。
晶鎵半導體成立于2023年8月，主要從事第三代半導體材料GaN單晶襯底的研發(fā)、生產和銷售，是少數(shù)具有完全自主知識產權的GaN單晶襯底生產制造廠家。
芯三代
本屆展會，芯三代展示了SiC外延設備方案及客戶外延片產品。
芯三代目前聚焦SiC等第三代半導體裝備，代表產品為用于大規(guī)模量產SiC外延生長的CVD設備，該設備產能≥1000片/月，通過工藝優(yōu)化，可超過1200片/月，外延規(guī)格為英寸時(兼容8英寸)，最高外延生長速率≥60微米/小時。
該設備擁有完全獨立的自主知識產權，具有獨創(chuàng)的進氣方式、垂直氣流和溫場控制技術，輔以全自動上下料（EFEM）系統(tǒng)和高溫傳盤等手段，在高產能、6/8英寸兼容、Co0成本、長時間多爐數(shù)連續(xù)自動生長控制、低缺陷率、維護便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢。
爍科晶體
本屆展會，爍科晶體帶來了6/8英寸導電N型SiC襯底、8英寸導電N型SiC晶錠等各類產品。
爍科晶體通過多年自主創(chuàng)新先后完成 4、6、8英寸SiC單晶襯底技術攻關，現(xiàn)已掌握SiC生長裝備制造、碳化硅粉料制備，N型及高純半絕緣SiC單晶襯底制備工藝，擁有SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產線。
普興電子
本屆展會，普興電子展示了8英寸SiC外延片、硅基GaN外延片、氧化鎵外延片等各類外延產品。
今年2月，普興電子官網信息顯示，其“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產業(yè)化項目”進行了第一次環(huán)境影響評價信息公示。本項目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進行改擴建，建筑面積約4000平米，購置SiC外延設備及配套設備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產線。項目建成后，將實現(xiàn)年產24萬片SiC外延片的生產能力。
天域半導體
本屆展會，天域半導體主要展示了SiC外延片及相關襯底/器件模塊產品，包括6/8英寸SiC晶圓、6/8英寸SiC襯底、6/8英寸SiC外延片、SiC MOSFET、汽車主驅模塊等。
天域半導體主要向下游客戶提供SiC外延片產品，用于制作650V-3300V、3300V-20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。
鎵未來
本屆展會，鎵未來展示了6英寸硅基GaN晶圓和各類GaN封裝產品，適用于PD快充、適配器、驅動電源、逆變器等應用場景。
據(jù)悉，戶外電源在休閑娛樂、戶外作業(yè)和應急救援等方面應用廣泛，為了延長戶外電源的使用壽命和可靠性，特別是針對戶外作業(yè)對防水防塵的應用要求，滿足市場對無風扇戶外電源設計需求，鎵未來率先推出GaN大功率無風扇雙向逆變器技術平臺。
致能科技
本屆展會，致能科技帶來了6英寸硅基GaN晶圓以及各類應用方案。
致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設有生產研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于GaN功率半導體器件的研發(fā)與生產，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產能力。
去年11月，致能科技首發(fā)1200V耗盡型（D-Mode）高可靠性GaN器件平臺。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經達到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領域。
天成半導體
本屆展會，天成半導體展示了導電型SiC粉料、導電型SiC晶錠、半絕緣型SiC晶錠、6/8英寸導電型SiC襯底等產品。
天成半導體將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，利用自蔓延法制備的高純SiC粉料，其純度高達99.9999%。
恒普技術
本屆展會，恒普技術展示了SiC長晶爐、碳化鉭涂層材料等產品。
其中，SiC長晶爐可實現(xiàn)多區(qū)域獨立控溫、長晶全周期溫度控制。碳化鉭涂層有助于提高SiC晶體生長質量，是“長快、長厚、長大”核心技術方向之一。
中宜創(chuàng)芯
本屆展會，中宜創(chuàng)芯展示了眾多類型的SiC粉料、SiC晶錠以及SiC襯底產品。
其SiC半導體粉體產品主要分為摻氮SiC粉體、不摻氨SiC粉體、半絕緣SiC粉體和立方SiC粉體四大類，產品純度最高達到7N級，粒度分8目以上、8目-20目、20目-40目、40目-80目、80目以下作為SiC半導體原料，廣泛用于SiC單晶生長。
頂立科技
本屆展會，頂立科技展示了高溫石墨化爐、化學氣相沉積爐等設備。
其中，化學氣相沉積爐是制備高性能碳基、陶瓷基復合材料的關鍵設備，頂立科技突破了大型沉積裝備溫場/流場均勻控制、智能壓力調控、腐蝕性液體氣化及精確傳送/進給、尾氣處理等一系列關鍵技術，掌握了大型SiC、BN及PyC等沉積裝備設計及制造相關的全套技術，打破了國內只能生產小尺寸設備的局面，填補了國內空白。
季華恒一
本屆展會，季華恒一展示了快速退火爐、高溫外延爐、離子注入機等設備。
季華恒一專注于寬禁帶半導體和新能源領域的半導體裝備產業(yè)化，著力于開發(fā)滿足高良率、穩(wěn)定生產需求的SiC高溫外延生長系統(tǒng)、高溫離子注入系統(tǒng)、高溫氧化系統(tǒng)、激光退火系統(tǒng)、快速退火系統(tǒng)、真空鍍膜系統(tǒng)等裝備。
創(chuàng)銳光譜
本屆展會，創(chuàng)銳光譜展示了SiC少子壽命質量成像檢測系統(tǒng)、SiC襯底位錯缺陷光學無損檢測系統(tǒng)等設備。
其中，SiC襯底位錯缺陷光學無損檢測系統(tǒng)為SiC襯底位錯缺陷專用檢測設備，可全面替代堿液蝕刻（有損）檢測方式，AI精準識別BPD、TSD、TED，準確率＞90%。
中機新材
本屆展會，中機新材帶來了SiC襯底粗磨液、SiC襯底精磨液、SiC襯底粗拋液、SiC襯底精拋液等系列產品。
據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產生的環(huán)境污染時間長、范圍廣、難以根除。而中機新材首創(chuàng)的團聚金剛石技術，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產過程中的環(huán)保和成本痛點。
飛仕得
本屆展會，飛仕得帶來了SiC器件動態(tài)偏壓可靠性設備ME100DHTXB。
該設備實現(xiàn)DHTGB、DHTRB、DHTGB+DHTRB一體三種功能，同時可兼容HTGB、HTRB功能；每個抽屜獨立，匹配獨立電源，不同抽屜可實現(xiàn)不同條件、不同封裝器件同步老化；一個柜體內置5個抽屜，最多可配4個柜體；不同柜體任意選配DHTGB/DHTRB，增加不同封裝器件老化，新增對應抽屜即可，無需再次購買整個設備。
宇騰電子
本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產品。
宇騰電子致力于光電與半導體產業(yè)相關設備升級與改造；第三代半導體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設計生產；MOCVD反應室專用石英與石墨制品設計生產等，為客戶提供定制化產品與服務。
中環(huán)領先
本屆展會，中環(huán)領先帶來了6英寸SiC外延片、6英寸硅基GaN外延片等產品。
據(jù)悉，中環(huán)領先專注于半導體材料及其延伸產業(yè)領域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導體材料產品還在加碼研發(fā)中。
先導集團
本屆展會，先導集團旗下先為科技帶來了GaN MOCVD外延設備和SiC外延設備。
其中，BrillMO系列MOCVD系統(tǒng)適用于6英寸和8英寸功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的溫場和流場設計,具有成膜質量高、產能高、使用成本低等優(yōu)勢,為GaN外延加工提供完備的解決方案。
BriSCore系列CVD系統(tǒng)采用創(chuàng)新的批量式腔體設計,可同時加工15片6英寸晶圓，適用于6英寸和8英寸SiC功率芯片的外延制造。BriSCore SiC Epi外延設備具有產能表現(xiàn)優(yōu)異、使用成本低等優(yōu)勢，為SiC外延加工提供量產解決方案。
南砂晶圓
本屆展會，南砂晶圓帶來了6/8英寸導電型SiC晶棒、6/8英寸導電型SiC襯底片系列產品。
南砂晶圓產品以8英寸、6英寸導電型和半絕緣型SiC襯底為主，可視市場需求不斷豐富產品線。南砂晶圓生產的8英寸導電型SiC襯底的TSD、MPD和SF可達到0，BPD≤200cm﹣2。
邁為股份
本屆展會，邁為股份帶來了8英寸SiC研磨設備。
邁為股份于2010年9月成立，是一家集機械設計、電氣研制、軟件開發(fā)、精密制造于一體的高端裝備制造商，公司面向太陽能光伏、顯示、半導體三大行業(yè)，研發(fā)、制造、銷售智能化高端裝備，主要產品包括全自動太陽能電池絲網印刷生產線、異質結高效電池制造整體解決方案、OLED柔性屏激光切割設備、Mini/Micro LED晶圓設備、半導體晶圓封裝設備等。（文：集邦化合物半導體Zac）
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